Способ изготовления полупроводникового прибора

Авторы патента:

Мустафаев Абдулла Гасанович (RU)

Мустафаев Гасан Абакарович (RU)

Черкесова Наталья Васильевна (RU)

Мустафаев Арслан Гасанович (RU)

H01L21/336 - с изолированным затвором

H01L21/316 - из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов

H01L21/31 - с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии (для получения электродных слоев H01L 21/28, герметизирующих слоев H01L 21/56); последующая обработка этих слоев; выбор материалов для этих слоев

Владельцы патента RU 2717149:

федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) (RU)

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенным значением крутизны характеристики. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости с удельным сопротивлением 10 Ом*см, ориентацией (100) пленка титаната висмута наносится методом ВЧ распыления. Распыление проводят в газовой смеси аргон-кислород при давлении 6*10^-3 мм рт.ст. и температуре 675°С с последующей термообработкой при температуре 600°С в течение 35 с в среде аргона. Затем формируют области полевого транзистора и контакты к этим областям по стандартной технологии. Изобретение обеспечивает улучшение параметров приборов, повышение качества и процента выхода годных.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Заявка 1268023 Япония, МКИ H01L 21/223]путем нанесения на поверхность кремниевой подложки слоя диэлектрика и формированием в нем окон. Поверхность кремния в окнах окисляют, после чего наносят слой полупроводникового материала, содержащий как донорную, так и акцепторную примеси. Последний слой в дальнейшем используют в качестве источника диффузанта. Примеси выбирают так, что при повышенной температуре одна из них диффундирует в подложку, а другая - в противоположном направлении. В таких приборах при повышенных температурных режимах из-за различия коэффициентов диффузии примеси повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры приборов.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент 4985739 США, МКИ H01L 29/80] имеющий нижний и верхний изолированные друг от друга затворы. В полевом транзисторе использована структура, в которой одна система областей сток-исток окружает другую систему областей сток-исток. Нижний затвор - скрытый, верхний - соединяется с контактной площадкой через диффузионный барьер для предотвращения проникновения металла в структуру. Область канала и экранирующие области формируют с помощью ионной имплантации.

Недостатками этого способа являются:

- низкие значения крутизны характеристики;

- высокие значения порогового напряжения;

- низкая технологичность.

Задача, решаемая изобретением: повышение значений крутизны характеристики, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается формированием подзатворного диэлектрика на поверхности кремниевой пластины из слоя сегнетоэлектрика титаната висмута Bi₄Ti₃O₁₂, в газовой смеси аргон-кислород, при давлении 6*10^-3 мм.рт.ст. и температуре 675°С, с последующей термообработкой при температуре 600°С в течение 35 с в среде аргона.

Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р - типа проводимости с удельным сопротивлением 10 Ом*см, ориентацией (100) пленка титаната висмута наносится методом ВЧ распыления. Распыление проводят в газовой смеси аргон-кислород при давлении 6*10^-3мм.рт.ст. и температуре 675°С, с последующей термообработкой при температуре 600°С в течение 35 с в среде аргона. Затем формируют области полевого транзистора и контакты к этим областям по стандартной технологии.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 17,9%.

Технический результат: повышение значений крутизны характеристики, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования подзатворного диэлектрика из слоя сегнетоэлектрика титаната висмута Bi₄Ti₃O₁₂ на поверхности кремниевой пластины, в газовой смеси аргон-кислород при давлении 6*10^-3 мм.рт.ст. и температуре 675°С, с последующей термообработкой при температуре 600°С в течение 35 с в среде аргона, позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы формирования областей стока, истока, затвора и подзатворного диэлектрика, отличающийся тем, что подзатворный диэлектрик на поверхности кремниевой пластины формируют из слоя сегнетоэлектрика титаната висмута Bi₄Ti₃O₁₂ в газовой смеси аргон-кислород при давлении 6*10^-3 мм рт.ст. и температуре 675°С с последующей термообработкой при температуре 600°С в течение 35 с в среде аргона

Датчик, способ его изготовления и электронное устройство. Датчик (100) включает в себя: несущую подложку (101), тонкопленочный транзистор (102) (TFT), расположенный на несущей подложке и включающий в себя электрод (1025) истока, первый изоляционный слой (106), расположенный на TFT (102) и содержащий первое сквозное отверстие (1071), проходящее через первый изоляционный слой (106), проводящий слой (1031), расположенный в первом сквозном отверстии (1071) и на части первого изоляционного слоя (106) и электрически соединенный с электродом (1025) истока через первое сквозное отверстие (1071), смещающий электрод (1032), расположенный на первом изоляционном слое (106) и отдельный от проводящего слоя (1031), активный считывающий слой (1033), соответственно, соединенный с проводящим слоем (1031) и смещающим электродом (1032), и вспомогательный проводящий слой (1034), расположенный на проводящем слое (1031).

