Способ получения пористых усов α-al2o3 с использованием отходов свинцово-цинкового производства



C01P2004/10 - Неорганическая химия (обработка порошков неорганических соединений для производства керамики C04B 35/00; бродильные или ферментативные способы синтеза элементов или неорганических соединений, кроме диоксида углерода, C12P 3/00; получение соединений металлов из смесей, например из руд, в качестве промежуточных соединений в металлургическом процессе при получении свободных металлов C21B,C22B; производство неметаллических элементов или неорганических соединений электролитическими способами или электрофорезом C25B)

Владельцы патента RU 2732661:

Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН) (RU)

Изобретение может быть использовано в производстве сорбентов, фильтров, носителей катализаторов, термостойких материалов. Для получения пористых усов α-Al2O3 с использованием отходов свинцово-цинкового производства проводят термообработку предварительно отформованной в виде цилиндров смеси оксидсодержащих порошков с алюминием. Термообработка включает нагрев до температуры 1150°С, последующую выдержку смеси при этой температуре и охлаждение. Нагрев смеси ведут со скоростью 20°С в минуту и выдерживают при заданной температуре 30 минут. В качестве матрицы для роста усов используют отходы свинцово-цинкового производства фракции 0,071 мм, содержащие, мас.%: 50,1-SiO2, 12,1-K2O, 11,1-Al2O3, 9,3-Fe2O3, 8,5-SO3, 2,9-TiO2, 1,9-СаО, 1,4-MgO, 0,9-Cl, 0,47-PbO, 0,3-Р2О5, 0,15-ZnO. Изобретение позволяет исключить необходимость использования дорогостоящих материалов для синтеза пористых усов α-Al2O3, сократить длительность процесса. 1 табл., 1 пр., 3 ил.

 

Изобретение относится к способам получения пористых усов α-Al2O3 (корунда) с использованием отходов свинцово-цинкового производства и может быть использовано в качестве исходных материалов для производства сорбентов, фильтров, носителей катализаторов, термостойких материалов.

Наиболее распространенным методом получения усов корунда является окисление частиц алюминиевого порошка во влажном водороде [Грибков, B.Н. Рост усов α-Al2O3 при окислении алюминия / Грибков В.Н., Исайкин А.С., Уманцев Э.Л., Щетанов Б.В. // Неорганические материалы.- T.VIII(7). - C. 1249-1253]. Над расплавом алюминия, находящимся в лодочке из высокоглиноземистого материала при температуре 1300-1500°С, пропускают смесь паров воды и водорода, в результате чего алюминий окисляется до субокиси, которая возгоняется, а в последствии в «холодной» зоне печи диспропорционирует до оксида алюминия, осаждающегося в виде нитевидных кристаллов.

К недостаткам метода можно отнести высокие температуры синтеза нитевидных кристаллов.

Известен способ получения усов α-Al2O3 спеканием алюминия с оксидом бора или его соединений, разлагающихся с получением оксида бора, и оксида титана при температуре от 800°С до 1300°С в течение 1-10 часов [US 6036930, опубл. 14.03.2000].

К недостатку указанного способа следует отнести использование в процессе синтеза усов α-Al2O3 дорогостоящих материалов и длительность процесса.

В качестве ближайшего аналога выбран способ получения усов α-Al2O3 спеканием порошков алюминия и различных оксидов: вольфрама, кремния, молибдена [Ng, D.H.L. Formation of micron-sized and nanometer-sized single crystal alumina whiskers by displacement reactions / D.H.L. Ng, Yu P. e.a. // Journal of the European Ceramic Society. - 2006. - V. 26. - P. 1561-1565]. Порошки смешивают, формуют в форме дисков диаметром 10 мм и толщиной 2 мм при давлении в диапазоне 200-500 МПа, затем термообрабатывают в диапазоне температур от 800 до 1150°С в атмосфере аргона в течение 2 часов. Таким способом получают усы длиной 50-500 мкм.

К недостатку указанного способа следует отнести использование в процессе синтеза усов α-Al2O3 дорогостоящих материалов и длительность процесса.

К недостатку всех перечисленных выше способов следует отнести отсутствие пористой структуры уса корунда.

Техническим результатом заявляемого изобретения является разработка способа получения пористых усов α-Al2O3 с использованием отходов свинцово-цинкового производства - более экономичного и экспрессного по сравнению с существующими способами получения усов корунда.

Технический результат достигается тем, что в способе получения пористых усов α-Al2O3 с использованием отходов свинцово-цинкового производства, представляющем термообработку предварительно отформованной в виде цилиндров смеси оксидсодержащих порошков с алюминием, включающую нагрев до температуры 1150°С с последующей выдержкой смеси при этой температуре и охлаждение, новым является то, что в качестве матрицы для роста усов используют отходы свинцово-цинкового производства, содержащие, мас.%: 50,1-SiO2, 12,1-K2O, 11,1-Al2O3, 9,3-Fe2O3, 8,5-SO3, 2,9-TiO2, 1,9-СаО, 1,4-MgO, 0,9-Cl, 0,47-PbO, 0,3-P2O5, 0,15-ZnO, фракции 0,071 мм, нагрев смеси ведут со скоростью 20°С в минуту и выдерживают при заданной температуре 30 минут.

