Способ электрического и механического соединения плат и интерпозеров в 3d электронных сборках

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении 3D сборок с гибридными электронными компонентами. Сущность: способ электрического и механического соединения плат в 3D электронных сборках заключается в реализации вертикальных линий коммутации за счет пайки механически напряженной проволоки с периферийными контактными площадками пакетированных плат сборки, пропущенной через торцевые прорези плат в области этих контактных площадок, а также за счет использования стенок из гибкого диэлектрического материала вокруг сквозных стержнеобразных направляющих сборки, формирующих объем вокруг электронных компонентов каждого уровня сборки для заливки компаундом. Технический результат заключается в увеличении доли полезной площади монтажных плат для установки электронной компонентной базы (ЭКБ), увеличении числа внешних выводов сборки. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.

 

Область техники, к которой относится изобретение

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении 3D сборок с гибридными электронными компонентами.

Предшествующий уровень техники

При формировании 3D сборок с гибридными электронными компонентами, среди которых могут быть корпусированные и некорпусированные приборные чипы полупроводниковой микроэлектроники, пьзоэлектроники, микроэлектромеханических систем (МЭМС) и другие, конструкционно используют многоуровневое построение, когда все схемотехническое решение делится на части и каждая часть реализуется в плоскости на плате. Затем эти платы с электронными компонентами собирают в вертикальный пакет, с использованием вертикальных разделительных стенок, создающих пространство для электронных компонентов в каждом уровне, и с использованием элементов вертикальной коммутации, восстанавливающих единое схемотехническое решение. При необходимости пространство в каждом или в некоторых уровнях вокруг электронных компонентов заливают компаундом.

В решении [1] (фиг. 1) элемент вертикальной коммутации 1 между горизонтальными платами 2 с электронными компонентами 3 включает сквозное металлизированное отверстие 4, контактные площадки 5, гальванически связанные с металлизацией этого отверстия. Контактные площадки 5 с металлизированными отверстиями 4 расположены на периферии платы 2 в виде одного или нескольких контуров. Контактные площадки 5 выполнены одна над другой с обеих сторон платы 2. Вертикальные разделительные стенки 7 между платами 2 с электронными компонентами 3 сформированы из рамок интерпозеров 8, выполняющих роль промежуточных плат и, имеющих аналогичные элементы вертикальной коммутации 1. Платы и рамки интерпозеры собирают в вертикальный пакет механически и электрически соединяя их через припойные, как правило, свинцово-оловянные, реже золотые, шарики - бампы 6, которые можно отнести в состав элемента вертикальной коммутации 1. При необходимости увеличить высоту пространства для размещения электронных компонент может быть использовано несколько промежуточных рамок интерпозеров или могут быть использованы более толстые рамки интерпозеры 8. Сквозные металлизированные отверстия выполняются различными технологиями в зависимости от материала, из которого изготовлены платы 2 и рамки интерпозеры 8. В любом случае такие платы и рамки интерпозеры из-за наличия в них сквозных металлизированных отверстий - это самые критичные, трудоемкие и дорогостоящие конструкционные элементы сборки. Причем технические трудности и стоимость кратно возрастают при уменьшении диаметра металлизированных отверстий и контактных площадок вокруг них. Диаметр металлизированных отверстий определяет минимально допустимый шаг и число контактных площадок в сборке и, следовательно, допустимую сложность электронной компонентной базы (ЭКБ) и схемотехнического решения, которые могут быть использованы в сборке. Кроме того, при заданном технологией аспектном соотношении (отношение глубины отверстия к его диаметру), при уменьшении диаметра отверстий должна уменьшаться толщина плат и рамок интерпозеров и, следовательно, уменьшаться прочность плат с электронными компонентами. Следует также отметить, что с уменьшением диаметра металлизированных отверстий растет переходное сопротивление линий вертикальной коммутации, а вместе с ним и RC задержки в схеме.

Попытка увеличить число контактных площадок 5 за счет увеличения рядности в их контуре, как это сделано в [2] (фиг. 2) приводит к уширению рамок интерпозеров 8, к уменьшению полезной площади плат 2, на которой размещают электронные компоненты 3, к увеличению габаритов сборки в целом. Таким образом, выполнение вертикальных линий коммутации с помощью сквозных металлизированных отверстий приводит к комплексу взаимопротиворечивых следствий.

