Карбидокремниевое переключающее устройство и способ его производства

Авторы патента:

ЛИ, Шуян (CN)

БАИ, Сонг (CN)

ХУАНГ, Рунхуа (CN)

ЛИУ, Хао (CN)

ЛИУ, Ао (CN)

ВАНГ, Линг (CN)

ТАО, Йонгхонг (CN)

H01L29/78 - с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора

H01L29/0657 - Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L 31/00-H01L 47/00,H01L 51/00 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L 21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; резисторы

H01L29/06 - отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей

Владельцы патента RU 2740124:

ЧАЙНА ЭЛЕКТРОНИКС ТЕКНОЛОДЖИ ГРУП КОРПОРЕЙШН N 55 РЕЗЕРЧ ИНСТИТУТ (CN)

В изобретении раскрывается карбидокремниевое переключающее устройство и метод его изготовления; устройство используется для уменьшения отношения сопротивления канала к сопротивлению устройства во включенном состоянии. Согласно настоящему изобретению верхняя структура устройства дважды подвергается обработке методом эпитаксиального наращивания, при этом концентрация примеси вторичной эпитаксиальной канальной области ниже, чем в области латерального легирования кармана Р-типа; концентрация примеси вторичной эпитаксиальной N+ области намного выше, чем в области латерального легирования кармана Р-типа; концентрация примеси N+ области намного выше, чем в области латерального легирования кармана Р-типа. Благодаря такой структуре длина канала на боковой стенке вторичной эпитаксиальной канальной области зависит от толщины эпитаксиального наращивания. Включение/выключение устройства по настоящему изобретению осуществляется посредством двух способов. Канал на боковой стенке вторичной эпитаксиальной канальной области является очень коротким, и путь тока эпитаксиального дрейфового слоя может отключаться при условии генерирования достаточно высокого перепада напряжения в процессе отключения без учета эффекта смыкания канала при высоком напряжении; соответственно, настоящее изобретение имеет большие преимущества в сравнении с предыдущим уровнем техники; в то же время используется широкий путь тока эпитаксиального дрейфового слоя и поддерживается положительное заданное напряжение, что обуславливает преимущества настоящего изобретения в сравнении со стандартным карбидокремниевым полевым транзистором с управляющим р-n переходом. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 12 ил.

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Настоящее изобретение относится к области техники полупроводниковых устройств, а конкретно - к карбидокремниевому переключающему устройству и способу его изготовления.

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Карбид кремния обладает отличными эксплуатационными качествами, такими как широкая запрещенная зона, сильное электрическое поле пробоя, высокая дрейфовая скорость насыщения и высокая теплопроводность, что делает этот материал идеальным для изготовления устройства, способного выдерживать большую мощность, высокую частоту, высокую температуру и излучение. Карбидокремниевый диод Шоттки обладает рядом преимуществ, например, высокой диэлектрической прочностью, высокой плотностью тока, высокой рабочей частотой и т.д., что, таким образом, обеспечивает очень широкую перспективу развития.

В настоящее время карбидокремниевые полевые МОП-транзисторы обладают низкой подвижностью носителей в канале из-за ограничения уровня окисления, тем самым приводя к чрезмерно большому отношению сопротивления канала к общему сопротивлению во включенном состоянии. Для получения лучшей проводимости в полевом МОП-транзисторе, как правило, используется короткий канал, что обычно снижает заданное напряжение устройства; в то же время, снижается блокирующая способность устройства и уменьшается запас устройства при изменении длины канала, что влияет на эффективность устройства. Кроме того, технологии окисления карбида кремния разрабатываются медленно из-за различных свойств материала, и сопротивление канала является основным фактором, который затрудняет функционирование устройства в течение длительного периода времени. Соответственно, существует необходимость разработки новой структуры карбидокремниевого полевого МОП-транзистора для уменьшения отношения сопротивления канала.

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Цель настоящего изобретения: вышеописанные проблемы; в изобретении раскрывается карбидокремниевое переключающее устройство и способ его изготовления; устройство используется для уменьшения отношения сопротивления канала к сопротивлению устройства во включенном состоянии.

Техническое решение: для достижения цели настоящего изобретения реализуются следующие технические решения: карбидокремниевое переключающее устройство включает субстрат, при этом дрейфовый слой первого типа проводимости, легированная область кармана Р-типа второго типа проводимости, образованная способом ионного легирования, N+ область первого типа проводимости, образованная методом ионного легирования, и легированная Р+ область второго типа проводимости, образованная способом ионного легирования, располагаются над субстратом; Вторичная эпитаксиальная канальная область первого типа проводимости и вторичная эпитаксиальная N+ область последовательно располагаются над дрейфовым слоем первого типа проводимости; область латерального легирования кармана Р-типа второго типа проводимости образуется посредством латерального ионного легирования на поверхности устройства; оксидный изолирующий слой затвора располагается над областью латерального легирования кармана Р-типа; электрод затвора располагается над изолирующим слоем затвора; изолирующий диэлектрик располагается над электродом затвора; омический электрод стока располагается под субстратом и область омического контакта - на одной стороне области латерального легирования кармана Р-типа над устройством.