Сопоставительный анализ с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается тем, что в качестве матрицы для роста усов используют отходы свинцово-цинкового производства, содержащие, мас. %: 50,1-SiO2, 12,1-K2O, 11,1-Al2O3, 9,3-Fe2O3, 8,5-SO3, 2,9-TiO2, 1,9-СаО, 1,4-MgO, 0,9-Cl, 0,47-PbO, 0,3-P2O5, 0,15-ZnO, фракции 0,071 мм, нагрев смеси ведут со скоростью 20°С в минуту и выдерживают при заданной температуре 30 минут.

Эти признаки позволяют сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию «новизна».

При изучении других известных технических решений в данной области техники признаки, отличающие заявляемое изобретение от прототипа, не выявлены, и поэтому они обеспечивают заявляемому техническому решению соответствие критерию «изобретательский уровень».

Заявляемый способ получения пористых усов α-Al2O3 с использованием отходов свинцово-цинкового производства осуществляется следующим образом.

В качестве матрицы для роста усов используют отходы свинцово-цинкового производства, содержащие, мас.%: 50,1-SiO2, 12,1-K2O, 11,1-Al2O3, 9,3-Fe2O3, 8,5-SO3, 2,9-TiO2, 1,9-СаО, 1,4-MgO, 0,9-Cl, 0,47-PbO, 0,3-Р2О5, 0,15-ZnO, которые после дополнительного измельчения и просеивания через сито 0,071 мм, смешивают с гранулированным алюминием, формуют с усилием прессования 5 кН образцы цилиндров диаметром 10 мм и высотой 20 мм. Термообработку ведут по следующему режиму: нагрев до температуры 1150°С со скоростью 20°С в минуту, выдержка при этой температуре 30 минут и дальнейшее охлаждение в печи.

Выращенные по этому способу усы α-Al2O3 имеют форму, показанную на фигуре 1 (фотография игольчатой формы усов с каплями металла на их вершинах).

Тщательное исследование микроструктуры продольного среза образца уса α-Al2O3 на электронном микроскопе S 5500 подтверждает пористую структуру ножки уса (фигура 2 - микроструктура продольного среза ножки уса при x100k увеличении).

Верхняя часть, капля уса α-Al2O3, как показал рентгенофазовый анализ, состоит из расплава алюминия, кремния, железа и окиси алюминия.

Предлагаемый способ получения пористых усов α-Al2O3 с использованием отходов свинцово-цинкового производства поясняется конкретным примером его осуществления.

Пример 1. К 2 г отходов свинцово-цинкового производства, фракции +0,071 мм, содержащих 50,1-SiO2, 12,1-K2O, 11,1-Al2O3, 9,3-Fe2O3, 8,5-SO3, 2,9-TiO2, 1,9-СаО, 1,4-MgO, 0,9-Cl, 0,47-PbO, 0,3-P2O5, 0,15-ZnO, добавляют 0,2 г гранулированного алюминия марки ПА-3, тщательно перемешивают. Из полученной шихты формуются образцы цилиндров диаметром 10 мм, высотой 20 мм при усилии формования равном 5 кН. Сушка образцов совмещается с процессом термообработки по режиму: нагрев до температуры 1150°С со скоростью 20°С в минуту, выдержка при этой температуре 30 минут, охлаждение в печи (высокотемпературная печь марки ВТ1500 с хромид-лантановыми нагревателями).

Полученные усы обламывают с поверхности термообработанных образцов и подвергают анализу на электронном микроскопе S 5500. Тщательное исследование микроструктуры полученных усов α-Al2O3 подтверждает их пористую структуру (фигура 2).

Электронно-микроскопические исследования верхней капли уса свидетельствуют о ее сложном фазовом составе (таблица 1), включающем алюминий, кремний, железо и окись алюминия (фигура 3 – электронно-микроскопический снимок застывшей капли сверху уса. (1 - низ капли, 2 - средняя часть капли, 3 - верхняя часть капли)).

Разработанный способ получения пористых усов α-Al2O3 с использованием отходов свинцово-цинкового производства является более экономичным по сравнению с существующими способами получения корунда, поскольку при его осуществлении используются отходы свинцово-цинкового производства, а время выдержки при заданной температуре сокращено до 30 минут.

Способ получения пористых усов α-Al2O3 с использованием отходов свинцово-цинкового производства, представляющий термообработку предварительно отформованной в виде цилиндров смеси оксидсодержащих порошков с алюминием, включающую нагрев до температуры 1150°С с последующей выдержкой смеси при этой температуре и охлаждение, отличающийся тем, что в качестве матрицы для роста усов используют отходы свинцово-цинкового производства, содержащие, мас.%: 50,1-SiO2, 12,1-K2O, 11,1-Al2O3, 9,3-Fe2O3, 8,5-SO3, 2,9-TiO2, 1,9-СаО, 1,4-MgO, 0,9-Cl, 0,47-PbO, 0,3-Р2О5, 0,15-ZnO, фракции 0,071 мм, нагрев смеси ведут со скоростью 20°С в минуту и выдерживают при заданной температуре 30 минут.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и может найти применение в промышленном производстве светоизлучающих устройств и фоточувствительных элементов.