Краткое описание чертежей

Фиг. 1. Иллюстрация к электрическому и механическому соединению плат в 3D сборках по способу [1].

Фиг. 2. Иллюстрация к электрическому и механическому соединению плат в 3D сборках по способу [2].

Фиг. 3. Общий вид сборки и элемент вертикальной коммутации по предлагаемому способу.

Фиг. 4. Поперечное сечение и вид сверху сборки по предлагаемому способу.

Термины и определения

3D сборка - электронный узел в виде трехмерной сборки монтажных плат с электронными компонентами, реализующий схемотехническое решение.

МЭМС - микроэлектромеханическая система.

TSV технология - технология изготовления тонких сквозных металлизированных отверстий в пластинах монокристаллического кремния (Through-Silicon Vias).

Интерпозер - промежуточная плата между платой с электронными компонентами и каким-либо элементом конструкции, в том числе другой платой с компонентами.

Задача изобретения и краткое изложение его сущности

Задача изобретения состоит в достижении заявляемого технического результата в виде увеличения доли полезной площади монтажных плат для установки ЭКБ, увеличении числа внешних выводов сборки.

В предлагаемом решении (фиг. 3) элемент вертикальной коммутации 1' реализован с помощью прорези 9 на торце платы 2, на глубину до касания или проникновения в контактные площадки 5 периферийного контура. Контактные площадки 5 в предлагаемом решении в сквозном металлизированном отверстии не нуждаются. Для организации аналога вертикальных стенок 7 (фиг. 1) используется тонкая лента 10 (фиг. 3 и 4) из гибкого диэлектрического материала, ширина которой выбирается исходя из высоты пространства, необходимого для размещения электронных компонентов, причем вертикальные стенки 10 устанавливают с внутренней стороны по отношению к контуру контактных площадок 5 так, что металлизированные прорези 9 оказываются снаружи от вертикальных стенок 10 и доступны для организации их вертикальной коммутации. При этом вертикальную коммутацию выполняют не путем последовательного соединения соседних контактных площадок, а групповым методом - сразу для всех контактных площадок на одной вертикали для всех плат сборки. Для этого электрическую коммутацию всех прорезей на одной вертикали выполняют путем вложения в них механически напряженной натянутой проволоки 11 диаметром меньше ширины прорезей 9 и пайки проволоки 11 ко всем контактным площадкам 5, с которыми она соприкасается по всей вертикали. Для удобства совмещения плат 2 и организации вертикальных стенок 10 сборку плат 2 и вертикальных стенок 10 осуществляют с использованием нескольких вертикальных штырей 12, на которые продевают платы 2 через направляющие отверстия в них и вокруг которых организуют вертикальные стенки 10. Прорези в торце плат также выполняют групповым методом, например, с помощью тонкого диска с алмазной режущей кромкой, предварительно пакетировав платы. Пайка луженой проволоки, организующей сквозной вертикальный коммутационный канал, с лужеными контактными площадками выполняется одним из методов групповой пайки, например, с помощью специализированного фена.

Объем пространства вокруг электронных компонентов 3 может быть залит компаундом в процессе монтажа сборки или после пайки вертикальных линий коммутации 11 через отверстия в вертикальных стенках 10. Перфорация ленты для вертикальных стенок выполняется заранее - до их монтажа в составе сборки. В качестве одной из завершающих операций, выполняют заливку защитным компаундом внешних объемов 13 между платами 2 и вертикальными стенками 10 вместе с вертикальными линиями проволок 11, проходящих через эти объемы. На фиг. 4 представлено поперечное сечение и вид А-А (см. фиг. 4) сборки по предлагаемому способу.

