Входной дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах для работы при низких температурах

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов. Технический результат заключается в обеспечении более высокой стабильности статического режима при отрицательных температурах (до -197°С) и изменении напряжений питания. Каскад входные полевые транзисторы и выходные полевые транзисторы и дополнительные полевые транзисторы с управляющим p-n. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

 

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например, операционных усилителях (ОУ), компараторах и т.п., в т.ч. работающих при низких температурах и воздействии радиации [1].

Известны схемы классических дифференциальных каскадов (ДК) на комплементарных транзисторах [2-28], в т.ч. на комплементарных КМОП полевых транзисторах [3-28] и комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом (JFet) [2], которые стали основой многих серийных аналоговых микросхем. В литературе по аналоговой микроэлектронике этот класс ДК имеет специальное обозначение – dual-input-stage [29].

Для работы при низких температурах при жестких ограничениях на уровень шумов перспективно использование JFet полевых транзисторов с управляющим p-n переходом [30-32]. ДК данного класса активно применяются в структуре малошумящих аналоговых интерфейсов для обработки сигналов датчиков [33-35].

Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является дифференциальный каскад, описанный в патенте US 5.291.149, fig.4, 1994г., который содержит первый 1 вход устройства, соединенный с затвором первого 2 входного полевого транзистора, второй 3 вход устройства, соединенный с затвором второго 4 входного полевого транзистора, первый 5 токовый выход, согласованный с первой 6 шиной источника питания и соединенный со стоком первого 2 входного полевого транзистора, второй 7 токовый выход, согласованный с первой 6 шиной источника питания и соединенный со стоком второго 4 входного полевого транзистора, третий 8 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 1 входом устройства, третий 9 токовый выход, согласованный со второй 10 шиной источника питания и соединенный со стоком третьего 8 входного полевого транзистора, четвертый 11 входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым 3 входом устройства, четвертый 12 токовый выход, согласованный со второй 10 шиной источника питания и соединенный со стоком четвертого 11 входного полевого транзистора, причем исток первого 2 входного полевого транзистора соединен с истоком второго 4 входного полевого транзистора, а исток третьего 8 входного полевого транзистора подключен к истоку четвертого 11 входного полевого транзистора.

Первый существенный недостаток известного ДК фиг. 1 состоит в том, что статический режим его входных транзисторов определяется двумя источниками опорного тока I1 (I2), которые, как правило, неидентичны из-за разных напряжений отсечки полевых транзисторов с p- и n-каналами в их структуре. Это становится источником дополнительных погрешностей при усилении малых сигналов. Во-вторых, выходные сопротивления (rвых.1, rвых.2) источников опорного тока I1, I2 в схеме фиг. 1 оказывают существенное влияние на коэффициент ослабления входных синфазных сигналов (Кос.сф) [36, 37]. Так, при изменении входного синфазного сигнала uc1=uc2=uc в схеме фиг. 1 формируются нежелательные переменные токи

i1 ≈ uc/2rвых.1,

i2 ≈ uc/2rвых.2.

Это приводит к нежелательной передаче uc в выходные цепи ДК.

В-третьих, подавление помех по шинам питания 6 и 10 в схеме фиг. 1 оказывается небольшим, что связано с зависимостью данного параметра от численных значений rвых.1, rвых.2.

Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании условий, при которых в ДК фиг. 1 обеспечивается более высокая стабильность статического режима ДК при отрицательных температурах (до -197°С) и изменении напряжений питания (в сравнении с ДК фиг. 1 на основе классических источников опорного тока I1, I2). Дополнительная задача – повышение коэффициента ослабления входных синфазных сигналов и коэффициента подавления помех по шинам питания.

