Прозрачный электрод с асимметричным пропусканием света и способ его изготовления



Прозрачный электрод с асимметричным пропусканием света и способ его изготовления
Прозрачный электрод с асимметричным пропусканием света и способ его изготовления
Прозрачный электрод с асимметричным пропусканием света и способ его изготовления
Прозрачный электрод с асимметричным пропусканием света и способ его изготовления
H01L21/00 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]

Владельцы патента RU 2710481:

федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО) (RU)

Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания сенсорных экранов, солнечных батарей, конструкция которых включает элементы, одновременно прозрачные для света и проводящие электрический ток. Прозрачный электрод с асимметричным пропусканием света, содержит прозрачную подложку, выполненную из гибкого материала, на которую нанесен проводящий слой из Al с упорядоченно расположенными отверстиями, покрытыми прозрачными сферическими микрочастицами, что обеспечивает более широкую область применения устройства. В алюминиевой пленке выполнены отверстия радиуса 300-700 нм, расположенные в виде гексагональной решетки, которая обеспечивает плотную упаковку фокусирующих микросфер, покрывающих отверстия. Наложенные на отверстия прозрачные сферы реализуют эффект фотонного наноджета и коллимируют падающее на них оптическое излучение в проходящие через отверстия пучки диаметром меньше длины волны падающего излучения и значительно меньше радиуса сферы. Система отверстий в проводящем слое, соответствующая плотной упаковке микросфер, создается методом микросферной фотолитографии. Плотноупакованные монослои микросфер наносятся методом центрифугирования. Технический результат заключается в расширении области применения пригодного для производства в промышленных масштабах, в том числе с применением рулонных технологий, и решается задача расширения функциональных возможностей прозрачного электрода. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

 

Предполагаемое изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания сенсорных экранов, солнечных батарей, конструкция которых включает элементы, одновременно прозрачные для света и проводящие электрический ток - прозрачные электроды.

Известно несколько вариантов прозрачных электродов, основными из которых являются сплошные слои ITO (Indium tin oxide - оксид индия-олова) (Genesio G., Maynadie J., Carboni, M., et al. "Recent status on MOF thin films on transparent conductive oxides substrates (ITO or FTO)" New Journal of Chemistry. 2018. V. 42 P. 2351-2363) и подобных материалов, графена и углеродных нанотрубок ( E.J., L.J., L.M., E.M., A. Transparent Electrodes: A Review of the Use of Carbon-Based Nanomaterials // Journal of Nanomaterials. 2016. V. 2016. Article ID 4928365, 12 pages; Kim C.-L., Jung C.-W., Oh Y.-J., Kim D.-E. A highly flexible transparent conductive electrode based on nanomaterials // NPG Asia Materials. 2017. V. 9. P e438), a также металлические наносетки (Huang S. et al, "A Highly Stretchable and Fatigue Free Transparent Electrode Based on an In Plane Buckled Au Nanotrough Network", Advanced Electronic Materials, 2017. V. 3(3)). Некоторые из таких электродов могут быть сделаны гибкими, к недостатком можно отнести тот факт, что ни один из перечисленных подходов не обеспечивает асимметрии пропускания света.

Известна конструкция прозрачного электрода с большим значением асимметрии пропускания света, основанная на фотонно-кристаллической структуре (Klimov V.V., Treshin I.V., Shalin A.S., Melentiev P.N., Kuzin A.A., Afanasiev A.E., Balykin V.I. "Optical Tamm state and giant asymmetry of light transmission through an array of nanoholes" Physical Review A V.92, 063842 (2015)), представляющая собой брэгговское многослойное диэлектрическое зеркало (чередующиеся слои MgF2 и TiO2 разной толщины), нанесенное на оксид алюминия и покрытое с другой стороны перфорированным слоем золота с периодом расположения отверстий 2 мкм, недостатком которой является очень слабое пропускание излучения при наличии асимметрии (доли процента от падающего света), а также сильная зависимость параметров от длины волны света.