Способ изготовления карбидокремниевого переключающего устройства включает следующие шаги:

(1) эпитаксиальное наращивание дрейфового слоя первого типа проводимости на субстрате первого типа проводимости;

(2) образование легированной области кармана Р-типа второго типа проводимости на дрейфовом слое посредством ионного легирования;

(3) образование N+ области первого типа проводимости на легированной области кармана Р-типа посредством ионного легирования;

(4) образование легированной Р+ области второго типа проводимости на легированной области кармана Р-типа посредством ионного легирования, при этом Р+ область соединяется с N+ областью и легированной областью кармана Р-типа;

(5) образование вторичной эпитаксиальной канальной области первого типа проводимости и вторичной эпитаксиальной N+ области в последовательности эпитаксиального наращивания на поверхности устройства;

(6) образование карбидокремниевого прохода на вторичной эпитаксиальной канальной области и вторичной эпитаксиальной N+ области методом травления;

(7) образование области латерального легирования кармана Р-типа второго типа проводимости на поверхности устройства методом латерального ионного легирования;

(8) образование оксидного изолирующего слоя затвора на области латерального легирования кармана Р-типа посредством высокотемпературного окисления;

(9) изготовление электрода затвора на одной стороне поверхностности устройства методом наращивания;

(10) наращивание изолирующего диэлектрика на поверхности устройства;

(11) создание отверстия в изолирующем диэлектрике и изолирующем слое затвора методом травления; и

(12) изготовление омического электрода стока на боковой поверхности субстрата методом металлизации и образования области омического контакта на одной стороне области латерального легирования кармана Р-области на верхней поверхности устройства посредством высокотемпературного отжига.

Положительные эффекты: настоящее изобретение может значительно уменьшить отношение сопротивления канала к сопротивлению устройства во включенном состоянии и обеспечить включение/выключение устройства с посредством двух способов. Канал на боковой стенке вторичной эпитаксиальной канальной области является очень коротким, и путь тока эпитаксиального дрейфового слоя может отключаться при условии генерирования достаточно высокого перепада напряжения в процессе отключения без учета эффекта смыкания канала при высоком напряжении. Соответственно, настоящее изобретение имеет большие преимущества в сравнении с предыдущим уровнем техники. В то же время, преимущества настоящего изобретения в сравнении со стандартным карбидокремниевым полевым транзистором с управляющим р-n переходом обеспечиваются при условии, что в устройстве используется широкий путь тока эпитаксиального дрейфового слоя и поддерживается положительное заданное напряжение.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

Фиг. 1 - схематическое изображение, на котором приводится эпитаксиальное наращивание;

Фиг. 2 - схематическое изображение, на котором приводится область кармана Р-типа;

Фиг. 3 - схематическое изображение, на котором приводится N+ область;

Фиг. 4 - схематическое изображение, на котором приводится Р+ область;

Фиг. 5 - схематическое изображение, на котором приводится вторичное эпитаксиальное наращивание;

Фиг. 6 - схематическое изображение, на котором приводится травление вторичного эпитаксиального слоя;

Фиг. 7 - схематическое изображение, на котором приводится латеральное легирование канальной области МОП;

Фиг. 8 - схематическое изображение, на котором приводится наращивание изолирующего слоя затвора;

Фиг. 9 - схематическое изображение, на котором приводится изготовление электрода затвора;

Фиг. 10 - схематическое изображение, на котором приводится наращивание изолирующего диэлектрика;

Фиг. 11 - схематическое изображение, на котором приводится травление изолирующего отверстия; и

Фиг. 12 - схематическое изображение, на котором приводится металлизация омического контакта.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ

Технические решения настоящего изобретения описываются далее со ссылкой на чертежи и варианты осуществления.

В изобретении раскрывается карбидокремниевое переключающее устройство и метод его изготовления, при этом метод включает следующие шаги.

(1) Как показано на фиг. 1, дрейфовый слой 2 первого типа проводимости эпитаксиально наращивается на субстрате 1 первого типа проводимости.

Субстрат 1 первого типа проводимости представляет собой карбидокремниевый или кремниевый кристалл, например, структуры кристаллов 4Н, 6Н и 3С, с концентрацией примеси более 1Е19 см^-3.

(2) Как показано на фиг. 2, легированная область кармана Р-типа 3 второго типа проводимости образуется на дрейфовом слое 2 посредством ионного легирования.

Дрейфовый слой 2 - тонкая карбидокремниевая пленка, например, структуры кристаллов 4Н, 6Н и 3С, с концентрацией примесей от 1Е14 до 1,5Е16 см^-3. Когда проводимость первого типа - легирование донорной примесью, в качестве легирующей примеси используется атом азота, а когда проводимость первого типа - легирование акцепторной примесью, в качестве легирующей примеси используется алюминий.

