Способ выращивания кристалла метабората бария β-bab2o4 (bbo)


G02F1/3551 - Устройства или приспособления для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, исходящего от независимого источника, например для переключения, стробирования или модуляции; нелинейная оптика (термометры с использованием изменения цвета или прозрачности G01K 11/12; с использованием изменения параметров флуоресценцией G01K 11/32; световоды G02B 6/00; оптические устройства или приспособления с использованием подвижных или деформируемых элементов для управления светом от независимого источника G02B 26/00; управление светом вообще G05D 25/00; системы визуальной сигнализации G08B 5/00; устройства для индикации меняющейся информации путем выбора или комбинации отдельных элементов G09F 9/00; схемы и устройства управления для приборов

Владельцы патента RU 2705341:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН) (RU)

Изобретение относится к получению монокристаллов метабората бария ΒaΒ2O4 (ВВО), применяемых в лазерных системах. Рост кристалла ВВО осуществляют в прецизионной нагревательной печи, обладающей высокой симметрией и стабильностью теплового поля из высокотемпературного раствора-расплава, включающего расплав бората бария ΒaΒ2O4 и комплексный растворитель на основе эвтектического состава LiF - NaF с избытком B2O3 от 3 до 7 вес. %, на вращающуюся ориентированную по направлению [0001] затравку, при скорости вытягивания кристалла от 0,15 до 0,4 мм/сутки с одновременным охлаждением раствора-расплава со скоростью от 0,3 до 1 град/сутки. Технический результат - увеличение размеров кристаллов ВВО и повышение коэффициента выхода с сохранением их оптического качества. 2 ил., 1 пр.

 

Изобретение относится к получению монокристаллов метабората бария, применяемых в лазерных системах.

Кристаллы β-BBO прозрачны в ультрафиолетовой области спектра, обладают высокой лазерной стойкостью, и поэтому нашли широкое применение в фундаментальной и прикладной оптоэлектронике. Нелинейно-оптические элементы из кристаллов ВВО используют в основном в лазерных системах с диаметром пучка до 8 мм. Значительный интерес представляет использование данных кристаллов в широкоапертурных лазерных системах с диаметром пучка до нескольких сантиметров. Еще одним важным применением кристаллов ВВО является их использование в качестве электро-оптических модуляторов лазерного излучения. Для этого необходимы монокристаллы размер вдоль оптической оси которых достигает не менее 25 мм.

Известен способ получения монокристаллов β-BaB2O4 80 мм в диаметре и 40 мм вдоль оптической оси (в платиновом тигле диаметром 100 мм) из растворов-расплавов с использованием флюсов 30-50 мол.% Na2O, NaF, BaF2 или их комбинаций [CN1443879(A), МПК: C30B9/12, C30B15/00, опубл. 24.09.2003]. Однако, проведение роста по этому способу технологически сложно, вследствие высокой вязкости раствор-расплавов. Взаимодействие между Na2O и B2O3 в расплаве может быть описано по реакции (1). В результате протекания химических процессов происходит накопление продуктов реакции - NaBO2 в расплаве, что приводит к уменьшению концентрации BaB2O4.

Na2O + B2O3 = 2NaBO2 (1)

Стремительный пирогидролиз BaF2 приводит к изменению состава высокотемпературного раствора-расплава, и, как следствие, ухудшению качества кристаллов [Bekker T.B., Kokh A.E., Fedorov P.P. Phase equilibria and beta-BaB2O4 crystal growth in the BaB2O4-BaF2 system // CrystEngComm. - 2011. - V.13. - pp. 3822-3826].

Известен способ роста кристаллов в прецизионной нагревательной печи, обладающей высокой симметрией и стабильностью теплового поля в системе ΒaΒ2O4 -LiF - NaF [ Simonova E., Kokh A., Shevchenko V., Kuznetsov A., Kragzhda A., Fedorov P. Growth of β-BaB2O4 crystals from solution in LiF-NaF melt and study of phase equilibria // J. Cryst. Res. Technol. 2019. doi:10.1002/crat.201800267]. Для проведения экспериментов по выращиванию кристаллов β-ΒaΒ2O4 в системе ΒaΒ2O4-LiF-NaF в платиновый тигель диаметром 80 мм и высотой 95 мм наплавляли раствор-расплав состава 0.7 ΒaΒ2O4-0.3 (0.61LiF - 0.39NaF) массой 1000 г. Ростовые эксперименты проводили в условиях снижения температуры со скоростью от 0.3-1 град/сут при одностороннем вращении кристалла со скоростью 1-1.5 об/мин., вытягивании кристалла - 0.15-0.4 мм/сут. В первом цикле роста был выращен кристалл β-BaB2O4 весом 257.2 г., 63 мм в диаметре и 34 мм в высоту. Коэффициент выхода составил 3.48 г/кг°С. Начальная температура роста равна 915°С, температурный интервал кристаллизации 26.8 °С. Во втором цикле роста вес кристалла β-BaB2O4 составил 211.2 г., 60°мм в диаметре и 32°мм в высоту. Коэффициент выхода равен 1.77 г/кг °С.

