Способ быстрого включения силового транзистора с изолированным затвором и устройства с его использованием



Способ быстрого включения силового транзистора с изолированным затвором и устройства с его использованием
Способ быстрого включения силового транзистора с изолированным затвором и устройства с его использованием
Способ быстрого включения силового транзистора с изолированным затвором и устройства с его использованием
Способ быстрого включения силового транзистора с изолированным затвором и устройства с его использованием
Способ быстрого включения силового транзистора с изолированным затвором и устройства с его использованием
Способ быстрого включения силового транзистора с изолированным затвором и устройства с его использованием
H01L27/14 - содержащие полупроводниковые компоненты, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, коротковолновому электромагнитному или корпускулярному излучению, и предназначенные для преобразования энергии этих излучений в электрическую энергию или для управления электрической энергией с помощью таких излучений (компоненты, чувствительные к излучению, конструктивно связанные только с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 31/14; соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42)

Владельцы патента RU 2713559:

Пущин Евгений Леонидович (RU)

Использование: для быстрого включения силового транзистора. Сущность изобретения заключается в том, что способ быстрого включения силового транзистора с изолированным затвором включает заземление затвора и подачу на исток или эмиттер открывающего импульса тока наносекундной длительности. Технический результат: обеспечение возможности улучшения массогабаритных показателей импульсных источников питания и уменьшения энергетических потерь. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

 

Изобретение относится к электротехнике, а именно к импульсной технике и может быть использовано в приборостроении и силовой электронике.

С середины 70-х годов, когда появились полевые транзисторы (МОП, MOSFET), пригодные для силовых устройств, одной из основных проблем управления ими является наличие существенной емкости Cgd между стоком и затвором. В ключевом режиме, в частности, эта емкость образует отрицательную обратную связь (ООС) между входом и выходом МОП транзистора. Это явление известно как эффект Миллера и оно является препятствием к достижению основной цели ключевого режима - переключения между состояниями с наибольшим и наименьшим сопротивлением за минимально короткое время. Здесь под «входом» подразумевается затвор МОП, поскольку управление по затвору в схеме с общим истоком - это единственный используемый способ управления приборами этого вида, а также и биполярными транзисторами с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT). Этот способ управления и определяет то, что, несмотря на несомненные успехи в технологии микроэлектроники и схемотехнические решения по борьбе с эффектом Миллера, известная «ступенька» при заряде-разряде затвора присутствует во всех паспортах на транзисторы с изолированным затвором в качестве имманентного свойства и остается препятствием для получения коротких фронтов в силовой электронике. Основные потери на переключение в силовых транзисторах с изолированным затвором можно грубо представить в виде интеграла по времени от произведения напряжения сток-исток на ток стока. Поэтому рассеиваемая в приборе мощность прямо зависит от длительности фронта, причем большая часть потерь на тепло происходит во время прохождения «ступеньки или плато Миллера». От длительности переключения зависит также частота переключений, а, следовательно, индуктивность накопителей энергии в импульсных источниках питания и в конечном счете их массогабаритные показатели.

Одна из классических схем, в которых используется упомянутый выше способ управления силовым транзистором с изолированным затвором (ТИЗ) (MOSFET, IGBT), в котором мощный транзистор включают по схеме с общим истоком, и управление осуществляют зарядом или разрядом затвора, подключая к нему специальные драйверы, приведена в известном руководстве: (У. Титце, К. Шенк «Полупроводниковая схемотехника» Т. II, М. 2008, Рис. 16.39.). К этой схеме полностью применима изложенная выше проблема тепловых потерь на переключение ТИЗ. Другими словами, недостатком этого способа являются повышенные энергетические потери. Так как токи драйверов затвора ограничены по многим причинам, фронты при переключениях остаются значительными и, таким образом, существующий способ управления ТИЗ непригоден и для импульсной техники с точки зрения получения мощных прямоугольных импульсов высокого качества.

Известен формирователь импульсов с запуском мощного СВЧ МДП-транзистора от лавинного (В.П. Дьяконов Лавинные транзисторы и тиристоры. Теория и применение. Серия «Компоненты и технологии». - М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2012, с 297, Рис. 5.63а.). СВЧ МДП-транзистор включен по схеме с общим истоком, и затвор соединен с нагрузочным выводом накопительного конденсатора лавинного генератора. Переход затвор-исток МДП-транзистора зашунтирован резистором утечки зарядного тока накопительного конденсатора.