Благодаря описанному способу электрического и механического соединения плат и интерпозеров в 3D электронных сборках удается выполнить сборку без трудоемкого изготовления сквозных металлизированных отверстий малого диаметра (порядка 50-100 мкм) в платах. Отметим, что для плат на основе стеклотекстолита, нитрида алюминия отверстия такого диаметра на сегодня вообще недостижимы, а для плат из монокристаллического кремния, требуют привлечения высокотехнологичных операций технологии TSV. Выполнение же относительно мелких прорезей шириной 50-100 мкм доступно вне зависимости от материала плат. Это означает, что уменьшение шага во внешнем контуре контактных площадок и, следовательно, число внешних выводов, практически до уровня кремниевых интерпозеров может быть достигнуто и в подложках на основе других, в том числе менее хрупких материалов. Дополнительно прочность сборки и, следовательно, надежность всего электронного изделия, возрастает при использовании натянутой проволоки, которая помимо коммутационных функций выполняет роль напряженной арматуры во внешней оболочке защитного компаунда. Кроме того, контур вертикальных стенок из тонкой ленты оставляет площадь платы для электронных компонентов, чем внутренний контур рамки в способах-аналогах, особенно если она содержит несколько рядов контактных площадок как это показано на фиг. 2. Таким образом, предлагаемый способ обеспечивает достижение всех заявленных технических результатов.

Подробное описание чертежей

Фиг. 1. Иллюстрация к электрическому и механическому соединению плат в 3D сборках по способу [1], в котором элемент вертикальной коммутации 1 между горизонтальными платами 2 с электронными компонентами 3 включает сквозное металлизированное отверстие 4, контактные площадки 5, гальванически связанные с металлизацией этого отверстия, припойные насадки (бампы) 6 на контактных площадках, а разделительные стенки 7 сформированы одной или несколькими рамками интерпозерами 8 с аналогичными элементами вертикальной коммутации.

Фиг. 2. Иллюстрация к электрическому и механическому соединению плат в 3D сборках по способу [2], в котором платы 2 с электронными компонентами 3 и рамки интерпозеры 8 ценой уменьшения рабочего поля плат 2 для монтажа компонентов 3 содержат несколько рядов контактных площадок 5.

Фиг. 3. Общий вид сборки и элемент вертикальной коммутации 1' к предлагаемому способу, в котором элемент вертикальной коммутации реализован с помощью прорези 9 на торце платы 2 до касания или проникновения в контактные площадки 5 и натянутой проволоки 11, припаянной групповым методом ко всем контактным площадкам на одной вертикали, а вертикальные стенки 10 выполнены из тонкой гибкой диэлектрической ленты вокруг вспомогательных вертикальных штырей 12. Объем снаружи вертикальных стенок 10 вместе с коммутационными проволочными линиями 11 залит компаундом 13 и образует дополнительный механический и защитный каркас сборки.

Фиг. 4. Поперечное сечение и вид сверху сборки по предлагаемому способу, на котором представлены платы 2 с электронными компонентами 3, контактные площадки 5 без сквозных металлизированных отверстий, тонкие вертикальные стенки 10 практически не уменьшающие полезную площадь платы 2, организованные вокруг вспомогательных вертикальных стоек 12, а также вертикальные проволочные линии коммутаций 11 и дополнительный внешний каркас на основе компаунда 13.

Пример выполнения

В качестве примера реализации предлагаемого способа выполнена многоуровневая сборка в виде трехуровневого модуля на основе плат с планарными размерами 17,3×17,3 мм. Платы выполнены из высокотемпературного стеклотекстолита марки FR-4HiTg. Вертикальные стенки выполнены с использованием тонких (100 мкм) гибких полиимидных полосок, которые замкнуты в контур с помощью пайки, имеющихся на них участков металлизации. Заготовки вертикальных стенок в виде полиимидных полосок перфорированы отверстиями диаметром 1,2 мм, для последующей заливки через них компаунда. Двухсторонний контур внешних контактных площадок плат выполнен без сквозных металлизированных отверстий. Благодаря этому ширина контактной площадки составляет 150 мкм (вместо 400 мкм с металлизированным отверстием), а шаг их следования в контуре 300 мкм (вместо шага 800 мкм для контактных площадок с отверстием). Длина контактной площадки 300 мкм. В соответствии с нормами проектирования печатных плат, контур контактных площадок выполнен на расстоянии 0,25 мм от физического края платы. В связи с этим торцевые прорези выполнены на глубину 350 мкм. Прорези шириной 80-90 мкм выполнены с помощью дисков с внешней алмазной кромкой, используемых для разделения полупроводниковых пластин с приборами микроэлектроники на чипы. Сборка произведена с использованием технологической оснастки, имеющей четыре вертикальных стальных штыря диаметром 0,5 мм, на которые нанизывали платы и вокруг которых формировались вертикальные стенки. Механическое соединение плат в пакете осуществляли путем пайки металлизированных площадок вокруг направляющих отверстий в плате с вертикальными штырями. Контактные площадки на одной вертикали гальванически объединяли путем пайки к ним сквозной проволоки диаметром 60 мкм, пропущенной через все прорези на этой вертикали. Пайку проводили групповым методом с помощью специализированного фена. Монолитизация уровней и пространства с проволоками во вне контура вертикальных стенок проведена в едином цикле путем заливки конструкции в «опалубке» приспособления жидким компаундом.