Поставленные задачи достигаются тем, что в дифференциальном каскаде фиг. 1, содержащем первый 1 вход устройства, соединенный с затвором первого 2 входного полевого транзистора, второй 3 вход устройства, соединенный с затвором второго 4 входного полевого транзистора, первый 5 токовый выход, согласованный с первой 6 шиной источника питания и соединенный со стоком первого 2 входного полевого транзистора, второй 7 токовый выход, согласованный с первой 6 шиной источника питания и соединенный со стоком второго 4 входного полевого транзистора, третий 8 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 1 входом устройства, третий 9 токовый выход, согласованный со второй 10 шиной источника питания и соединенный со стоком третьего 8 входного полевого транзистора, четвертый 11 входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым 3 входом устройства, четвертый 12 токовый выход, согласованный со второй 10 шиной источника питания и соединенный со стоком четвертого 11 входного полевого транзистора, причем исток первого 2 входного полевого транзистора соединен с истоком второго 4 входного полевого транзистора, а исток третьего 8 входного полевого транзистора подключен к истоку четвертого 11 входного полевого транзистора, предусмотрены новые элементы и связи – в качестве первого 2, второго 4, третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, кроме этого, в схему введены первый 13 и второй 14 дополнительные полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, а также первый 15 и второй 16 дополнительные резисторы, затвор первого 13 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом соединен с объединенными истоками первого 2 и второго 4 входных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом, его сток подключен к первой 6 шине источника питания, а исток связан с объединенными стоками третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом через первый 15 дополнительный резистор, затвор второго 14 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом соединен с объединенными истоками третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом, его сток подключен ко второй 10 шине источника питания, а исток связан через второй 16 дополнительный резистор с объединенными истоками первого 2 и второго 4 входных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом.

На чертеже фиг. 1 представлена схема ДК-прототипа, а на чертеже фиг. 2 – схема заявляемого дифференциального каскада на комплементарных полевых транзисторах (CJFET) в соответствии с п.1 и п. 2 формулы изобретения.

На чертеже фиг. 3 показан статический режим схемы ДК фиг. 2 при температуре t=27С и R1=R15=10 кОм, R2=R16=10 кОм.

На чертеже фиг. 4 приведена зависимость тока общей истоковой цепи ДК фиг. 3, протекающего через резистор R1=R15 от температуры (примечание: график для тока через резистор R2=R16 аналогичен).

На чертеже фиг. 5 представлена проходная характеристика ДК фиг. 3 - зависимость выходных токов ДК от входного дифференциального напряжения при t=27С и R1=R15=1 кОм, R2=R16=1 кОм.

Входной дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах для работы при низких температурах фиг. 2 содержит первый 1 вход устройства, соединенный с затвором первого 2 входного полевого транзистора, второй 3 вход устройства, соединенный с затвором второго 4 входного полевого транзистора, первый 5 токовый выход, согласованный с первой 6 шиной источника питания и соединенный со стоком первого 2 входного полевого транзистора, второй 7 токовый выход, согласованный с первой 6 шиной источника питания и соединенный со стоком второго 4 входного полевого транзистора, третий 8 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 1 входом устройства, третий 9 токовый выход, согласованный со второй 10 шиной источника питания и соединенный со стоком третьего 8 входного полевого транзистора, четвертый 11 входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым 3 входом устройства, четвертый 12 токовый выход, согласованный со второй 10 шиной источника питания и соединенный со стоком четвертого 11 входного полевого транзистора, причем исток первого 2 входного полевого транзистора соединен с истоком второго 4 входного полевого транзистора, а исток третьего 8 входного полевого транзистора подключен к истоку четвертого 11 входного полевого транзистора. В качестве первого 2, второго 4, третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, кроме этого, в схему введены первый 13 и второй 14 дополнительные полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, а также первый 15 и второй 16 дополнительные резисторы, затвор первого 13 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом соединен с объединенными истоками первого 2 и второго 4 входных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом, его сток подключен к первой 6 шине источника питания, а исток связан с объединенными стоками третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом через первый 15 дополнительный резистор, затвор второго 14 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом соединен с объединенными истоками третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом, его сток подключен ко второй 10 шине источника питания, а исток связан через второй 16 дополнительный резистор с объединенными истоками первого 2 и второго 4 входных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом.

На чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, в качестве первого 2, второго 4 входных полевых транзисторов, а также первого 13 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом используются полевые транзисторы с n-каналом, а в качестве третьего 8, четвертого 11 входных полевых транзисторов и второго 14 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом используются полевые транзисторы с p-каналом.

Рассмотрим работу ДК фиг. 2.

Существенная особенность ДК фиг. 2 состоит в том, что в нем идентичный статический режим по токам истока первого 2 и второго 4 входных полевых транзисторов, а также третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов устанавливается не отдельными (как в схеме фиг.1) источниками опорного тока I1, I2, а интегрированной в единый функциональный узел цепью стабилизации статического режима ДК, включающей как единое целое первый 2, второй 4, третий 8, четвертый 11 входные полевые транзисторы, а также первый 13 и второй 14 дополнительные полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. Это позволяет обойтись без источников опорного тока I1, I2 (фиг. 1) и решить задачу установления статического режима ДУ нетрадиционным способом (фиг. 2).

Следует заметить, что статический режим ДК фиг. 2 практически не зависит от величины входного синфазного сигнала uc=uc1=uc2 и изменений напряжений на первой 6 и второй 10 шинах источников питания. Это позволяет исключить из схемы ДК фиг. 2 традиционные источники опорного тока (I1, I2, фиг. 1), отрицательно влияющие на его многие параметры (особенно при их простейшем построении).

При этом независимо от численных значений напряжения отсечки применяемых полевых транзисторов c p и n-каналами ток общей истоковой цепи первого 2 и второго 4 входных полевых транзисторов (ток через второй 16 дополнительный резистор) всегда равен току общей истоковой цепи третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов (току через первый 15 дополнительный резистор). Это важное свойство заявляемой схемы ДК, способствующее ее симметрии.

Если на вход 1 подается положительное входное напряжение uвх относительно входа 3, то это вызывает увеличение тока первого 2 и четвертого 11 входных полевых транзисторов и уменьшение тока истока второго 4 и третьего 8 входных полевых транзисторов.

Графики, представленные на чертеже фиг. 4, снятые при разных температурах и численных значениях сопротивлений R1=R15=R0, R2=R16=R0, подтверждают сделанные выше качественные выводы относительно стабильности статического режима. Действительно, зависимость токов через резисторы R1=R2=R0=1 кОм (фиг. 4) имеет участок АЕ, в пределах которого статические токи общей истоковой цепи ДК изменяются незначительно. Это позволяет обеспечить за счет рационального выбора параметров элементов улучшенную стабильность статического режима ДК.

Предлагаемая схема ДК имеет повышенные значения коэффициента ослабления входных синфазных сигналов и коэффициента подавления помех по шинам питания. Этот эффект обусловлен тем, что для типовых ДК данные параметры определяются двумя основными факторами [36, 37]:

1. Конечной величиной выходных сопротивлений источников опорного тока I1, I2 в схеме фиг. 1 (rвых.1, rвых.2).

2. Неидентичностью коэффициентов внутренней обратной связи применяемых полевых транзисторов.

Первый фактор в заявляемом ДК отсутствует, т.к. источники опорного тока I1, I2 здесь не нужны, а статический режим схемы устанавливается элементами, «изолированными» от шин источников питания 6 и 10. В конечном итоге предлагаемый ДК (при таких же активных элементах, как и в схеме фиг. 1) имеет улучшенные значения коэффициента ослабления входных синфазных сигналов и коэффициента подавления помех по шинам питания.

Результаты компьютерного моделирования в среде LTspice схем ДК фиг. 2 показывают, что на основе предлагаемого ДК реализуется широкий спектр температурных зависимостей выходных токов ДК. В итоге, это позволяет проектировать дифференциальные и мультидифференциальные операционные усилители с заданными параметрами статического режима в диапазоне температур.

Вторая существенная особенность предлагаемого ДК состоит в том, что он фактически работает в режиме класса AB (фиг. 5). Действительно, при нулевом входном сигнале выходные статические токи ДК в 3,8 раза меньше, чем выходные токи при большом входном сигнале. Это позволяет получить в ОУ на основе предлагаемого ДК более высокие (в 3,8 раза) значения максимальной скорости нарастания выходного напряжения [36,37].