В качестве недостатка данного растворителя можно выделить, протекающий в системе, пирогидролиз фторидов лития и натрия, который происходит при нагревании и заключается во взаимодействии с парами воды с образованием HF. Вследствие пирогидролиза LiF и NaF происходит изменение изначального состава раствора-расплава, что приводит к резкому падению коэффициента выхода кристаллов ВВО в 2 раза.

Технической задачей, решаемой изобретением, является увеличение размеров кристаллов ВВО и повышение коэффициента выхода с сохранением их оптического качества, пригодных для практического применения.

Технический результат достигается тем, что выращивание кристалла ВВО осуществляют из высокотемпературного раствора-расплава, включающего расплав бората бария и комплексный растворитель на основе эвтектического состава LiF - NaF с избытком B2O3 от 3 до 7 вес.%., в прецизионной нагревательной печи, обладающей высокой симметрией и стабильностью теплового поля в системе ΒaΒ2O4 –LiF - NaF, на вращающуюся, ориентированную по направлению [0001] затравку, при скорости вытягивания кристалла от 0.15 до 0.4 мм/сутки с одновременным охлаждением раствора-расплава со скоростью от 0.3 до 1 град/сутки.

На фиг.1 представлена фотография кристалла ВВО (350 г.), выращенного в четверной взаимной системе Li, Na, Ba // BO2, F эвтектического состава 0.61 LiF- 0.39 NaF с 5%-ным (по весу) избытком B2O3; на фиг.2 - фотография кристалла ВВО (255.1 г.), выращенного в четверной взаимной системе Li, Na, Ba // BO2, F с 5%-ным (по весу) избытком B2O3 во втором ростовом цикле.

Пример.

Исходный раствор-расплав соответствует составу - 70 мол. % ΒaΒ2O4, 30 мол. % эвтектического состава (0.61 LiF - 0.39 NaF), избыток B2O3 5 вес. %. В платиновый тигель диаметром 80 мм и высотой 95 мм помещают смесь соединений BaB2O4 массой 936.38 г. (предварительно синтезированного известным способом путем твердофазного синтеза из ВаCO3 и HBO2), LiF - 31.26 г., NaF - 32.36 г., B2O3 - 14.62 г. Выращивание кристаллов ВВО осуществляют в нагревательной печи, боковой нагреватель которой состоит из трех секций для придания тепловому полю оси симметрии третьего порядка. После гомогенизации раствора-расплава температуру понижают до точки равновесия кристалла с раствором-расплавом. Рост кристаллов ВВО производят на монокристаллическую затравку сечением 5×5 мм, ориентированную вдоль направления оптической оси при одностороннем вращении со скоростью 1.3 об/мин. Температура начала кристаллизации - 920° C. Начальная скорость снижения температуры раствора-расплава составила 0.3 град/сутки, скорость вытягивания - 0.4 мм/сут. В процессе выращивания при увеличении массы кристалла скорость вытягивания плавно уменьшают до 0.15 мм/сутки, а скорость охлаждения увеличивают до 1 град/сутки. Процесс выращивания продолжался до тех пор, пока визуально не обнаруживалось значительное ухудшение прозрачности кристалла. После этого кристалл отрывали от расплава и охлаждали со скоростью 15 ° С/час до комнатной температуры. Продолжительность роста составила 59 дней, температурный интервал кристаллизации равен 90 град. Использование комплексного растворителя и заданных параметров при росте позволило получить крупный оптически однородный кристалл ВВО массой 350 г., 72 мм в диаметре и 44 мм вдоль оптической оси, характеризующихся хорошими показателями оптического качества и возможностью изготовления оптических элементов. Коэффициент выхода составил 3.83 г/кг °С

Для последующего использования приготовленного раствора-расплава после первого ростового цикла добавили синтезированный BaB2O4, масса которого соответствовала массе выращенного кристалла (350 г.). Начальная скорость снижения температуры составила 0.3 град/сутки, скорость вытягивания - 0.4 мм/сут. В процессе роста скорость вытягивания плавно уменьшают до 0.15 мм/сутки, а скорость охлаждения увеличивают до 1 град/сутки. Во втором цикле роста диаметр выращенного кристалла ВВО составил 67°мм, высота 38°мм при весе кристалла 255.1 г. Коэффициент выхода равен 3.40 г/кг·°С. Начальная температура роста составила 918 °С, температурный интервал кристаллизации 75°С.