Цитируемая литература

[1] Патент на изобретение US 6,618,267 В1 09 сентября, 2003.

[2] Патент на изобретение US 8,199,510 В2 12 июня, 2012.

1. Способ электрического и механического соединения плат и интерпозеров в 3D электронных сборках, включающий вертикальное пакетирование плат и разделительных элементов, обеспечивающих замкнутое пространство между платами для электронных компонентов, механическое соединение плат и разделительных элементов в пакет, а также вертикальную электрическую коммутацию контактных площадок периферийного контура плат и разделительных элементов, отличающийся тем, что вертикальную коммутацию контактных площадок периферийного контура плат осуществляют путем пропускания механически напряженной натянутой проволоки через торцевые прорези в платах и последующей групповой пайки проволоки с контактными площадками в области их соприкосновения, при вертикальном пакетировании плат с электронными компонентами используют несколько вертикальных штырей, проходящих через направляющие отверстия в платах, разделительные элементы формируют из тонкой диэлектрической ленты вокруг вертикальных штырей, механическое соединение плат в пакете осуществляют путем пайки металлизированных площадок вокруг направляющих отверстий в плате с вертикальными штырями, а также за счет пайки натянутой проволоки в вертикальных линиях коммутации и внешнего каркаса на основе компаунда, заливку компаунда вокруг электронных компонентов осуществляют через боковые отверстия в вертикальных стенках.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что направляющие отверстия плат выполняют отстоящими от края плат на расстояние больше, чем внутренняя кромка контактных площадок периферийного контура.

3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что ширину тонкой диэлектрической ленты выбирают исходя из высоты пространства, необходимого для размещения электронных компонентов.

4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что тонкая диэлектрическая лента может быть предварительно перфорирована для последующей заливки пространства вокруг электронных компонентов компаундом через боковые отверстия вертикальных стенок после установки платы вышележащего уровня или окончания всей сборки.

5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для выполнения вертикальных линий коммутации выбирают предварительно луженую проволоку, диаметр которой меньше ширины торцевых прорезей.

6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что торцевые прорези в платах выполняют на глубину до касания или проникновения в контактные площадки.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области концентраторных солнечных фотоэлектрических преобразователей, применяемых на наземных гелиоэнергетических установках. Согласно изобретению в известном фотоэлектрическом модуле, содержащем корпус с боковыми стенками, прозрачную фронтальную стенку с линзой Френеля, расположенной на внутренней его стороне, фотоэлектрические преобразователи с различной шириной запрещенной зоны, оптический фильтр, расположенный в зоне действия линзы Френеля, при этом фотоэлектрические преобразователи с различной шириной запрещенной зоны расположены на уровне оптического фильтра, выполненного в виде призмы, расположенной между линзой Френеля и светоотражающими фокусирующими зеркалами, установленными на тыльной стороне фотоэлектрического модуля, направленными на соответствующие фотоэлектрические преобразователи с определенной шириной запрещенной зоны, при этом рабочие поверхности призмы обращены к линзе Френеля и фокусирующим зеркалам с возможностью поворота призмы относительно оптической оси линзы Френеля.

Изобретение относится к электронным устройствам, уложенным друг на друга. Электронный узел содержит первое электронное устройство, которое включает в себя полость, которая углубляется в заднюю сторону первого электронного устройства, при этом первое электронное устройство включает в себя промежуточную пластину на передней стороне первого электронного устройства, при этом полость в первом электронном устройстве углубляется сквозь первое электронное устройство до промежуточной пластины, и электронный узел также содержит второе электронное устройство, установленное на первом электронном устройстве в пределах полости в первом электронном устройстве.

Светоизлучающий диодный (LED), модуль (2), выполненный с возможностью излучать свет, когда соединен с источником (30) питания переменного тока, содержит первый и второй вывод (24, 26) LED-модуля, по меньшей мере одну пару диодов (20, 22), соединенных встречно-параллельным образом между выводами (24, 26) LED-модуля, при этом по меньшей мере один из диодов является светоизлучающим диодом.