Таким образом, заявляемое устройство имеет существенные преимущества в сравнении с известными схемотехническими решениями ДК класса dual-input-stage [2-28], что позволяет рекомендовать его для практического использования в различных ОУ и построения низкотемпературных и радиационно-стойких аналоговых микросхем по техпроцессу CJFet ОАО «Интеграл» (г. Минск), а также комплементарному биполярно-полевому технологическому процессу АО «НПП «Пульсар» (г. Москва).

Библиографический список

1. O. V. Dvornikov, V. L. Dziatlau, N. N. Prokopenko, K. O. Petrosiants, N. V. Kozhukhov and V. A. Tchekhovski, "The accounting of the simultaneous exposure of the low temperatures and the penetrating radiation at the circuit simulation of the BiJFET analog interfaces of the sensors," 2017 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Astana, 2017, pp. 1-6. DOI: 10.1109/SIBCON.2017.7998507

2. Патент US 5.291.149 fig. 4, 1994 г.

1. Патент US 4.377.789, fig. 1, 1983 г.

2. Патентная заявка US 2006/0125522, 2006 г.

3. Патент US 7.907.011, 2011

4. US 2008/0024217, fig. 1, 2008 г.

5. Патент EP 0318263,1989 г.

6. Патент US 5.907.259, fig. 1, 1999 г.

7. Патент US 7.408.410, 2008 г.

8. Патент US 6.628.168, fig.2, 2003 г.

9. Патентная заявка US 2009/0302895, 2009 г.

10. Патент US 5.714.906, fig. 4, 1998 г.

11. Патент US 2005/0285677, 2005 г.

12. Патент US 5.070.306, fig. 3, 1991 г.

13. Патент US 2010/001797, 2010 г.

14. Патент US 6.972.623, fig. 4, fig. 6, 2005 г.

15. Патент US 2008/0252374, 2008 г.

16. Патент US 7.586.373, 2009 г.

17. Патент US 2006/0215787, 2006 г.

18. Патент US 7.453.319, 2008 г.

19. Патент US 2004/0174216, fig. 2, 2004 г.

20. Патент US 7.215.200, fig. 6, 2007 г.

21. Патент US № 6.433.637, fig. 2, 2002 г.

22. Патент US № 6.392.485, 2002 г.

23. Патент US 5.963.085, fig. 3, 1999 г.

24. Патент US 6.788.143, 2004 г.

25. Патент US 4.390.850, 1983 г.

26. Патент US 6.696.894, fig. 1, 2004 г.

29. N. N. Prokopenko, N. V. Butyrlagin, A. V. Bugakova and A. A. Ignashin, "Method for speeding the micropower CMOS operational amplifiers with dual-input-stages," 2017 24th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS), Batumi, 2017, pp. 78-81.

30. K. O. Petrosyants, M. R. Ismail-zade, L. M. Sambursky, O. V. Dvornikov, B. G. Lvov and I. A. Kharitonov, "Automation of parameter extraction procedure for Si JFET SPICE model in the −200…+110°C temperature range," 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT), Moscow, 2018, pp. 1-5. DOI: 10.1109/MWENT.2018.8337212

31. Создание низкотемпературных аналоговых ИС для обработки импульсных сигналов датчиков. Часть 2 / О. Дворников, В. Чеховский, В. Дятлов, Н. Прокопенко // Современная электроника, 2015, № 5. С. 24-28

32. O. V. Dvornikov, N. N. Prokopenko, N. V. Butyrlagin and I. V. Pakhomov, "The differential and differential difference operational amplifiers of sensor systems based on bipolar-field technological process AGAMC," 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Moscow, 2016, pp. 1-6. DOI: 10.1109/SIBCON.2016.7491792

33. Дворников О.В., Чеховский В.А., Дятлов В.Л., Прокопенко Н.Н. "Малошумящий электронный модуль обработки сигналов лавинных фотодиодов" Приборы и методы измерений, no. 2 (7), 2013, pp. 42-46.

