Устройство для дозированной подачи гидрида легирующего элемента в реакционную камеру

 

ОП И СА " Й- Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

2737 9l

Союз Советских

Социалистических

Ресоуйиик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Кл. 12g, 17/32

Заявлено 23Х!1.1968 (№ 1258858/22-1) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 14Х11.1970, Бюллетень ¹ 23

Дата опубликования описания 8ЛП.1970

МПК В Olj 17/32

УДК 621.793-172.002.2 (088.8) Еотаитет an деоахв изобретений и открытий ори Совете отинистров

CCCP

Авторы изобретения Л. Я. Шварцман, A. Г. Петрик, Э. С. Фалькевич и В, Б. Ржеуцкий

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДОЗИРОВАННОЙ ПОДАЧИ ГИДРИДА

ЛЕГИРУЮЩЕГО ЭЛЕМЕНТА В РЕАКЦИОННУЮ КАМЕРУ

Известное устройство для дозированной подачи гидрида легирующего элемента в реакционную камеру установки эпитаксиального выращивания монокристаллических слоев полупроводников включает емкость с легирующим элементом, параллельно присоединенную газовыми линиями к линии подачи водорода в реакционную камеру и снабженную введенными в ее полость электродами.

В известном устройстве стабилизация расхода водорода через емкость производится при помогци ротаметра, встроенного на входной газовой линии.

В предлагаемом устройстве на присоединенной к емкости входной газовой линии встроен .капилляр, а выходная газовая линия соединена с линией подачи водорода при помощи эжектора.

Такое выполнение повышает точность дозирования гидрида в связи с возможностью осуществлять стабилизацию малого расхода водорода через емкость путем стабилизации расхода основного потока водорода в линии подачи водорода в реакционную камеру.

Дополнительной особенностью предлатаемого устройства является то, что емкость с легирующим элементом снабжена индукционным нагревателем, наличие которого исключает образование аэрозоля легирующего элемента вследствие воздействия искрового разряда на пары легирующего элемента.

На чертеже показано предлагаемое устройство.

Оно включает емкости 1, снабженные индукционными нагревателями 2 и введенными в полости емкостей электродами 8, соединенныхги с импульсным генератором 4. Емкости включены в газовую линию, присоединенную параллельно к линии 5 подачи водорода в реакционную камеру 6. В присоединенную к емкости входную газовую линию 7 встроен капилляр 8; выходная газовая линия 9 соедине.на с линией 5 при помощи эжектора 10. По

15 линии 5 в камеру подается основной поток водорода, давление которого устанавливают при помощи редуктора 11.

В процессе выращивания легирующие эле20 менты в емкостях нагревают индукционным путем; через капилляр в емкости поступает водород из линии 5. Под действием искровых разрядов в газовой фазе над легирующим материалом образуется гидрид легирующего эле25 мента, поступающий в реакционную камеру через эжектор 10. Постоянную скорость потока водорода через емкости с легирующими элементами поддерживают путем стабилизации расхода водорода в линии 5. Количество

30 гидрида, поступающего в камеру, регулируют.

273791

Предмет изооретения

Корректор О. И. Усова

Редактор H. С. Коган Техред А. А. Камышиикова

Заказ 3505i1 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская аб., д. 4у5

Типография, пр. Сапунова, 2 изменяя частоту импульсов или мощность искры.

1. Устройство для дозированной подачи гидрида легирующего элемента в реакционную камеру установки эпитаксиального выращивания монокристаллических слоев полупроводников, включающее емкосгь с легирующим элементом, параллельно присоединенную газовыми линиями к линии подачи водорода в реакционную камеру и снабженную введенными в ее полость электродами, отличаюшееся тем, что, с целью повышения точности дозирования, на присоединенной к емкости входной газовой

5 линии встроен капилляр, а выходная газовая линия соединена с линией подачи водорода при помощи эжектора.

2. Устройство .по п. 1, 0тличаюшееся тем, что, с целью исключения образования при

10 разряде аэрозоля легирующего элемента, емкость с легирующим элементсм снабжена индукционным нагревателем.