Способ ионной очистки в скрещенных электрических и магнитных полях перед вакуумной ионно-плазменной обработкой

Изобретение относится к металлургической промышленности, а именно к химико-термической обработке поверхности деталей. Способ вакуумной ионно-плазменной очистки деталей включает загрузку в камеру предварительно очищенных от загрязнений деталей, получение в ней вакуума и проведение ионной очистки. Перед проведением ионной очистки камеру продувают аргоном в течение 2-5 мин при давлении 1330 Па, затем откачивают до давления 5-15 Па, а ионную очистку проводят при напряжении 800-900 В в газовой плазме инертного газа повышенной плотности, которую получают в тлеющем разряде с наложением скрещенных электрического и магнитного полей. Обеспечивается повышение эффективности вакуумной ионно-плазменной обработки. 1 ил., 1 пр.

 

Изобретение относится к металлургической промышленности, а именно к химико-термической обработке поверхности изделий.

Известен способ комплексной обработки изделий (Патент РФ 2039843, С23С 14/00, 03.03.1992), в котором процесс очистки и нагрева изделия проводят при воздействии пучка ускоренных частиц с энергией выше порога распыления материала подложки, генерируемых автономным источником.

Недостатками данного способа являются:

- необходимость создания сложного технологического оборудования;

- ограничения по обработке деталей с сложным геометрическим профилем.

Известен способ очистки подложек перед вакуумным напылением с применением сеточного полого катода, в котором для ионной очистки используется цилиндрический полый катод диаметром 65 и длинной 130 мм, изготовленный из сетки с шагом 2,5 мм, выполненный из нержавеющей стали с помощью которого создается плазма повышенной плотности (Рогов А.В., Лозован А.А. Применение сеточного полого катода для очистки подложек перед вакуумным напылением // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - №. 5. - С. 99-103.)

Недостатками данного способа являются:

- ограничения по обработке деталей с сложным геометрическим профилем;

- попадание материала сеточного полого катода на подложку.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффекту к заявляемому является способ вакуумной ионно-плазменной обработки (патент РФ 2122602, С23С 14/48. 24.11.1998), по которому производят загрузку в камеру предварительно очищенных от загрязнений деталей, получение в ней рабочего вакуума, проведение ионной очистки в среде инертного газа с помощью источника газовой плазмы на основе дугового разряда с накаленным катодом и вакуумное ионно-плазменное упрочнение, при этом перед ионной очисткой проводят электронный разогрев детали до температуры начала ионно-вакуумного упрочнения.

Недостатками прототипа являются:

- длительность процесса очистки в связи с необходимостью в предварительном электронном нагреве;

- ухудшение качества поверхности в связи с тем, что при проведении процесса в данном типе разряда возможно попадание продуктов эрозии катода на поверхность обрабатываемых изделий;

- неравномерное распределение плотности ионного тока.

Задачей предлагаемого изобретения является повышение эффективности вакуумной ионной очистки.

Техническим результатом является повышение эффективности вакуумной ионно-плазменной обработки.

Задача решается, а технический результат достигается тем, что в способе вакуумной ионно-плазменной очистке деталей включающем загрузку в камеру предварительно очищенных от загрязнений деталей, получение в ней вакуума и проведение ионной очистки, в отличие от прототипа, перед проведением ионной очистки камеру продувают аргоном в течение 2-5 мин при давлении 1330 Па, затем откачивают до давления 5-15 Па, а ионную очистку проводят при напряжении 800-900 В в газовой плазме инертного газа повышенной

плотности, которую получают в тлеющем разряде с наложением скрещенных электрического и магнитного полей.

Качество модифицированного слоя и покрытий зависит как от параметров вакуумной ионно-плазменной обработки, так и от состояния поверхности обрабатываемой детали. Состояние поверхности детали зависит от условия предварительной обработки. Поэтому для улучшения качества получаемого упрочненного слоя и покрытий, необходимо удалить все имеющиеся загрязнения с поверхности (очистить поверхность). Грубые загрязнения удаляют механическим способом и химическим способом. Но после таких методов остается поверхностный слой, насыщенный примесными атомами, который отрицательно влияет на диффузию, адгезию, и как следствие на эффективность процесса в целом. При ионной очистке удаляются все поверхностные примеси, также происходит активация поверхности. Притом эффективность и скорость ионной очистки зависит от типа используемых ионов (газовые, металлические), их энергии и плотности тока [Белоус В.А. и др. Радиационные технологии модификации поверхности. I. Ионная очистка и высокодозовая имплантация //Физическая инженерия поверхности. - 2003]. При наложении скрещенных электрических и магнитных полей часть электронов удерживаются в прикатодной области, и происходит дополнительная ионизации газа, что способствует к увеличению плотности тока. Поэтому применение ионной очистки в скрещенных электрических и магнитных полях имеет преимущество по времени и эффективности очистки перед традиционными способами за счет более высокой плотности тока.

Существо изобретения поясняет чертеж, на котором изображена схема реализации способа

Пример конкретной реализации способа.