34. Дворников О. Чеховский В., Дятлов В., Прокопенко Н. Применение структурных кристаллов для создания интерфейсов датчиков //Современная электроника. – 2014. – №. 1. – С. 32-37.

35. O. V. Dvornikov, A. V. Bugakova, N. N. Prokopenko, V. L. Dziatlau and I. V. Pakhomov, "The microcircuits MH2XA010-02/03 for signal processing of optoelectronic sensors," 2017 18th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), Erlagol, 2017, pp. 396-402. DOI: 10.1109/EDM.2017.7981781

36. Прокопенко Н.Н. Нелинейная активная коррекция в прецизионных аналоговых микросхемах (монография) // Ростов-на-Дону: Изд-во Северо-Кавказского научного центра высшей школы, 2000. 222с.

37. Операционные усилители с непосредственной связью каскадов: монография / Анисимов В.И., Капитонов М.В., Прокопенко Н.Н., Соколов Ю.М. - Л.: «Энергия», 1979. - 148 с.

1. Входной дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах для работы при низких температурах, содержащий первый (1) вход устройства, соединенный с затвором первого (2) входного полевого транзистора, второй (3) вход устройства, соединенный с затвором второго (4) входного полевого транзистора, первый (5) токовый выход, согласованный с первой (6) шиной источника питания и соединенный со стоком первого (2) входного полевого транзистора, второй (7) токовый выход, согласованный с первой (6) шиной источника питания и соединенный со стоком второго (4) входного полевого транзистора, третий (8) входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым (1) входом устройства, третий (9) токовый выход, согласованный со второй (10) шиной источника питания и соединенный со стоком третьего (8) входного полевого транзистора, четвертый (11) входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым (3) входом устройства, четвертый (12) токовый выход, согласованный со второй (10) шиной источника питания и соединенный со стоком четвертого (11) входного полевого транзистора, причем исток первого (2) входного полевого транзистора соединен с истоком второго (4) входного полевого транзистора, а исток третьего (8) входного полевого транзистора подключен к истоку четвертого (11) входного полевого транзистора, отличающийся тем, что в качестве первого (2), второго (4), третьего (8) и четвертого (11) входных полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, кроме этого в схему введены первый (13) и второй (14) дополнительные полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, а также первый (15) и второй (16) дополнительные резисторы, затвор первого (13) дополнительного полевого транзистора с управляющим р-n переходом соединен с объединенными истоками первого (2) и второго (4) входных полевых транзисторов с управляющим р-n переходом, его сток подключен к первой (6) шине источника питания, а исток связан с объединенными стоками третьего (8) и четвертого (11) входных полевых транзисторов с управляющим р-n переходом через первый (15) дополнительный резистор, затвор второго (14) дополнительного полевого транзистора с управляющим р-n переходом соединен с объединенными истоками третьего (8) и четвертого (11) входных полевых транзисторов с управляющим р-n переходом, его сток подключен ко второй (10) шине источника питания, а исток связан через второй (16) дополнительный резистор с объединенными истоками первого (2) и второго (4) входных полевых транзисторов с управляющим р-n переходом.

2. Входной дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах для работы при низких температурах по п. 1, отличающийся тем, что в качестве первого (2), второго (4) входных полевых транзисторов, а также первого (13) дополнительного полевого транзистора с управляющим р-n переходом используются полевые транзисторы с n-каналом, а в качестве третьего (8), четвертого (11) входных полевых транзисторов и второго (14) дополнительного полевого транзистора с управляющим р-n переходом используются полевые транзисторы с р-каналом.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат заключается в создании условий, при которых обеспечивается возможность изменения напряжения ограничения проходной характеристики Uгр в зависимости от заданных значений SR при фиксированном токопотреблении.