Способ изготовления полевого транзистора // 2706296

Способ изготовления полевого транзистора, включающего в себя слой первого оксида и слой второго оксида и образующего передний канал или задний канал в области, где слой первого оксида и слой второго оксида прилегают друг к другу, при этом способ включает в себя формирование слоя второго прекурсора, который является прекурсором слоя второго оксида, таким образом, чтобы он был в контакте со слоем первого прекурсора, который является прекурсором слоя первого оксида, и затем преобразование слоя первого прекурсора и слоя второго прекурсора в слой первого оксида и слой второго оксида, соответственно, при этом формирование включает в себя как обработку (I), так и обработку (II), приведенные ниже, а именно, (I) обработку нанесением жидкости для покрытия, формирующей прекурсор первого оксида, которая может образовывать прекурсор первого оксида и содержит растворитель, и затем удаление растворителя для образования слоя первого прекурсора, который является прекурсором слоя первого оксида, и (II) обработку нанесением жидкости для покрытия, формирующей прекурсор второго оксида, которая может образовывать прекурсор второго оксида и содержит растворитель, и затем удаление растворителя для образования слоя второго прекурсора, который является прекурсором второго слоя оксида, а также одновременное выполнение термообработки для преобразования слоев первого и второго прекурсоров в слои первого и второго оксидов.

Способ изготовления одноэлектронных одноатомных транзисторов с открытым каналом транзистора и транзистор, изготовленный таким способом // 2694155

Изобретение относится к нанотехнологиям, а именно к технологиям изготовления одноэлектронных транзисторов с островом в виде единичных атомов в кристаллической решетке.

Полевой транзистор, способ его изготовления, элемент отображения, устройство отображения и система // 2692401

Способ изготовления полевого транзистора включает в себя изолирующий слой затвора и электрод, включающий в себя первую электропроводную пленку и вторую электропроводную пленку, последовательно наслоенные на предопределенную поверхность изолирующего слоя затвора.

Нитридное полупроводниковое устройство и способ производства нитридного полупроводникового устройства // 2691133

Нитридное полупроводниковое устройство включает в себя нитридный полупроводниковый слой, изолирующую пленку затвора, электрод истока, электрод стока и электрод затвора.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2677500

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затвора полевого транзистора с пониженными токами утечек.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2674413

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления подзатворного диэлектрика с пониженной плотностью дефектов.

Переключающий элемент и способ изготовления переключающего элемента // 2665798

Переключающий элемент включает в себя полупроводниковую подложку, которая включает в себя первый слой полупроводника n-типа, базовый слой р-типа, образованный эпитаксиальным слоем, и второй слой полупроводника n-типа, отделенный от первого слоя полупроводника n-типа базовым слоем, изолирующую пленку затвора, которая покрывает зону, перекрывающую поверхность первого слоя полупроводника n-типа, поверхность базового слоя и поверхность второго слоя полупроводника n-типа, а также электрод затвора, который расположен напротив базового слоя в пределах изолирующей пленки затвора.

Тонкопленочный транзистор с низким контактным сопротивлением // 2662945

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору (TFT), содержащему подложку (100) со слоем (101) электрода затвора, наложенным и структурированным на ней, и изолирующим слоем (102) затвора, наложенным на слой электрода затвора и подложку.

Оксидный полупроводник р-типа, композиция для получения оксидного полупроводника р-типа, способ получения оксидного полупроводника р-типа, полупроводниковый компонент, отображающий элемент, устройство отображения изображений и система // 2660407

Изобретение относится к оксидному полупроводнику p-типа, композиции для получения оксидного полупроводника p-типа, способу получения оксидного полупроводника p-типа, полупроводниковому компоненту, отображающему элементу, устройству отображения изображений и системе отображения информации об изображении.

Способ защиты структур на основе алюмосиликатного стекла // 2702412

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторных приборов, в частности к способам защиты поверхности полупроводниковой структуры от различных внешних воздействий.

Способ защиты кремниевых структур на основе свинцово-силикатного стекла // 2702411

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам защиты поверхности кремниевой структуры от различных воздействий.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2694160

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки. Изобретение обеспечивает снижение значения токов утечек, повышение технологичности и качества, улучшение параметров приборов и увеличение процента выхода годных.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2688881

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затворного слоя оксида кремния с низкой плотностью дефектов.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2688864

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженными токами утечек.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2688863

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки с низкой дефектностью.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2680989

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженной дефектностью.

Способ создания наноразмерных диэлектрических плёнок на поверхности inp с использованием оксида и фосфата марганца // 2680668

Использование: для формирования наноразмерных диэлектрических пленок. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности InP включает предварительную обработку полированных пластин InP травителем H2SO4:H2O2H2O=2:1:1 в течение 10-12 мин, многократное промывание в бидистиллированной воде, высушивание на воздухе, формирование на поверхности пластин InP слоя MnO2 толщиной 25-30 нм методом магнетронного распыления мишени, термооксидирование образцов при температуре 450-550°С в течение 40-70 мин в потоке кислорода в присутствии фосфата марганца Mn3(PO4)2.

Композиция для покрытия, способ ее получения и применение // 2680427

Настоящее изобретение относится к композиции для покрытия, получаемой из по меньшей мере одного иттрийсодержащего предшественника, выбранного из группы, включающей оксоалкоксиды иттрия, растворителя A и растворителя B, который отличается от растворителя A, при этом соотношение давления пара растворителя A при 20°C к давлению пара растворителя B при 20°C составляет .

Способ формирования диэлектрического слоя на поверхности кристалла inas // 2678944

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, содержащих пассивную структуру диэлектрик - полупроводник, в том числе диодов и транзисторов, а также приемников излучения, чувствительных в спектральном диапазоне (1÷3,5) мкм, таких как фотодиоды и фототранзисторы на кристаллах InAs n-типа проводимости.

Состав для удаления полиимидного материала // 2711532

Изобретение относится к приборостроению, в частности к составам для удаления с изделий имидизированного полиимидного лака. Состав для травления полиимидного материала содержит органический амин, состоит из диметилсульфоксида (ДМСО), диметилформамида (ДМФА).