Способ осуществляется с помощью установки, содержащей источники питания 1 и 2, вакуумную камеру 3, электромагнитную систему 4,

электрод-анод 5, катод - подложку 6, изоляторы 7 и обрабатываемые детали 8. В вакуумной камере 3 подложку 6, на которой располагают детали 8, подключают к отрицательному электроду (катоду) 6, герметизируют вакуумную камеру 3 и откачивают воздух до давления 10 Па. После эвакуации воздуха камеру продувают аргоном в течение 2-5 мин при давлении ~1330 Па, затем откачивают вакуумную камеру 3 до давления 5-15 Па, включают источник питания магнитной системы и подают на электроды анод 5 и катод (подложка с деталями) 6 разность потенциалов с помощью источника питания 1 и зажигают тлеющий разряд. При напряжении 800-900 В осуществляется ионная очистка в плазме повышенной плотности. После 5-7 - минутной обработки по режиму катодного распыления напряжение понижают до рабочего, включают форвакуумный насос и откачивают аргон из вакуумной камеры, далее напускают рабочий газ и проводят процесс химико-термической обработки.

Предлагаемый способ позволяет проводит предварительную ионную очистку поверхности деталей перед вакуумной ионно-плазменной обработкой в плазме повышенной плотности, получаемой в тлеющем разряде с наложением скрещенных электрических и магнитных полей, за счет чего повышается качество последующего упрочнения, сглаживаются микронеровности и микроцарапины, полученные в процессе механической полировки.

Способ вакуумной ионно-плазменной очистки деталей, включающий загрузку в камеру предварительно очищенных от загрязнений деталей, получение в ней вакуума и проведение ионной очистки, отличающийся тем, что перед проведением ионной очистки камеру продувают аргоном в течение 2-5 мин при давлении 1330 Па, затем откачивают до давления 5-15 Па, а ионную очистку проводят при напряжении 800-900 В в газовой плазме инертного газа повышенной плотности, которую получают в тлеющем разряде с наложением скрещенных электрического и магнитного полей.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области технологии машиностроения, а именно к зубчатым передачам, и предназначено для обеспечения высокой износостойкости зубчатого зацепления, позволяет повысить долговечность зубчатых передач.

Изобретение относится к области энергетического машиностроения и может быть использовано для защиты от эрозионного износа стальных рабочих лопаток влажнопаровых ступеней турбин, подвергающихся высокоскоростному каплеударному воздействию в коррозионно-активных средах при повышенных усталостных нагрузках.

Изобретение относится к области электротехники, а именно к полностью твердотельному тонкопленочному источнику электрического тока, в частности к тонкопленочному псевдоконденсатору с твердым неорганическим Li+-ионным электролитом, предназначенным для применения в различных микроэлектронных устройствах, например в сверхминиатюрных накопителях электрической энергии для медицинских устройств.

Изобретение относится к ионно-плазменной технологии и может быть использовано для упрочнения режущего инструмента. Способ комбинированного упрочнения режущего инструмента включает заполнение газовой плазмой рабочей вакуумной камеры с установленным внутри нее режущим инструментом, нагрев и выдержку режущего инструмента в азотной плазме и синтез на его поверхности из плазмы износостойкого покрытия.
Изобретение относится к области медицины, а именно к раневому покрытию с пролонгированным лечебным действием. Раскрыто раневое покрытие, содержащее частицы металла, обладающего биологической активностью по отношению к патогенной микрофлоре, нанесенного на основу с помощью магнетронного напыления в вакуумной камере.

Изобретение относится к ионно-плазменной установке для нанесения покрытий на поверхность металлических внутрисосудистых стентов, преимущественно из оксинитрида титана.

Изобретение относится к способу формирования на поверхности изделия из алюминиевого сплава износостойкого слоя и может быть использовано для повышения надежности и долговечности широкого ассортимента деталей машин из алюминиевых сплавов.

Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TiхW1-xO3 относится к устройствам, используемым в электронике, оптоэлектронике, архитектуре, автомобилестроении и др.

Изобретение относится к составной мишени для магнетронного распыления. Мишень содержит плоскую нижнюю базовую часть, изготовленную из первого компонента осаждаемого на подложку материала пленки, и как минимум одну размещенную на указанной нижней базовой части верхнюю накладную часть, изготовленную из второго компонента осаждаемого на подложку материала пленки и имеющую площадь распыляемой поверхности, обеспечивающую требуемую мольную долю этого компонента в составе осаждаемого на подложку как минимум двухкомпонентного материала пленки.

Настоящее изобретение относится к режущему инструменту с покрытием для механической обработки металла, такой как механическая обработка с формированием стружки, к способу изготовления указанного режущего инструмента с покрытием и режущей пластине, выполненной в виде режущего инструмента с покрытием.

Изобретение относится к металлургической промышленности, а именно к химико-термической обработке поверхности деталей. Способ вакуумной ионно-плазменной очистки деталей включает загрузку в камеру предварительно очищенных от загрязнений деталей, получение в ней вакуума и проведение ионной очистки. Перед проведением ионной очистки камеру продувают аргоном в течение 2-5 мин при давлении 1330 Па, затем откачивают до давления 5-15 Па, а ионную очистку проводят при напряжении 800-900 В в газовой плазме инертного газа повышенной плотности, которую получают в тлеющем разряде с наложением скрещенных электрического и магнитного полей. Обеспечивается повышение эффективности вакуумной ионно-плазменной обработки. 1 ил., 1 пр.

Наверх