Изобретение относится к химической технологии получения волокнистого кремния и может найти применение для использования в порошковой металлургии, литий-ионных источниках тока, преобразователях солнечной энергии, полупроводниковых приборах, таких как термоэлектрические преобразователи, тензодатчики и переключатели.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ формирования тонких упорядоченных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов (ННК) арсенида галлия на кремнии характеризуется тем, что на подложке кремния с кристаллографической ориентацией поверхности (111) или (100) формируют ингибиторный слой оксида кремния (SiO2) толщиной 80-120 нм методом термического прокисления в среде азот/пары воды при температуре Т=850-950°С при давлении, близком к атмосферному, после чего наносят слой электронного резиста, в котором формируют окна методом электронной литографии путем экспонирования электронным пучком с последующим проявлением, при этом процесс проявления останавливают путем промывки в растворителе и последующей сушки, затем осуществляют реактивное ионноплазменное травление в плазмообразующей смеси газов SF6 и Аr с формированием окон в ингибиторном слое оксида кремния, в которых методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием источников Ga и As выращивают нитевидные нанокристаллы арсенида галлия по бескатализному методу или по автокаталитическому методу с применением в качестве катализатора Ga, напыляемого на подложку со сформированными окнами в ингибиторном слое.

Изобретение относится к области синтеза наноструктур на основе перовскитов, которые могут быть использованы в качестве материалов для нанофотоники для создания Фабри-Перо наносенсоров и фотонных интегральных схем.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов. Cпособ выращивания нитевидных нанокристаллов (ННК) SiO2 включает подготовку монокристаллической кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность мелкодисперсных частиц металла-катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кремния из газовой фазы, содержащей SiCl4, Н2 и O2, по схеме пар→жидкая капля→кристалл с одновременным его окислением, при этом катализатор выбирают из ряда металлов, имеющих количественные значения логарифма упругости диссоциации для реакции образования оксида , где Me - металл, О - кислород, n и m - индексы, при 1000 K, более -36,1, причем частицы металла-катализатора выбирают с диаметрами менее 100 нм, а температуру процесса выращивания устанавливают в интервале 1000-1300 K.

Изобретение относится к технологии создания нитевидных нанокристаллов (нановискеров) для различных областей техники и может быть использовано, например, в полиграфии при изготовлении защищенной от подделки продукции.

Изобретение относится к технологии формирования упорядоченных структур на поверхности твердого тела и может быть использовано для получения нитевидных кристаллов из различных материалов, пригодных для термического испарения.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для создания автоэмиссионных электронных приборов (с «холодной эмиссией электронов) для изготовления зондов и кантилеверов сканирующих зондовых микроскопов и оперативных запоминающих устройств с высокой плотностью записи информации, поверхностно-развитых электродов электрохимических ячеек источников тока, а также для использования в технологиях изготовления кремниевых солнечных элементов нового поколения для повышения эффективности антиотражающей поверхности фотопреобразователей.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения нитевидных нанокристаллов Si (ННК) включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар → капельная жидкость → кристалл, при этом перед нанесением частиц катализатора и помещением подложки в ростовую печь на пластину Si наносят пленку Ti и анодируют длительностью от 5 до 90 мин в 1%-ном растворе NH4F в этиленгликоле, причем плотность анодного тока поддерживают в интервале от 5 до 20 мА/см2, а наночастицы катализатора на анодированную поверхность Ti наносят осаждением металла, выбираемого из ряда Ni, Ag, Pd, из 0,1 М раствора, имеющего общую формулу Me(NO3)x, где Me - Ni, Ag, Pd; х=1-2, в течение 1-2 мин при воздействии на раствор ультразвуком мощностью 60 Вт.
Изобретение относится к технологии получения игольчатых монокристаллов оксида молибдена VI MoO3. Поверхность молибденовой ленты, надежно закрепленной своими концами и выгнутой кверху в виде арки, разогревают с помощью резистивного, индукционного или лучевого воздействия до температуры 650-700°С в окислительной газовой среде, содержащей от 10 до 40% кислорода и инертный газ или смесь инертных газов при давлении, превышающем 100 Па, выдерживают при этой температуре в течение не менее 10 с с момента появления паров MoO3 белого цвета, затем нагрев прекращают и молибденовую ленту остужают до 25°С, после чего нагрев возобновляют при температуре 650-700°С до образования на торцах и поверхности молибденовой ленты из паров MoO3 тонких игольчатых монокристаллов оксида молибдена длиной до 5 мм.

Изобретение может быть использовано при получении адсорбентов, носителей для катализаторов, наполнителей композиционных материалов, теплоизоляционных материалов.
Наверх