Недостатками этого устройства являются малая мощность импульса, обусловленная допустимым напряжением стока, и дороговизна применяемых СВЧ МДП-транзисторов.

Известен генератор прямоугольных импульсов с раздельным формированием фронта и среза (В.П. Дьяконов Лавинные транзисторы и тиристоры. Теория и применение. Серия «Компоненты и технологии». - М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2012, с 278, Рис. 5.356.). Фронт импульса на нагрузке и заряд емкости нагрузки обеспечивает первый лавинный транзистор, затем включение второго лавинного транзистора прерывает связь с первым транзистором и одновременно разряжает емкость нагрузки.

Недостатком этого устройства является невозможность расширения импульса вследствие саморазряда емкости нагрузки и малая мощность импульса.

Известны силовые ключи импульсного преобразователя питания (У. Титце, К. Шенк «Полупроводниковая схемотехника» Т. II, М. 2008, Рис. 16.60, 16.61.), в которых для управления мощным МОП-транзистором применяются низкоомные драйверы. Недостатком этих ключей являются уже упомянутые энергетические потери, обусловленные эффектом Миллера и длительностью фронтов переключения.

Задачей изобретения является уменьшение энергетических потерь и улучшение массогабаритных показателей импульсных источников питания, а также расширение функциональных возможностей генераторов импульсов за счет повышения качества импульсов. Исходя из вышеизложенного, для этого необходимо избавиться от эффекта Миллера путем применения совершенно нового способа управления силовыми ТИЗ.

Техническим результатом изобретения является возможность получения мощных импульсов тока или напряжения регулируемой длительности с короткими фронтами.

Предлагаемое изобретение направлено на создание способа включения силовых транзисторов с изолированным затвором (ТИЗ), позволяющего создавать схемы силовых ключей и формирователей импульсов повышенной мощности. Эти устройства должны производить импульсы разной длительности с короткими фронтами. Способ должен позволять генерировать прямоугольные импульсы регулируемой в широких пределах длительности и заданной амплитуды.

Предлагаемое изобретение направлено на создание схем формирователей наносекундных импульсов повышенной мощности разной длительности с короткими фронтами и силовых ключей с быстрым включением.

Поставленная задача решается и технический результат достигается способом включения силового транзистора с изолированным затвором, в котором затвор заземляют, а на исток или эмиттер ТИЗ подают открывающий импульс тока наносекундной длительности.

Поставленная задача решается и технический результат достигается формирователем мощных импульсов регулируемой длительности, содержащим n-канальный МОП-транзистор, включаемый по вышеуказанному способу включения силового транзистора с изолированным затвором, сток которого через нагрузку соединен с плюсом источника питания, затвор - с катодом диода, анод которого соединен с общим проводом, исток МОП-транзистора соединен с анодом стабилитрона, катод которого соединен с общим проводом.

Указанный технический результат достигается в изобретении благодаря использованию положительной обратной связи (ПОС), возникающей при подаче открывающего импульса на исток ТИЗ с предварительно заземленным затвором. В отличие от биполярного транзистора, схема с общей базой которого повышает верхнюю частотную границу усиления ввиду отсутствия сколько-нибудь значительной емкости коллектор-эмиттер, МОП-транзистор имеет значительную емкость сток-исток, которая не указывается в документации, но вычисляется по формуле Cds=Coss-Crss (У. Титце, К. Шенк «Полупроводниковая схемотехника» Т. I, М. 2008, Стр. 254.).

Как уже было замечено выше, включение силовых транзисторов с заземленным затвором производителями MOSFET и IGBT не предусмотрено, и в переключательных схемах на практике не применяется. Однако ПОС, возникающая в этой схеме при подаче на исток открывающего импульса, например, от лавинного генератора, приводит к возникновению на стоке фронта выходного импульса более короткого, чем у входного импульса. Таким образом, изобретение позволяет увеличить частоту переключений и снизить индуктивность накопителей энергии в импульсных преобразователях. Результатом изобретения является снижение энергетических потерь на переключение силовых ТИЗ и улучшение массогабаритных показателей импульсных источников питания.

Предлагаемый способ включения уравнивает с n-канальными MOSFET по скорости включения не только р-канальные MOSFET но и IGBT.

Сущность изобретения поясняется чертежами, где на фиг.1 представлена электрическая схема силового ключа на р-канальном МОП-транзисторе с применением предлагаемого способа, на фиг. 2 представлена схема формирователя мощных импульсов регулируемой длительности по предлагаемому способу с применением n-канального MOSFET и на фиг. 3 представлена схема силового ключа импульсного блока питания на IGBT с использованием предлагаемого способа.