Основное преимущество используемого растворителя - подавление стремительного пирогидролиза фторидов лития и натрия, благодаря добавлению в систему избытка B2O3, в результате чего в первом ростовом цикле получен монокристалл высокого качества весом 350 г., 72 мм в диаметре и 44 мм в высоту, не содержащий видимых включений (фиг.1). Коэффициент выхода кристалла ВВО составил 3.83 г/(кг·град), что превосходит коэффициент выхода кристалла, выращенного из состава 0.7 ΒaΒ2O4 - 0.3 (0.61 LiF-0.39 NaF) по известному способу. Во втором цикле роста вес кристалла β-BaB2O4 составил 255,1 г., 67 мм в диаметре и 38 мм в высоту. Коэффициент выхода равен 3.40 г/кг °С (фиг. 2). Таким образом, в системе с избытком B2O3 коэффициент выхода кристалла ВВО во втором цикле роста соответствует коэффициенту выхода, выращенного в первом цикле без добавления B2O3.

Согласно полученным данным, можно сделать вывод, что от первого ко второму ростовому циклу происходит незначительное уменьшение коэффициента выхода, что свидетельствует о слабой деградации раствора-расплава и значительном подавлении пирогидролиза в системе.

Заданные параметры при росте являются оптимальными и позволяют воспроизводимо получать крупные оптически однородные кристаллы ВВО. Однако данные параметры не ограничивают изобретение и включают все модификации, эквиваленты и альтернативы в пределах сущности и объема изобретения.

Способ выращивания кристалла метабората бария β-BaB2O4 (ВBO) из высокотемпературного раствора-расплава в прецизионной нагревательной печи, обладающей высокой симметрией и стабильностью теплового поля, включающего расплав бората бария ΒaΒ2O4 и комплексный растворитель на основе эвтектического состава LiF и NaF, в системе ΒaΒ2O4 -LiF - NaF, на вращающуюся ориентированную по направлению [0001] затравку, при скорости вытягивания кристалла от 0,15 до 0,4 мм/сутки с одновременным охлаждением раствора-расплава со скоростью от 0,3 до 1 град/сутки, отличающийся тем, что используют комплексный растворитель с избытком B2O3 от 3 до 7 вес. %.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области лазерной техники. Твердотельный активный элемент состоит как минимум из трех слоев, при этом слой, содержащий ионы активатора, сформирован в виде изгиба в радиальном направлении по отношению к оптической оси упомянутого элемента.

Изобретение относится к лазерной технике, а именно к импульсным твердотельным лазерам. Лазер с поперечной диодной накачкой содержит активный элемент и параллельно расположенный источник накачки в виде линейки лазерных диодов.

Изобретение относится к лазерной технике. Многолучевой электроразрядный лазер включает в себя параллельные газоразрядные трубы, расположенные вокруг центральной оси, оптический резонатор из глухого и частично отражающего зеркал, расположенный напротив торцов газоразрядных труб перпендикулярно к их оси, и две уголковые зеркальные призмы, установленные возле противоположных торцевых поверхностей газоразрядных труб.

Изобретение относится к области лазерной техники и касается способа получения последовательности идентичных фемтосекундных импульсов. Способ включает в себя разделение излучения лазера на две части, одна из которых поступает на фотодетектор, где выделяется сигнал с частотой повторения импульсов, который смешивается с сигналом синтезатора опорной частоты повторения импульсов и поступает на блок фазовой привязки частоты повторения импульсов лазера.

Изобретение относится к лазерной технике. Лазер с модуляцией добротности и синхронизацией мод содержит активную среду, два концевых зеркала и один оптический модулятор, используемый как для модуляции добротности, так и для синхронизации мод лазера.

Изобретение относится к технологии получения соединений сложных оксидов со структурой граната, солегированных редкоземельными элементами, которые могут быть применены в технологии синтеза оптических керамических материалов лазерного качества при создании активных тел твердотельных лазеров различной геометрии.

Изобретение относится к области получения наноструктурированных порошков твердых растворов на основе иттрий-алюминиевого граната, легированных редкоземельными элементами для производства керамики, используемой в качестве активной среды твердотельного лазера, термостойкого высокотемпературного электроизоляционного материала, окон или линз в оптических приборах, оптических элементах в ИК области спектра.

Изобретение относится к технологии получения соединений сложных оксидов со структурой граната, содержащих редкоземельные элементы, которые могут быть применены в технологии синтеза оптических керамических материалов лазерного качества при создании активных тел твердотельных лазеров различной геометрии.

Изобретение относится к области получения высоколегированного ионами эрбия прозрачного керамического материала со структурой иттрий-алюминиевого граната (Еr:ИАГ) для использования в качестве лазерного материала в медицине и оптической связи.