Наиболее близким к предполагаемому изобретению и принятым в качестве прототипа является прозрачный электрод с асимметричным пропусканием света (Kovrov А.Е., Baranov D.A., Shalin A.S., Mukhin I.S., Simovski C.R. "Optically asymmetric structures for transparent electrodes", Proceedings of the International Conference Days on Diffraction 2016, pp. 234-236). Этот электрод представляет собой нанесенную на кварцевую подложку перфорированную золотую или серебряную пленку, упорядочение расположенные отверстия, которые покрыты сферическими микролинзами из полистирола, кварца или оксида титана диаметром от 2 до 40 длин волн. Такая конструкция характеризуется низким удельным сопротивлением, сопоставимым с сопротивлением чистого металла (<5 Ом/кв), высокой прозрачностью в оптическом диапазоне и значительной асимметрией пропускания: отношение коэффициента пропускания в прямом и обратном направлениях может превышать 4.7 при коэффициенте пропускания 91%. Однако такому электроду с асимметричным пропусканием света присущи следующие недостатки:

- он не является гибким, что сужает область его применения и исключает возможность его изготовления с использованием производительных рулонных (roll-to-roll) технологий;

- перфорирование проводящей пленки выполнено методом электронной литографии, который не позволяет получать образцы большого размера;

- использованные для изготовления проводящего слоя золото или серебро дороги.

Среди способов изготовления прозрачного электрода на основе перфорированного проводящего металлического слоя можно выделить фотолитографию через маску-шаблон [Ito, Т. and Okazaki, S., 2000. Pushing the limits of lithography. Nature, 406(6799), p. 1027], прямую литографию с использованием сфокусированного лазерного излучения [Cheng, Y., Huang, T.Y. and Chieng, C.C., 2002. Thick-film lithography using laser write. Microsystem Technologies, 9(1-2), pp. 17-22], а также литографию с применением сфокусированных пучков заряженных частиц, например, электронов или ионов [Watt, Е, Bettiol, А.А., Van Kan, J.A., Тео, E.J. and Breese, M.B.H., 2005. Ion beam lithography and nanofabrication: a review. International Journal of Nanoscience, 4(03), рр. 269-286]. Недостатками данных подходов являются необходимость использования заранее созданных фотошаблонов и низкая производительность методов.

Наиболее близким к предполагаемому способу создания прозрачного проводящего электрода и принятым в качестве прототипа является метод фотолитографии через массив полистироловых или стеклянных микросфер, упорядоченно расположенных на фоточувствительном слое резиста [Jiang, P., Prasad, Т., McFarland, M.J. and Colvin, V.L., 2006. Two-dimensional nonclose-packed colloidal crystals formed by spincoating. Applied Physics Letters, 89(1), р. 011908]. В данном способе на поверхность фоторезиста с помощью метода центрифугирования наносится упорядоченный слой микросфер из взвеси. Далее проводится экспонирование светом в УФ диапазоне с использованием несфокусированного излучения. Каждая микросфера выступает в качестве миниатюрной линзы, концентрирующей падающее излучение в область непосредственно в место контакта сферы и резиста. Во время проведения этапа проявления резиста микросферы смываются, и в слое фоторезиста формируется упорядоченный массив отверстий субмикронного диаметра, который далее используется в качестве шаблона для формирования массива отверстий в металлическом слое. Недостатком данного способа является неконтролируемое удаление массива микросфер во время технологических процессов проявления резиста.

Решается задача расширения области применения пригодного для производства в промышленных масштабах, в том числе, с применением рулонных технологий, и решается задача расширения функциональных возможностей за счет введения асимметрии пропускания света и гибкости электрода, а также удешевления способа его производства.

Сущность заключается в том, что прозрачный электрод с асимметричным пропусканием света, содержит прозрачную подложку выполненную из гибкого материала, на которую нанесен проводящий слой с упорядочение расположенными отверстиями, покрытыми прозрачными сферическими микрочастицами. Проводящий слой выполнен из алюминия Al.