Так как внешние задающие генераторы (ЗГ), присутствующие на приведенных схемах, предметом изобретения не являются, а схемы используемых лавинных генератора являются типовыми (В.П. Дьяконов. Лавинные транзисторы и тиристоры. Теория и применение. Серия «Компоненты и технологии». - М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2012, с. 188, Рис. 4.10, а-г), описание их работы не приводится.

Силовой ключ фиг. 1 содержит р-канальный МОП-транзистор 1, нагрузку 2, соединяющую сток МОП-транзистора с источником питания Ес, стабилитрон 3, включенный в прямом направлении между общим проводом и истоком, и импульсный диод 4, включенный в прямом направлении между затвором и общим проводом. В качестве примера ЗГ изображен релаксационный генератор 5 на лавинном транзисторе с использованием S-образной вольт-амперной характеристики со стороны коллектора и с разрядом накопительного конденсатора. Токовый импульс ЗГ достаточной амплитуды с эмиттера лавинного транзистора поступает на исток МОП-транзистора в открывающем направлении, то есть положительной полярности, заряжая затвор, что происходит очень быстро в самом начале возрастания тока входного импульса. Причиной этого является положительная обратная связь, возникающая через емкость сток-исток МОП-транзистора с предварительно заземленным затвором при подаче на исток открывающего импульса после того, как заряд затвора достигнет порога открывания. Весь заряд затвора происходит при открытом переходе диода, что в образованной схеме с общим затвором эквивалентно заземлению. Уже упомянутое выше действие ПОС определяет короткий передний фронт импульса напряжения на истоке. При этом, в частности, на истоке формируется импульс, по амплитуде сравнимый с допустимым напряжением затвор-исток, которое обычно равно 20 В, с более коротким фронтом, а выходное сопротивление истока в качестве генератора не превосходит 1-2 Ом. Этому фронту соответствует резкое возрастание потенциала стока с коротким фронтом в самом начале процесса.

По достижении зарядом затвора уровня порога включения МОП-транзистор начинает открываться и потенциал стока растет. С этого момента начинает действовать разрядный ток емкости сток-исток, равный , который складывается с током ЗГ на участке затвор-исток, ускоряя дальнейший заряд затвора и полное открывание МОП-транзистора. Разряд емкости сток-затвор замыкается через диод и не оказывает влияния на заряд затвора. Одновременно происходит увеличение тока нагрузки, равного . Таким образом, в процессе формирования фронта до полного открытия МОП-транзистора в его канале действуют в противоположных направлениях почти постоянный ток разряда емкости сток-исток и увеличивающийся ток нагрузки. После полного открытия канала ток нагрузки остается почти постоянным, пока спадающий ток импульса ЗГ не становится меньше тока нагрузки. Разность этих токов понижает потенциал истока и открывает стабилитрон в прямом направлении. Одновременно потенциал заряженного затвора понижается на ту же величину, и диод оказывается заперт в обратном направлении. В результате этого процесса канал МОП-транзистора остается полностью открытым, и через нагрузку течет постоянный ток. При запертом диоде 4 и открытом в прямом направлении стабилитроне приведенная схема эквивалентна включению с общим истоком. Силовой ключ может быть выключен обычным способом драйвером затвора, замыканием затвора с общим проводом с помощью реле и т.п. Стабилитрон 3 предохраняет затвор от перенапряжения.

Формирователь фиг. 2 содержит n-канальный МОП-транзистор 1, нагрузку 2, стабилитрон 3 и диод 4. Кроме того, на схеме присутствуют задающие генераторы 5 и 6, в качестве которых используется релаксационный генератор на лавинном транзисторе с использованием S-образной вольт-амперной характеристики со стороны коллектора и с зарядом накопительного конденсатора. Ждущий ЗГ 5 в момент t1 включает МОП-транзистор со стороны истока. При включении происходят те же процессы, что и в схеме фиг. 1, но с обратными знаками токов и потенциалов. В образовавшейся в результате включения схеме с общим истоком ЗГ 6 в момент t2 разряжает затвор. Благодаря мощному импульсу от ЗГ затвор разряжается быстро до окончания импульса от ЗГ. МОП-транзистор закрывается, после чего начинается сравнительно медленный процесс заряда емкостей сток-затвор и сток-исток через сопротивление нагрузки, при котором ток заряда емкости сток-затвор (эффект Миллера) поглощается лавинным транзистором в режиме остаточного насыщения, благодаря чему паразитный перезаряд затвора не происходит. В этом процессе канал МОП-транзистора не участвует, так как сопротивление канала максимально и выделение тепла не происходит.