Устройство офтальмологической линзы содержит линзу для размещения в или на глазу человека, содержащую оптическую и неоптическую зоны, источник энергии, по меньшей мере частично внедренный в материал линзы в неоптической зоне, и многослойное интегрированное многокомпонентное устройство, содержащее множество слоев многослойной подложки, сформированное в виде полностью или частично кольцевой формы и внедренное внутрь неоптической зоны материала линзы.

Офтальмологическое устройство, содержащее многослойное интегрированное многокомпонентное устройство с подачей питания, содержит по меньшей мере первый и второй из наложенных друг на друга слоев, содержащих электрически активные устройства, содержащие один или более компонентов, и по меньшей мере третий из наложенных друг на друга слоев, содержащий одно или более устройств подачи питания.

Изобретение относится к диодному осветительному прибору, осветительному узлу автомобиля, содержащему такой диодный осветительный прибор, и способу изготовления диодного осветительного прибора.

Использование: для создания блока питания. Сущность изобретения заключается в том, что блок электропитания содержит силовые транзисторы и управляющие компоненты для управления силовыми транзисторами и охлаждаемый посредством теплопроводности, при этом блок электропитания дополнительно содержит: основную плату типа AMB/Si3N4, несущую силовые транзисторы, причем основная плата представляет собой рассеивающую тепло пластину для диссипации тепла, генерируемого силовыми транзисторами, посредством их расположения в блоке в непосредственном контакте с несущей структурой, обеспечивающей охлаждение посредством теплопроводности, когда блок установлен на своем месте; и керамическую плату, несущую управляющие компоненты, причем керамическая плата установлена на основной плате.

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает формирование многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с обеспечением формирования, по меньшей мере, одного сквозного отверстия в подложке, последующее спекание и отжиг, закрепление подложки экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящее основание, закрепление активного тепловыделяющего компонента в одном сквозном отверстии подложки, соединение электрически контактных площадок активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизационного покрытия подложки, контроль электрических характеристик гибридной интегральной схемы.

Изобретение относится к светоизлучающему устройству и способу его изготовления. Светоизлучающее устройство содержит по меньшей мере одну монтажную площадку, множество светоизлучающих диодов, смонтированных на упомянутой по меньшей мере одной монтажной площадке и сконфигурированных для излучения конкретного цвета, и по меньшей мере одну интегральную схему, смонтированную на упомянутой по меньшей мере одной монтажной площадке и сконфигурированную для возбуждения по меньшей мере одного из упомянутого множества светоизлучающих диодов, при этом наиболее чувствительный к температуре светоизлучающий диод расположен между менее чувствительными к температуре светоизлучающими диодами и упомянутой по меньшей мере одной интегральной схемой.

Способ изготовления светодиодного модуля согласно изобретению включает формирование на подложке изолирующей пленки; формирование на изолирующей пленке первой заземляющей контактной площадки и второй заземляющей контактной площадки, отделенных друг от друга; формирование первой разделительной пленки, которая заполняет пространство между первой и второй заземляющими контактными площадками, второй разделительной пленки, осажденной на поверхность первой заземляющей контактной площадки и третьей разделительной пленки, осажденной на поверхность второй заземляющей контактной площадки; формирование первого разделяющего слоя заданной высоты на каждой из разделительных пленок; распыление затравочного металла на подложку, на которой сформирован первый разделяющий слой; формирование второго разделяющего слоя заданной высоты на первом разделяющем слое; формирование первого зеркала, соединенного с первой заземляющей контактной площадкой, и второго зеркала, соединенного со второй заземляющей контактной площадкой с помощью выполнения процесса нанесения металлического покрытия на подложку, на которой сформирован второй разделяющий слой; удаление первого и второго разделяющих слоев; соединение стабилитрона с первым зеркалом и соединение светодиода со вторым зеркалом; и осаждение флуоресцентного вещества для того, чтобы заполнить пространство, образованное первым зеркалом и вторым зеркалом.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении многоуровневых многокристальных модулей в трехмерной сборке с повышенными эксплуатационными характеристиками.