Подложка прозрачного электрода с асимметричным пропусканием света, содержащая нанесенный на нее проводящий слой с упорядоченно расположенными отверстиями, покрытыми прозрачными сферическими микрочастицами, выполнена из гибкого материала, например, полимерного.

1. Проводящий слой прозрачного электрода с асимметричным пропусканием света, содержащий нанесенный на прозрачную подложку проводящий слой с упорядоченно расположенными отверстиями, покрытыми прозрачными сферическими микрочастицами, выполнен из алюминия или иного металла, более дешевого, чем золото и серебро.

2. Перфорирование прозрачного электрода с асимметричным пропусканием света, содержащего нанесенный на прозрачную подложку проводящий слой с упорядоченно расположенными отверстиями, покрытыми прозрачными сферическими микрочастицами, выполняется методом фотолитографии через микросферы с экспонированием фоторезиста плоским пучком актиничного излучения через предварительно нанесенный на него слой микросфер, размер которых совпадает с размером микросфер, входящих впоследствии в конструкцию электрода.

3. Нанесение массива микросфер на поверхность проводящего слоя с упорядоченно расположенными отверстиями производится методом центрифугирования из взвеси. Предлагаемая в качестве прозрачного электрода структура представляет собой металлическую пленку субмикронной толщины, нанесенную на гибкую прозрачную подложку из полимера, например, такого как поли диметил сил океан. В металлической пленке выполнены отверстия радиуса 300-700 нм; наиболее эффективно их расположение в виде гексагональной решетки, которая обеспечивает плотную упаковку фокусирующих микросфер, покрывающих отверстия. Наложенные на отверстия прозрачные сферы реализуют эффект фотонного наноджета и коллимируют падающее на них оптическое излучение в проходящие через отверстия пучки диаметром меньше длины волны падающего излучения и значительно меньше радиуса сферы.

Система отверстий в проводящем слое, соответствующая плотной упаковке микросфер, создается методом микросферной фотолитографии в ходе выполнения последовательных операций:

1) нанесения позитивного фоторезиста на подготовленный проводящий слой без отверстий, напыленный на исходную подложку,

2) нанесения на фоторезист из водной суспензии микросфер с малым разбросом по диаметру, образующих благодаря силам поверхностного натяжения слой с упаковкой, близкой к плотной гексагональной, характерные размеры которой задаются диаметром микросфер,

3) экспонирования фоторезиста плоским пучком актиничного излучения через микросферы, которые при этом фокусируют излучение в местах последующей локализации отверстий,

4) удаления микросфер,

5) проявления фоторезиста,

6) травления металлического слоя до достижения оптимального диаметра отверстий,

7) удаления фоторезиста.

В дальнейшем на перфорированный слой наносятся микросферы, аналогичные по диаметру сферам, использованным при экспонировании фоторезиста; их пространственное расположение воспроизводят расположение микросфер в ходе формирования перфорированного слоя, и сфокусированные ими световые пучки проходят через вытравленные в нем отверстия.

Как известно из литературы, выбором оптимального размера отверстий в металлической пленке, который регулируется режимами проявления и травления при перфорировании проводящего слоя, можно обеспечить нерезонансность (широкополосность) свойств предлагаемого покрытия. Значительная асимметрия пропускания обеспечивается тем, что при падении света со стороны сфер последние направляют попадающий на них свет в отверстия, суммарная площадь которых значительно меньше площади, покрываемой частицами (при плотной упаковке поперечное сечение сфер перекрывает 91% площади поверхности) и участвующей в сборе попадающего на нее света. При падении света с обратной стороны электрода пропускание определяется в основном суммарной площадью отверстий в перфорированном слое, малой по сравнению с общей площадью поверхности. Асимметрия пропускания света рассматриваемого прозрачного электрода расширяет функциональность и область применения данного электрода, в частности, при интеграции с элементами двойного назначения, работающими и как солнечный элемент при освещении внешним источником фотонов, так и работающими в режиме излучения света при приложении к электродам внешнего электрического напряжения. Использование основной подложки из материала, обладающего гибкостью, расширяет функционального прозрачного электрода, что обеспечивает его применимость в системах, испытывающих внешние механические напряжения и нагрузки.