Изобретение к лазерной технике. Кольцевой объемный оптический резонатор содержит ограниченную наружной и внутренней стенками кольцевую замкнутую полость с впускным отверстием для активной среды и отводным отверстием, образующую коаксиальные поверхности, систему зеркал, установленных вдоль поверхностей полости и образующих оптическую ось в виде замкнутой ломаной линии, выпускное отверстие для излучения.

Изобретение относится к технологии получения соединений сложных оксидов со структурой граната, солегированных редкоземельными элементами, которые могут быть применены в технологии синтеза оптических керамических материалов лазерного качества при создании активных тел твердотельных лазеров различной геометрии.

Изобретение относится к технологии получения соединений сложных оксидов со структурой граната, солегированных редкоземельными элементами, которые могут быть применены в технологии синтеза оптических керамических материалов лазерного качества при создании активных тел твердотельных лазеров различной геометрии.

Изобретение относится к области получения наноструктурированных порошков твердых растворов на основе иттрий-алюминиевого граната, легированных редкоземельными элементами для производства керамики, используемой в качестве активной среды твердотельного лазера, термостойкого высокотемпературного электроизоляционного материала, окон или линз в оптических приборах, оптических элементах в ИК области спектра.

Изобретение относится к области получения наноструктурированных порошков твердых растворов на основе иттрий-алюминиевого граната, легированных редкоземельными элементами для производства керамики, используемой в качестве активной среды твердотельного лазера, термостойкого высокотемпературного электроизоляционного материала, окон или линз в оптических приборах, оптических элементах в ИК области спектра.

Изобретение относится к технологии получения соединений сложных оксидов со структурой граната, содержащих редкоземельные элементы, которые могут быть применены в технологии синтеза оптических керамических материалов лазерного качества при создании активных тел твердотельных лазеров различной геометрии.

Изобретение относится к технологии получения соединений сложных оксидов со структурой граната, содержащих редкоземельные элементы, которые могут быть применены в технологии синтеза оптических керамических материалов лазерного качества при создании активных тел твердотельных лазеров различной геометрии.

Изобретение относится к области получения высоколегированного ионами эрбия прозрачного керамического материала со структурой иттрий-алюминиевого граната (Еr:ИАГ) для использования в качестве лазерного материала в медицине и оптической связи.

Изобретение относится к области получения высоколегированного ионами эрбия прозрачного керамического материала со структурой иттрий-алюминиевого граната (Еr:ИАГ) для использования в качестве лазерного материала в медицине и оптической связи.

Изобретение относится к области лазерной техники. Способ создания лазерно-активных центров окраски в α-Al2O3 заключается в том, что простые центры окраски - кислородные вакансии, захватившие один или два электрона (F- и F+-центры), созданные при выращивании или в результате термохимической обработки исходных кристаллов, преобразуются в сложные, оптически активные в инфракрасной области спектра, F2+ и F22+-центры.

Изобретение относится к области лазерной техники. Способ создания лазерно-активных центров окраски в α-Al2O3 заключается в том, что простые центры окраски - кислородные вакансии, захватившие один или два электрона (F- и F+-центры), созданные при выращивании или в результате термохимической обработки исходных кристаллов, преобразуются в сложные, оптически активные в инфракрасной области спектра, F2+ и F22+-центры.

Изобретение относится к электрохромным устройствам. Электрохромное устройство, включающее множество слоев, содержит от низа к верху: подложку; нижний прозрачный проводящий слой, содержащий по меньшей мере один подслой разных прозрачных проводящих слоев материалов; первый электрохромный слой, содержащий по меньшей мере один подслой разных электрохромных материалов; ионопроводящий слой, содержащий по меньшей мере один подслой разных ионопроводящих материалов; второй электрохромный слой, содержащий по меньшей мере один подслой разных электрохромных материалов; и верхний прозрачный проводящий слой, содержащий по меньшей мере один подслой разных прозрачных проводящих слоев материалов.

Изобретение относится к получению монокристаллов метабората бария ΒaΒ2O4, применяемых в лазерных системах. Рост кристалла ВВО осуществляют в прецизионной нагревательной печи, обладающей высокой симметрией и стабильностью теплового поля из высокотемпературного раствора-расплава, включающего расплав бората бария ΒaΒ2O4 и комплексный растворитель на основе эвтектического состава LiF - NaF с избытком B2O3 от 3 до 7 вес. , на вращающуюся ориентированную по направлению [0001] затравку, при скорости вытягивания кристалла от 0,15 до 0,4 ммсутки с одновременным охлаждением раствора-расплава со скоростью от 0,3 до 1 градсутки. Технический результат - увеличение размеров кристаллов ВВО и повышение коэффициента выхода с сохранением их оптического качества. 2 ил., 1 пр.

Наверх