Использование: для изготовления электронных устройств с поверхностным расположением компонентов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления трехмерного электронного модуля с высокой плотностью размещения компонентов, включающий получение заготовки печатной платы на металлической основе; сгибание печатной платы и монтаж электронных компонентов на ее поверхности, при этом используют заготовку печатной платы, выполненную в виде развертки, плоские участки которой имеют форму n-угольника, где n ≥ 2, и выполнены с возможностью образования граней пространственной структуры; монтаж поверхностных выводных компонентов и электронных узлов осуществляют на развертке печатной платы, путем их группировки на поверхности по меньшей мере двух участков печатной платы, с учетом сохранения их пространств в последующем изгибе платы; сгибают развертку печатной платы путем последовательного относительного поворота частей заготовки вокруг линии сгиба до размещения электронных компонентов одного участка в свободном пространстве между электронными компонентами другого или нескольких других участков платы.

Изобретение относится к электронным устройствам, уложенным друг на друга. Электронный узел содержит первое электронное устройство, которое включает в себя полость, которая углубляется в заднюю сторону первого электронного устройства, при этом первое электронное устройство включает в себя промежуточную пластину на передней стороне первого электронного устройства, при этом полость в первом электронном устройстве углубляется сквозь первое электронное устройство до промежуточной пластины, и электронный узел также содержит второе электронное устройство, установленное на первом электронном устройстве в пределах полости в первом электронном устройстве.

Изобретение относится к области создания малогабаритных микромодулей на гибкой плате, содержащих несколько БИС. Сущность изобретения: микромодуль содержит гибкую плату, снабженную металлизированными межслойными переходными отверстиями и смонтированными на ней кристаллами бескорпусных БИС с выступами.

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к области создания малогабаритных многокристальных устройств, изготовленных по гибридной трехмерной технологии.

Изобретение относится к радиоэлектронике. Предлагается новый способ изготовления трехмерного электронного модуля.

Изобретение относится к микроэлектронным устройствам, которые включают в себя многоярусные микроэлектронные кристаллы, встроенные в микроэлектронную подложку. Согласно изобретению по меньшей мере один первый микроэлектронный кристалл прикреплен ко второму микроэлектронному кристаллу, при этом между вторым микроэлектронным кристаллом и по меньшей мере одним первым микроэлектронным кристаллом размещен материал для неполного заполнения, микроэлектронные кристаллы заделаны в микроэлектронную подложку, а микроэлектронная подложка содержит первый наслаиваемый слой и второй наслаиваемый слой, между которыми образована граница раздела, причем граница раздела примыкает к материалу для неполного заполнения границы раздела, или первому микроэлектронному кристаллу, или второму микроэлектронному кристаллу.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии сборки полупроводниковых приборов, и может быть использовано для гибридизации матричных фотоприемных устройств методом перевернутого монтажа.

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам и способам их изготовления. В полупроводниковом устройстве, включающем подложку крепления, тонкопленочный элемент, сформированный на подложке крепления, и полупроводниковый элемент, прикрепленный к подложке крепления, полупроводниковый элемент включает в себя основную часть полупроводникового элемента и множество подстилающих слоев, расположенных стопкой на стороне основной части полупроводникового элемента, обращенной к подложке крепления, причем каждый из подстилающих слоев включает в себя изолирующий слой и рисунок схемы на изолирующем слое, и рисунки схем присоединены друг к другу через контактные отверстия в изолирующих слоях.

Изобретение относится к области сборки сверхвысокочастотной аппаратуры с размещением электронных компонентов и связей между ними в трехмерном пространстве. Технический результат изобретения - обеспечение высокой плотности компоновки электронных компонентов с тепловыми характеристиками, исключающими появление «горячих точек», и высоких показателей надежности.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении 3D сборок с гибридными электронными компонентами. Сущность: способ электрического и механического соединения плат в 3D электронных сборках заключается в реализации вертикальных линий коммутации за счет пайки механически напряженной проволоки с периферийными контактными площадками пакетированных плат сборки, пропущенной через торцевые прорези плат в области этих контактных площадок, а также за счет использования стенок из гибкого диэлектрического материала вокруг сквозных стержнеобразных направляющих сборки, формирующих объем вокруг электронных компонентов каждого уровня сборки для заливки компаундом. Технический результат заключается в увеличении доли полезной площади монтажных плат для установки электронной компонентной базы, увеличении числа внешних выводов сборки. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.

Наверх