Сущность изобретения поясняется фиг. 1-5, где

- на фиг. 1 приведено схематическое изображение оптически асимметричного электрода (вид сбоку): слой микросфер 1, металлическая пленка 2, подложка 3.

- на фиг. 2 приведено схематическое изображение оптически асимметричного электрода (вид сверху): слой микросфер 1, расположенных на цилиндрических отверстиях в металлической пленке 2, образующих гексагональную решетку.

- на фиг. 3 приведены графики зависимостей коэффициента пропускания света прозрачным электродом в прямом направлении (со стороны слоя микросфер) и асимметрии пропускания (отношения коэффициентов пропускания в прямом и обратном направлениях). Материал сфер - полистирол, их диаметр 1.3 мкм, толщина перфорированного проводящего слоя 100 нм.

- на фиг. 4 приведены графики зависимостей коэффициентов прямого (Tf) и обратного (Tb) пропускания света и электрического сопротивления (Rs) от радиуса отверстия. Материал сфер - полистирол, их диаметр 1.3 мкм, толщина перфорированного проводящего слоя 100 нм.

- на фиг. 5 приведена электронная микрофотография участка поверхности электрода со слоем микросфер 1 изготовленного методом микросферной фотолитографии.

Асимметрия пропускания в данной системе возрастает с увеличением радиуса сфер при фиксированном радиусе отверстий за счет подавления обратного пропускания при сохранении прямого и, соответственно, может задаваться на этапе изготовления выбором режима перфорирования. Эффект фокусировки излучения микросферами сохраняется при увеличении диаметра микросфер до более чем 10 мкм и, в первом приближении, чем больше диаметр микросфер, тем выше эффект асимметрии при сохранении высокого пропускания.

При увеличении радиуса отверстий при фиксированном радиусе сфер пропускание в прямом направлении быстро нарастает, после чего выходит на плато. Обратное пропускание нарастает медленно, и асимметрия пропускания (отношение пропускания в прямом и обратном направлениях) характеризуется максимумом при радиусе отверстий порядка 100 нм (фиг. 3). Эффект асимметрии не имеет выраженной спектральной зависимости во всем видимом диапазоне.

Поскольку проводящая подложка представляет собой металлическую пленку, отверстия в которой занимают малую часть ее площади, проводимость предлагаемого прозрачного электрода (менее 1 Ом/квадрат, фиг. 3) практически не отличается от проводимости металлической пленки и существенно превышает проводимость существующих аналогов. Проведенные измерения показывают, что требуемые оптические и электрические параметры электрода достигаются и при изготовлении проводящего слоя из, например, алюминия, который на порядки дешевле золота и в несколько раз дешевле серебра. Прозрачный электрод изготавливался с помощью установки термического напыления BockEdwards Auto 500, обеспечивающей напыление слоя Al (металлическая пленка 2 на фиг. 1). Нанесение фоторезиста и массива микросфер (слой микросфер 1 на фиг. 1 и фиг. 2) из взвеси выполнялось с помощью установки центрифугирования CarlSuss. Оптическое экспонирование на длине волны 405 нм реализовывалось с помощью установки оптической литографии CarlSuss MJB4. Измерение электрических характеристик электрода выполнялось с помощью модуля источника-измерителя Keithly. Оптические свойства прозрачного электрода измерялись при помощи конфокального лазерного микроскопа LSM710 (Carl Zeiss). Микроскопические изображения массива микросфер 3 на фиг. 5 формировались с помощью сканирующего электронного микроскопа Carl Zeiss.