Длина выходного импульса, снимаемого со стока, равна интервалу времени t2-t1. Она ограничена сверху саморазрядом затвора в реальной схеме и тепловыми ограничениями МОП-транзистора, а снизу - переходными процессами после включения МОП-транзистора, которые имеют длительность десятков наносекунд. На выходе формирователя получается прямоугольный импульс с коротким передним фронтом. Задний фронт зависит от скорости заряда упомянутых емкостей МОП-транзистора, а именно от величины нагрузки 2. Если требуется существенное увеличение амплитуды импульса по напряжению, МОП-транзистор в схеме формирователя может быть заменен на БТИЗ (IGBT).

Силовой ключ импульсного блока питания фиг. 3 содержит силовой биполярный транзистор с изолированным затвором 1, нагрузку 2, импульсный диод 3, разделительный конденсатор 4, стабилитрон 5 и диод Шоттки 6. Кроме того, на схеме присутствуют задающие генераторы 7 и 8, в качестве которых используется, например, релаксационный генератор на лавинном транзисторе с использованием S-образной вольт-амперной характеристикой со стороны коллектора и с разрядом накопительного конденсатора. Ждущий ЗГ 7 в момент t1 включает биполярный транзистор с изолированным затвором со стороны эмиттера. При включении происходят те же процессы, что и в схеме фиг. 1, но с обратными знаками токов и напряжений. В результате включения БТИЗ при запертом диоде 4 и открытых в прямом направлении стабилитроне 5 и диоде Шоттки 6 приведенная схема эквивалентна включению с общим истоком. Ждущий ЗГ 8 в момент t2 разряжает затвор. Благодаря мощному импульсу от ЗГ затвор заряжается быстро и БТИЗ оказывается запертым. После этого начинается сравнительно медленный процесс заряда емкостей коллектор-затвор и коллектор-эмиттер через импеданс нагрузки, при котором ток заряда емкости коллектор-затвор (эффект Миллера) шунтируется цепью: разделительный конденсатор 4 - нагрузочный резистор лавинного генератора ЗГ 8, благодаря чему паразитный перезаряд затвора не происходит. Интервал времени t2-t1 равен длине выходного импульса тока в нагрузке. Он ограничен сверху саморазрядом затвора в реальной схеме и токовыми ограничениями индуктивности нагрузки, а снизу - переходными процессами после его включения, которые измеряются десятками наносекунд. Нагрузка 2 коллектора биполярного транзистора с изолированным затвором представляет собой накопительный дроссель или первичную обмотку трансформатора импульсного блока питания. Диод Шоттки 6 минимизирует потери на коммутацию. Силовой БТИЗ в устройстве может быть заменен на МОП-транзистор.

Сокращение длины фронтов переключения уменьшает термовыделение в ТИЗ и позволяет увеличить частоту переключения в импульсных блоках питания, что в свою очередь приводит к уменьшению индуктивности дросселей и трансформаторов.

Таким образом, предложенное изобретение позволяет улучшить массогабаритные показатели и уменьшить энергетические потери.

1. Способ быстрого включения силового транзистора с изолированным затвором, включающий заземление затвора и подачу на исток или эмиттер открывающего импульса тока наносекундной длительности.

2. Формирователь мощных прямоугольных импульсов регулируемой длительности, содержащий n-канальный МОП-транзистор, включаемый по способу п. 1, сток которого через нагрузку соединен с плюсом источника питания, затвор соединен с катодом диода, анод которого соединен с общим проводом, исток МОП-транзистора соединен с анодом стабилитрона, катод которого соединен с общим проводом.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к системам управления. Гальванически изолированный компаратор напряжения с питанием от входного сигнала состоит из первого и второго резисторов высокоомного делителя напряжения, регулируемого стабилитрона, стабилитрона, резистора питания стабилитрона, токозадающего резистора светодиода оптоэлектронного переключателя логического сигнала, биполярного транзистора p-n-р проводимости, резистора блокировки срабатывания светодиода оптоэлектронного переключателя логического сигнала от остаточного тока катода регулируемого стабилитрона и оптоэлектронного переключателя логического сигнала.

