Состав для удаления полиимидного материала



Владельцы патента RU 2711532:

Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (АО "НПП "Пульсар") (RU)
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)

Изобретение относится к приборостроению, в частности к составам для удаления с изделий имидизированного полиимидного лака. Состав для травления полиимидного материала содержит органический амин, состоит из диметилсульфоксида (ДМСО), диметилформамида (ДМФА). Органическим амином является полиэтиленполиамин (ПЭПА). Состав содержит компоненты в следующих соотношениях объемных долей: Диметилсульфоксид - 0,9-1,2; Диметилформамид - 0,9-1,2; Полиэтиленполиамин - 0,7-0,9. Изобретение позволяет сократить время удаления имидизированного полиимидного покрытия с поверхности изделий без механического воздействия и использования высоких температур. 1 табл.

 

Изобретение относится к приборостроению, в частности к составам для удаления с изделий имидизированного полиимидного лака.

Известно удаление эмалевой изоляции с проводов (авторское свидетельство №1352540 МПК Н01В 1/12 опубликовано 15.11.1987 г.), паяльником с помощью пропитанной насыщенным раствором гидроокиси щелочного металла таблетки, содержащей поливинилхлорид, триэтаноламин, стеариновокислый свинец.

Данный состав пригоден для удаления застывших полимерных композиций только с проволоки, покрытой лаком на полиимидной основе, и связано со специфическим процессом изготовления таблеток и использованием паяльника с температурой 280°С.

Известно травление полиимидной пленки (авторское свидетельство №1027794 МПК H01L 21/312, опубликовано 07.07.1983) в кислородной плазме. Данное техническое решение достаточно трудоемко и требует использования специального оборудования.

Известно удаление лакокрасочных покрытий с помощью смывки СП-7 (ТУ 6-10-923-97), состоящей из смеси компонентов активных органических растворителей и разрыхлителей. Смывку СП-7 используют для удаления старых лакокрасочных покрытий: алкидно-акриловых, полиакриловых, алкидно- и масляно-стирольных, меламинных, поливинилацетатных эмалей, эпоксидных шпаклевок и грунтовок (ЭП-0010, ЭП-0020, ЭП-0199П), а также комплексных покрытий, состоящих из вышеуказанных материалов.

Однако применение данной композиции ограничено изделиями, не допускающими механическое воздействие на них, а также отличается длительностью процесса удаления покрытия.

Ближайшим аналогом предлагаемого технического решения является состав для травления полиимидного материала (авторское свидетельство №660999, МПК C09K 13/02, опубликовано 05.05.1979), содержащий гидроокись щелочного металла, гидрохинон, а в качестве органического амина он включает моноэтанол амин.

Данный состав может быть использован для травления полиимида до имидизации и не пригоден для травления полиимида после имидизации.

Техническим результатом настоящего изобретения является быстрое и качественное удаление имидизированного полиимидного покрытия с поверхности изделий без механического воздействия и использования высоких температур.

Указанный технический результат обеспечивается тем, что состав для травления полиимидного материала содержащий органический амин, состоит из диметилсульфоксида (ДМСО), диметилформамида (ДМФА), а органическим амином является полиэтиленполиамин (ПЭПА) в следующих соотношениях объемных долей компонентов:

Диметилсульфоксид 0,9-1,2
Диметилформамид 0,9-1,2
Полиэтиленполиамин 0,7-0,9

Технических решений, содержащих признаки, сходные с отличительными, не выявлено, что позволяет сделать выводы о соответствии заявленных технических решений критерию новизны.

Полиэтиленполиамин способствует набуханию лака за счет удлинения связей в цепи полимера.

Диметилсульфоксид наряду с высокими свойствами растворителя обладает уникальной проникающей способностью. Тем не менее, в одном диметилсульфоксиде или в смеси с полиэтиленполиамином растворить имидизированный полиимид не удается. Достаточно эффективное растворение имидизированного полиимида получено после введения в состав диметилформамида, также обладающего высокими свойствами растворителя.

Результаты проведенной обработки в различных составах растворителей, представляющих собой смесь, диметилсульфоксида, диметилформамида, полиэтиленполиамина и в смывке СП-7 при комнатной температуре на образцах в виде отрезков проволоки покрытой имидизированным полиимидным лаком, представлены в Таблице 1.