Предполагаемое изобретение имеет следующие преимущества в сравнении с прототипом: гибкость, расширенные функциональные возможности и область применения за счет асимметрии пропускания, дешевизна и возможность изготовления изделий большого размера, в том числе с использованием рулонных технологий.

1. Способ изготовления прозрачного проводящего электрода с асимметричным пропусканием света, заключающийся в нанесении на поверхность подложки оптического резиста и затем - слоя микросфер методом центрифугирования из заранее приготовленной взвеси микросфер, проведении фотолитографии при засветке всей поверхности подложки со слоем микросфер излучением ультрафиолетового диапазона, проявлении резиста и удалении слоя микросфер жидкостным методом для формирования упорядоченного массива отверстий в резисте, отличающийся тем, что перед нанесением резиста на поверхность подложки напыляют тонкий слой металла методом термического осаждения в вакууме, после проявления резиста проводят жидкостное травление слоя металла для его перфорирования и повторное нанесение массива микросфер методом центрифугирования, причем диаметр микросфер совпадает с расстояниями между центрами отверстий.

2. Способ создания прозрачного электрода с асимметричным пропусканием света по п. 1, отличающийся тем, что процесс фотолитографии проводят на подложке из гибкого материала.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора. Согласно изобретению способ изготовления полупроводникового прибора реализуется следующим образом: на подложках кремния р-типа проводимости формируют инверсный карман имплантацией ионов фосфора с энергией 150 кэВ, дозой 2,0*1013 см-2, с разгонкой в окислительной среде в течение 15 мин при температуре 1150°С и образованием слоя диоксида кремния, затем в инертной среде - 45 мин и имплантацией бора через слой диоксида кремния с энергией 150 кэВ, дозой 1,5*1013 см-2, с последующей разгонкой при температуре 1150°С в инертной среде в течении 90 мин.

Изобретение относится к применению по меньшей мере одного бинарного соединения элемента группы 15 в качестве эдукта в методике осаждения из паровой фазы. Бинарное соединение элемента группы 15 описывается общей формулой в которой R1 и R2 независимо друг от друга выбраны из группы, включающей алкильный радикал (С1-С10), R3=R4=Н и Е и Е' независимо друг от друга выбраны из группы, включающей N, Р, As и Bi, в которой Е=Е' или Е ≠ Е', и в котором гидразин и его производные исключены из указанного применения, и/или бинарное соединение элемента группы 15 описывается общей формулой в которой R5, R6 и R7 независимо друг от друга выбраны из группы, включающей Н, алкильный радикал (C1-С10), и Е и Е' независимо друг от друга выбраны из группы, включающей N, Р, As и Bi, в которой Е=Е' или Е ≠ Е'.

Изобретение относится к способу изготовления рентгенолитографического шаблона, т.е. маски для рентгеновской литографии, рентгенолитографической маски, рентгеновского шаблона, для формирования резистивной маски или скрытого изображения в рентгеночувствительных материалах способом трафаретной рентгеновской литографии.

Изобретение относится к нанотехнологии, а именно к способу выращивания многослойных наногетероэпитаксиальных структур с массивами идеальных квантовых точек (НГЭС ИКТ).

Данное изобретение относится к мишени, в частности к распыляемой мишени, способу ее получения и способу вакуумного напыления с использованием упомянутой мишени. Мишень содержит пластину, состоящую из хрупкого материала, и монтажную пластину, которая скреплена по поверхности с пластиной мишени.

Изобретение относится к области обработки поверхностей кремниевой полупроводниковой пластины полупроводника или подобных изделий, и, в частности, оно относится к устройству и способу обработки полупроводников.

Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов.

Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов.