Изобретение относится к импульсной технике. Технический результат - обеспечение выбора из n синхронизированных по переднему фронту положительных импульсных сигналов x1,…,xn∈{0,1}, имеющих длительности τ1,…,τn соответственно, сигнала xi, длительность τi которого является (n-2)-й по величине после минимальной среди длительностей τ1,…,tn, где n=6.

Изобретение относится к импульсной технике. Технический результат – обеспечение воспроизведения операции med(τ1, …, τ7), где τ1, …, τ7 есть длительности семи положительных импульсных сигналов х1, …, х7 ∈ {0,l}, синхронизированных по переднему фронту.

Изобретение относится к селекции импульсов. Технический результат – обеспечение выбора из шести синхронизированных импульсных сигналов.

Изобретение относится к селекции импульсов. Технический результат - уменьшение аппаратурных затрат.

Изобретение относится к селекции импульсов. Технический результат - уменьшение аппаратурных затрат.

Изобретение относится к селекции импульсов. Технический результат - обеспечение воспроизведения операций med(τ1, …, τ5), supramed(τ1, …, τ5).

Изобретение относится к импульсной технике. Техническим результатом является обеспечение возможности селекции импульсных последовательностей как с постоянным, так и с переменным интервалом следования, а также достижение минимального времени обнаружения заданной импульсной последовательности.

Изобретение относится к импульсной технике. Технический результат - разработка регулируемой схемы задержки электрических сигналов, позволяющей осуществлять регулирование временной задержки в широком диапазоне значений с высоким временным разрешением и высокой точностью срабатывания.

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат заключается в упрощении процедуры настройки основных параметров ФНЧ, а также в увеличении гарантированного затухания амплитудно-частотной характеристики за пределами рабочей полосы частот при низких значениях его выходных сопротивлений.

Изобретение относится к двухспектральным фотоприемным устройствам, предназначенным для детектирования излучений в ближнем УФ спектральном диапазоне и среднем ИК спектральном диапазоне.

Многоэлементный фотоприемник с тонкой фоточувствительной базой, включающий матрицу фоточувствительных элементов из одного из полупроводниковых материалов CdxHg1-xTe, InSb, InGaAs, QWIP, соединенную со схемой считывания индиевыми микроконтактами, с антиотражающим покрытием, обеспечивающим минимальное отражение в спектральном диапазоне чувствительности фотодиодов, отличающийся тем, что антиотражающее покрытие создают с уменьшенными механическими напряжениями последовательным вакуумным напылением кремния методом электронно-лучевого испарения со скоростью осаждения 0,08 нм/с и слоя фторида иттрия методом резистивного испарения со скоростью осаждения 0,7 нм/с.

Изобретение может быть использовано в оптических системах, которые обычно используются во многих устройствах, таких как фотоаппараты, телескопы, бинокли, офисное оборудование и научная аппаратура.

Изобретение может быть использовано в оптических системах, которые обычно используются во многих устройствах, таких как фотоаппараты, телескопы, бинокли, офисное оборудование и научная аппаратура.

Изобретение относится к области получения изображений и касается фотодатчика. Фотодатчик имеет множество светочувствительных пикселов, сформированных на подложке.

Изобретение относится к области получения изображений и касается фотодатчика. Фотодатчик имеет множество светочувствительных пикселов, сформированных на подложке.

Изобретение относится к области детекторов электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне частот с использованием нелинейного плазменного отклика двумерной электронной системы.

Твердотельное устройство формирования изображений включает в себя множество пикселей, включающих в себя узел фотоэлектрического преобразования, первый удерживающий участок, удерживающий заряды, переносимые из узла фотоэлектрического преобразования, второй удерживающий участок, удерживающий заряды, переносимые из первого удерживающего участка, и усилительный узел, выводящий сигнал на основе зарядов во втором удерживающем участке.