Изобретение относится к области радиотехники и микроэлектроники и может быть использовано в аналоговых микросхемах (АМ) и аналого-цифровых интерфейсах датчиков. Технический результат заключается в повышении крутизны преобразования входного дифференциального напряжения в токи первого и второго токовых выходов.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве двухтактных буферных усилителей и выходных каскадов. Технический результат заключается в обеспечении при высокой линейности амплитудной характеристики повышенной стабильности статического режима транзисторов и низкого уровня шумов, в том числе при работе в диапазоне низких температур.

Изобретение относится к радиотехнике и связи. Технический результат заключается в создании условий, при которых в заявляемом дифференциальном усилителе (ДУ) обеспечивается более высокая стабильность статического режима при отрицательных температурах, а также повышение коэффициента ослабления входных синфазных сигналов и коэффициента подавления помех по шинам питания.

Изобретение относится к ламповому усилителю звуковой частоты. Технический результат заключается в снижении уровня остаточного шума лампового усилителя звуковых частот относительно источника питания и земли, а также в избежании утечек.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в аналоговых интерфейсах и устройствах преобразования сигналов. Технический результат заключается в повышении максимальной скорости нарастания выходного напряжения ДОУ.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов. Технический результат заключается в повышении стабильности статического режима входных полевых транзисторов при отрицательных температурах, возможности изменения напряжения ограничения проходной характеристики ДУ.

Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в аналоговых и аналого-цифровых интерфейсах для обработки сигналов датчиков.

Изобретение относится к дифференциальным операционным усилителям. Технический результат заключается в повышении максимальной скорости нарастания выходного напряжения без ухудшения энергетических параметров.

Изобретение относится к дифференциальным операционным усилителям. Технический результат заключается в повышении максимальной скорости нарастания выходного напряжения без ухудшения энергетических параметров.

Изобретение относится к области радиотехники и микроэлектроники и может быть использовано в аналоговых микросхемах (АМ) и аналого-цифровых интерфейсах датчиков. Технический результат заключается в повышении крутизны преобразования входного дифференциального напряжения в токи первого и второго токовых выходов.

Изобретение относится к аналоговой микроэлектронике. Технический результат заключается в создании радиационно-стойкого и низкотемпературного схемотехнического решения буферного усилителя (БУ) на комплементарных полевых транзисторах, обеспечивающего малые значения напряжения смещения нуля.

Изобретение относится к аналоговой микроэлектронике. Технический результат заключается в создании условий, которые позволяют повысить быстродействие выходного каскада за счет форсирования процесса перезаряда одного из его паразитных конденсаторов и исключения влияния второго паразитного конденсатора.

Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат: создание составного транзистора на комплементарных транзисторах, который по своим стоко-затворным характеристикам подобен КМОП полевому транзистору, т.е.

Изобретение относится к радиотехнике. Технический результат заключается в создании неинвертирующего CJFet усилителя, обеспечивающего опцию rail-to-rail по выходу и получение повышенных выходных сопротивлений.

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: создание условий, при которых обеспечиваются более высокие значения коэффициента ослабления входных синфазных сигналов и коэффициента подавления помех по шинам питания.

Изобретение относится к линейным усилителям мощности. Технический результат - уменьшение габаритов при расположении модуля питания в едином корпусе, увеличение диапазона рабочих частот, высокий уровень помехозащищенности.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано при разработке современных широкополосных радиопередатчиков в диапазоне 1,5-30 МГц. Технический результат заключается в построении усилителя мощности по принципу усилителя с распределенной полосой.

Изобретение относится к области радиотехники, в частности к ламповым усилителям низкой частоты. Технический результат заключается в улучшении массогабаритных характеристик лампового усилителя при одновременном повышении качества звука.

Изобретение относится к области передачи радиосигналов и может быть использовано для исправления искажения радиосигналов. Техническим результатом является упрощение конструкции, снижение потребляемой мощности и повышение быстродействия.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов. Технический результат заключается в обеспечении более высокой стабильности статического режима при отрицательных температурах и изменении напряжений питания. Каскад входные полевые транзисторы и выходные полевые транзисторы и дополнительные полевые транзисторы с управляющим p-n. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Наверх