Использование: для изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для отделения от подложки композитной структуры на основе полупроводниковой пленки содержит оправку для крепления композитной структуры с эпитаксиальной полупроводниковой пленкой, жестко связанной посредством жертвенного слоя с ростовой подложкой, и прикрепляемой к оправке со стороны композитной структуры, средства изгибания композитной структуры для облегчения травления жертвенного слоя и отделения от подложки композитной структуры с эпитаксиальной полупроводниковой пленкой в резервуаре, заполняемом травителем, при этом оправка выполнена в виде мембраны-носителя с одной плоской торцевой поверхностью, предназначенной для крепления композитной структуры, а второй – криволинейной - для изгиба композитной структуры, с толщиной, уменьшающейся в направлении от центра к периферии мембраны-носителя, и со сквозными отверстиями, с диаметром отверстий и распределением их по площади торцевой поверхности с увеличением их плотности от центра к периферии, в совокупности обеспечивающими равномерность прижима и сохранность композитной структуры, средства изгибания выполнены в составе основания, дренажной трубки, упора, гофрированного сильфона, мембраны-носителя, при этом в центральной части основания сформировано сквозное отверстие, в котором с одной стороны основания герметично закреплена дренажная трубка, а с другой - упор, состоящий из полой ножки и соединенной с ней выпуклой крышки, ножка упора герметично закреплена в отверстии основания и снабжена в боковой части сквозным отверстием, мембрана-носитель криволинейной поверхностью ориентирована к стороне основания, относительно которой в отверстии закреплен упор, и установлена своей центральной частью относительно упора с зазором, устраняемым при закреплении и изгибании композитной структуры на мембране-носителе, между мембраной-носителем и основанием расположен герметично соединенный с ними гофрированный сильфон с возможностью формирования ограниченного основанием, сильфоном и мембраной-носителем рабочего объема устройства, с возможностью изменения в нем давления посредством отверстия в упоре и дренажной трубки для закрепления композитной структуры к мембране-носителю за счет сквозных отверстий мембраны-носителя и изгибания закрепленной композитной структуры и мембраны-носителя, жесткость сильфона пренебрежимо мала по сравнению с жесткостью мембраны-носителя.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, а именно к получению пластин монокристалла широкозонного нитрида галлия (GaN) с гексагональной кристаллической решеткой.

В соответствии с вариантами осуществления данного изобретения предлагаются матричная подложка и устройство отображения. Блок пикселей содержит первый субпиксельный электрод и второй субпиксельный электрод, первый субпиксельный электрод соединен со стоком первого TFT, а второй субпиксельный электрод соединен со стоком второго TFT; сопротивление между истоком первого TFT и шиной данных, соединенной с первым TFT, больше, чем сопротивление между истоком второго TFT и шиной данных, соединенной со вторым TFT; и/или сопротивление между стоком первого TFT и первым субпиксельным электродом больше, чем сопротивление между стоком второго TFT и вторым субпиксельным электродом.

В соответствии с вариантами осуществления данного изобретения предлагаются матричная подложка и устройство отображения. Блок пикселей содержит первый субпиксельный электрод и второй субпиксельный электрод, первый субпиксельный электрод соединен со стоком первого TFT, а второй субпиксельный электрод соединен со стоком второго TFT; сопротивление между истоком первого TFT и шиной данных, соединенной с первым TFT, больше, чем сопротивление между истоком второго TFT и шиной данных, соединенной со вторым TFT; и/или сопротивление между стоком первого TFT и первым субпиксельным электродом больше, чем сопротивление между стоком второго TFT и вторым субпиксельным электродом.

Настоящее изобретение относится к панелям жидкокристаллического дисплея (LCD). Панель содержит: источник подсветки; подложку матрицы, расположенную на источнике подсветки; матрицу светочувствительных устройств, выполненную на подложке матрицы; схему управления, соединенную с матрицей светочувствительных устройств.

Настоящее изобретение относится к подложке матрицы и сенсорной панели. Подложка матрицы содержит слой электродов пикселей, первый слой сенсорного электрода и изолирующий слой и второй слой сенсорного электрода, расположенные последовательно на первом слое сенсорного электрода.