Использование: для обработки оптической информации. Сущность изобретения заключается в том, что устройство считывания сигналов с фотоприемной матрицы инфракрасного излучения содержит входную ячейку с емкостным трансимпедансным усилителем с инвертирующим и неинвертирующим входами, выполненным на основе операционного усилителя с включенным параллельно в цепь отрицательной обратной связи накопительным конденсатором, столбцовую шину, столбцовый зарядочувствительный усилитель со вторым операционным усилителем и включенным параллельно в цепь отрицательной обратной связи конденсатором, дополнительно содержит вторую столбцовую шину, при этом одна столбцовая шина реализована в виде сигнальной столбцовой шины, а вторая столбцовая шина реализована в виде опорной столбцовой шины, емкостный трансимпедансный усилитель выполнен также с входом включения, в составе входной ячейки также выполнены транзистор начала интегрирования, транзистор сброса, первый и второй адресные транзисторы, транзистор начала интегрирования соединен своим истоком с инвертирующим входом емкостного трансимпедансного усилителя, являющимся инвертирующим входом операционного усилителя, и первой обкладкой накопительного конденсатора, своим стоком транзистор начала интегрирования соединен с катодом фотодиода, затвор транзистора начала интегрирования соединен с входом включения емкостного трансимпедансного усилителя, являющимся входом включения операционного усилителя, при этом указанные затвор и вход выполнены с возможностью подачи на них управляющего сигнала начала интегрирования, транзистор сброса своим стоком соединен с истоком транзистора начала интегрирования и первой обкладкой накопительного конденсатора, истоком транзистор сброса соединен с выходом емкостного трансимпедансного усилителя, являющимся выходом операционного усилителя, и второй обкладкой накопительного конденсатора, затвор транзистора сброса выполнен с возможностью подачи на него сигнала сброса входной ячейки, первый адресный транзистор своим стоком соединен с инвертирующим входом емкостного трансимпедансного усилителя, являющимся инвертирующим входом операционного усилителя, первой обкладкой накопительного конденсатора, истоком транзистора начала интегрирования, стоком транзистора сброса, исток первого адресного транзистора соединен с сигнальной столбцовой шиной, затвор первого адресного транзистора соединен с затвором второго адресного транзистора, причем затворы первого и второго адресного транзисторов выполнены с возможностью подачи на них сигнала считывания, второй адресный транзистор своим стоком соединен с выходом емкостного трансимпедансного усилителя, являющимся выходом операционного усилителя, со второй обкладкой накопительного конденсатора, с истоком транзистора сброса, а исток второго адресного транзистора соединен с опорной столбцовой шиной, неинвертирующий вход емкостного трансимпедансного усилителя, являющийся неинвертирующим входом операционного усилителя, выполнен с возможностью подачи на него опорного напряжения, в составе столбцового зарядочувствительного усилителя выполнен второй транзистор сброса, при этом столбцовый зарядочувствительный усилитель выполнен с инвертирующим и неинвертирующим входами, являющимися соответственно инвертирующим и неинвертирующим входами второго операционного усилителя, неинвертирующий вход столбцового зарядочувствительного усилителя соединен с опорной столбцовой шиной, выполненной с возможностью подачи на нее опорного напряжения, инвертирующий вход столбцового зарядочувствительного усилителя соединен с первой обкладкой включенного параллельно в цепь отрицательной обратной связи конденсатора, выполненного в виде линейного конденсатора с дискретным набором значений емкости, с сигнальной столбцовой шиной, со стоком второго транзистора сброса, исток второго транзистора сброса соединен со второй обкладкой включенного параллельно в цепь отрицательной обратной связи конденсатора, выполненного в виде линейного конденсатора с дискретным набором значений емкости, с выходом столбцового зарядочувствительного усилителя, являющегося выходом второго операционного усилителя, а затвор второго транзистора сброса выполнен с возможностью подачи на него сигнала сброса столбцового зарядочувствительного усилителя.

Использование: для обнаружения излучения. Сущность изобретения заключается в том, что детекторная матрица системы визуализации включает в себя плиточный детектор, плиточный детектор включает в себя матрицу фотодатчиков, включающую в себя множество фоточувствительных пикселов, плиточный детектор дополнительно включает в себя матрицу сцинтилляторов, оптически связанную с матрицей фотодатчиков, плиточный детектор дополнительно включает в себя слой электронных схем или ASIC на подложке, который электрически соединен с матрицей фотодатчиков, слой электронных схем включает в себя множество отдельных и разделяемых областей обработки, при этом каждая область обработки включает в себя предварительно определенное число каналов, соответствующее подмножеству из множества пикселов фотодатчиков, области обработки находятся в электрическом соединении друг с другом, каждая область обработки включает в себя свои собственные электрические цепи опорного напряжения и напряжения смещения.

Использование: для быстрого включения силового транзистора. Сущность изобретения заключается в том, что способ быстрого включения силового транзистора с изолированным затвором включает заземление затвора и подачу на исток или эмиттер открывающего импульса тока наносекундной длительности. Технический результат: обеспечение возможности улучшения массогабаритных показателей импульсных источников питания и уменьшения энергетических потерь. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Наверх