Было зафиксировано время удаления покрытия и качество удаления. Наиболее эффективными оказались составы при следующих соотнощениях объемных долей компонентов:

Диметилсульфоксид 0,9-1,2
Диметилформамид 0,9-1,2
Полиэтиленполиамин 0,7-0,9

Состав для удаления полиимидного материала, содержащий органический амин, отличающийся тем, что состав состоит из диметилсульфоксида (ДМСО), диметилформамида (ДМФА), а органическим амином является полиэтиленполиамин в следующих соотношениях объемных долей компонентов:

Диметилсульфоксид 0,9-1,2
Диметилформамид 0,9-1,2
Полиэтиленполиамин 0,7-0,9



 

Похожие патенты:

Использование: для формирования фоторезистивных пленок. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования фоторезистивной пленки толщиной от 0,8 до 20 мкм из раствора на поверхности подложки включает нанесение фоторезистивного материала из раствора методом аэрозольного итеррационного распыления в потоке газа, обеспечивают сушку формируемой пленки фоторезиста за счет увеличенной скорости испарения растворителя, на подложку в виде отдельных микрокапель, не образующих сплошного слоя в отдельной итерации, при этом подложка может содержать элементы с перепадом высоты, превышающим толщину фоторезистивной пленки, при этом для приготовления раствора фоторезистивного материала используют растворитель, имеющий температуру кипения в диапазоне от 180 до 215°С, представляющий собой один из растворителей или их смесь - циклогексанметанол, 2-циклогексилэтанол - в объемном отношении от не менее 2:1 до 5:1 к основным компонентам материала сформированной фоторезистивной пленки.

Изобретение может быть использовано для формирования фоторезистивных пленок, однородных по толщине и пригодных для проведения операций фотолитографии для формирования интегральных микросхем, МЭМС и СВЧ-структур на подложках, в том числе со сложным рельефом, где перепад высот существенно больше толщины формируемой пленки фоторезиста.

Изобретение относится к взрывной фотолитографической технологии и может быть использовано, когда получение рабочего рисунка из активного материала (металла или полупроводника) методами избирательного химического или плазмохимического травления через фоторезистную маску затруднено или нецелесообразно в связи с повышенной химической стойкостью к травлению активного материала.

Изобретение относится к технологии изготовления приборов микро- и наноэлектроники. Предложен способ консервации твердотельной поверхности, включающий последовательно осуществляемые стадию предварительной подготовки поверхности к консервации и стадию нанесения консервирующего покрытия.

Изобретение относится к технологии обработки кремниевых монокристаллических пластин и может быть использовано для создания электронных структур на его основе. Способ электрической пассивации поверхности кремния тонкопленочным органическим покрытием из поликатионных молекул включает предварительную подготовку подложки для создания эффективного отрицательного электростатического заряда, приготовление водного раствора поликатионных молекул, адсорбцию поликатионных молекул на подложку в течение 10-15 минут, промывку в деионизованной воде и сушку подложки с осажденным слоем в потоке сухого воздуха, при этом в качестве подложки использован монокристаллический кремний со слоем туннельно прозрачного диоксида кремния, с шероховатостью, меньшей или сравнимой с толщиной создаваемого покрытия, предварительную подготовку кремниевой подложки проводят путем ее кипячения при 75°C в течение 10-15 минут в растворе NH4OH/H2O2/H2O в объемном соотношении 1/1/4, для приготовления водного раствора поликатионных молекул использован полиэтиленимин, а во время адсорбции поликатионных молекул на подложку осуществляют освещение подложки со стороны раствора светом с интенсивностью в диапазоне 800-1000 лк, достаточной для изменения плотности заряда поверхности полупроводниковой структуры за время адсорбции.

Группа изобретений относится к способам, предназначенным для изготовления полупроводниковых приборов на твердом теле с использованием светочувствительных составов, например фоторезистов, содержащих диазосоединения в качестве светочувствительных веществ, а именно к способам формирования фоторезистной маски позитивного типа, которые могут найти применение в области микроэлектроники для получения изделий при помощи технологических способов, включающих стадию фотолитографии.

Изобретение относится к оборудованию для электронной промышленности, а именно к оборудованию для нанесения фоторезиста на подложки методом центрифугирования. Технический результат - уменьшение времени изготовления и увеличение выхода годных изделий - достигается тем, что устройство для нанесения фоторезиста содержит защитный корпус с крышкой, держатель подложек, гайки, вал центрифуги.

Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано при нанесении фоторезиста на полупроводниковые пластины, а также другие подложки в процессе выполнения операций фотолитографии.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам нанесения фоторезиста на кремниевую подложку для проведения технологических процессов фотолитографии.
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при создании современных полупроводниковых приборов и структур для микро- и наноэлектроники, в частности, при разработке наноразмерных приборов на основе кремния или структур Si/SiGe/Si с целью обеспечения проводимости тонких (субмикронных) полупроводниковых слоев.

Изобретение относится к энергопередающему кабелю для работы в химически сложных условиях и при очень низкой температуре. .

Изобретение относится к металлизации диэлектриков, в частности керамики на основе нитрида алюминия и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности для нанесения медных покрытий при производстве элементов газоразрядных устройств и позволяет достичь повышения коррозионной стойкости покрытия и адгезии к керамике.

Изобретение относится к получению резиновой смеси на основе диенового каучука и может быть использовано , в резиновой промьшленности. .

Изобретение относится к металлизации диэлектриков, в частности металлизации основы печатных плат при получении рисунков печатных плат полуаддитивным или аддитивным способами , и позволяет достичь высокой скорости травления и большой величины.

© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности 2019-07-04 2020-01-17T16:00:12
Наверх