Изобретение относится к подложке матрицы и жидкокристаллическому устройству отображения. Подложка матрицы представляет собой прямоугольную подложку, протяженную вдоль направления оси x и направления оси y, а направление оси x и направление оси y перпендикулярны друг другу.

Изобретение относится к технологии 3D дисплеев, в частности к жидкокристаллической 3D панели с технологией «невооруженным взглядом». Жидкокристаллическая 3D (трехмерная) панель с технологией «невооруженным глазом» содержит первую подложку; вторую подложку, расположенную напротив первой подложки; и жидкокристаллический слой, расположенный между первой подложкой и второй подложкой.

Использование: для создания жидкокристаллических панелей. Сущность изобретения заключается в том, что подложка матрицы включает по меньшей мере одну линию данных, по меньшей мере одну линию сканирования и пиксель, определяемый этими линией данных и линией сканирования, пиксель включает тонкую пленку ITO и по меньшей мере один металлический слой ниже тонкой пленки ITO, тонкая пленка ITO электрически соединяется с металлическим слоем через сквозное отверстие, тонкая пленка ITO включает прорезь, расположенную между тонкой пленкой ITO и сквозным отверстием и расположенную так, чтобы избежать возникновения линий дисклинации для улучшения эксплуатационных характеристик дисплея, причем длина и ширина прорези больше чем 2,5 мкм, причем пиксель включает тонкопленочный транзистор.

Изобретение относится к области изготовления дисплеев и, в частности, к подложке матрицы и панели жидкокристаллического дисплея. Подложка матрицы включает первые линии развертки (ПЛР), расположенные строками, вторые линии развертки (ВЛР), расположенные строками, линии данных (ЛД), пиксельные блоки, расположенные строками, и общий электрод (ОЭ), используемый для подвода общего напряжения.

Изобретение относится к технологиям производства дисплеев. В дисплейном устройстве каждый из веерных проводников включает первые металлические полосы в определенном количестве на стеклянной подложке, которая расположена в направлении прохождения веерного проводника и отделена; изолирующий слой, покрывающий каждую из частей первой металлической полосы и снабженный первым сквозным отверстием и вторым сквозным отверстием; и вторую металлическую полосу, расположенную на изолирующем слое и контактирующую с каждой из частей первой металлической полосы через первое сквозное отверстие и второе сквозное отверстие.
Устройство включает пару подложек и жидкокристаллический слой, помещенный между парой подложек. Одна из пары подложек включает в себя линии сканирования, сигнальные линии, линии накопительного конденсатора, тонкопленочные транзисторы, подключенные к линиям сканирования и сигнальным линиям, и электроды пикселей, подключенные к тонкопленочным транзисторам, а другая - противоэлектрод.

Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания сенсорных экранов, солнечных батарей, конструкция которых включает элементы, одновременно прозрачные для света и проводящие электрический ток. Прозрачный электрод с асимметричным пропусканием света, содержит прозрачную подложку, выполненную из гибкого материала, на которую нанесен проводящий слой из Al с упорядоченно расположенными отверстиями, покрытыми прозрачными сферическими микрочастицами, что обеспечивает более широкую область применения устройства. В алюминиевой пленке выполнены отверстия радиуса 300-700 нм, расположенные в виде гексагональной решетки, которая обеспечивает плотную упаковку фокусирующих микросфер, покрывающих отверстия. Наложенные на отверстия прозрачные сферы реализуют эффект фотонного наноджета и коллимируют падающее на них оптическое излучение в проходящие через отверстия пучки диаметром меньше длины волны падающего излучения и значительно меньше радиуса сферы. Система отверстий в проводящем слое, соответствующая плотной упаковке микросфер, создается методом микросферной фотолитографии. Плотноупакованные монослои микросфер наносятся методом центрифугирования. Технический результат заключается в расширении области применения пригодного для производства в промышленных масштабах, в том числе с применением рулонных технологий, и решается задача расширения функциональных возможностей прозрачного электрода. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Наверх