(3) Как показано на фиг. 3, N+ область 4 первого типа проводимости образуется на легированной области кармана Р-типа посредством ионного легирования.

(4) Как показано на фиг. 4, легированная Р+ область 10 второго типа проводимости образуется на легированной области кармана Р-типа 3 посредством ионного легирования, при этом Р+ область 10 соединяется с N+ областью 4 и легированной областью кармана Р-типа 3.

(5) Как показано на фиг. 5, вторичная эпитаксиальная канальная область 5 первого типа проводимости и вторичная эпитаксиальная N+ область 6 образуются в последовательности эпитаксиального наращивания на поверхности устройства;

Толщина вторичной эпитаксиальной канальной области 5 составляет менее 2 мкм. Верхняя структура устройства дважды подвергается обработке методом эпитаксиального наращивания вторичной эпитаксиальной канальной области 5 и вторичной эпитаксиальной N+ области 6, при этом концентрация примеси вторичной эпитаксиальной области 5 канала ниже, чем в области латерального легирования кармана Р-типа 7; концентрация примеси вторичной эпитаксиальной N+ области 6 намного выше, чем в области латерального легирования кармана Р-типа; концентрация примеси вторичной N+ области намного выше, чем в области латерального легирования кармана Р-типа 7; концентрация примеси N+ области намного выше, чем в области латерального легирования кармана Р-типа 7, концентрация примеси вторичной эпитаксиальной области 5 намного выше, чем в дрейфовом слое 2. Благодаря такой структуре длина канала на боковой стенке вторичной эпитаксиальной канальной области 5 зависит от толщины эпитаксиального наращивания.

(6) Как показано на фиг. 6, карбидокремниевый проход образуется методом травления.

(7) Как показано на фиг. 7, область латерального легирования кармана Р-типа 7 второго типа проводимости образуется на поверхности устройства методом латерального ионного легирования.

Латеральное ионное легирование используется в области латерального легирования кармана Р-типа 7, а угол сходимости между направлением легирования и поверхностью кристаллической пластины варьируется от 85 до 0 градусов. Посредством данного метода можно образовать канал на боковой стенке и обеспечить достаточную ширину легированной области второго типа на боковой стенке.

(8) Как показано на фиг. 8, оксидный изолирующий слой затвора 8 образуется на области латерального легирования кармана Р-типа 7 посредством высокотемпературного окисления. Толщина наращивания изолирующего слоя затвора варьируется от 0,005 до 1 мкм.

(9) Как показано на фиг. 9, электрод затвора 9 выполняется на изолирующем слое затвора 8 посредством наращивания.

(10) Как показано на фиг. 10, изолирующий диэлектрик 11 наращивается на поверхности устройства.

(11) Как показано на фиг. 11, изолирующее отверстие создается посредством травления.

(12) Как показано на фиг. 12, омический электрод стока 13 выполняется на боковой поверхности субстрата 1 методом металлизации и область омического контакта 12 образуется на одной стороне области латерального легирования кармана Р-области 7 на верхней поверхности устройства посредством высокотемпературного отжига.

Когда электрод затвора 9 применяется с прямым напряжением, проводящий канал обратно пропорционально образуется на поверхности боковой стенки полупроводника в части вторичной эпитаксиальной канальной области 5, взаимодействуя с областью латерального легирования кармана Р-типа 7, и переключающее устройство включается. Когда напряжение, применяемое к электроду затвора 9, постепенно снижается, сопротивление канала стремительно увеличивается, что в дальнейшем приводит к более высокому перепаду напряжения в канале при прохождении тока. Так как N+ область, Р+ область 10 и легированная область кармана Р-типа 3 соединены между собой, потенциалы трех областей являются одинаковыми; генерируемый перепад напряжения приведет к тому, что потенциал эпитаксиального дрейфового слоя 2 будет выше, чем в легированной области кармана Р-типа 3, таким образом, увеличивая ширину обедненной области легированной области кармана Р-типа в эпитаксиальном дрейфовом слое 2. Вместе с постепенным снижением напряжения обедненная область легированной области кармана Р-типа в эпитаксиальном дрейфовом слое 2 будет становиться все больше и больше, что в конечном итоге приведет к полному отключению пути тока в эпитаксиальном дрейфовом слое.

Включение/выключение устройства осуществляется посредством двух вышеописанных способов. Канал на боковой стенке вторичной эпитаксиальной канальной области 5 может быть очень коротким и путь тока эпитаксиального дрейфового слоя 2 может отключаться при условии генерирования достаточно высокого перепада напряжения в процессе отключения без учета эффекта смыкания канала при высоком напряжении. Соответственно, настоящее изобретение имеет большие преимущества в сравнении с предыдущим уровнем техники. В то же время, может использоваться широкий путь тока эпитаксиального дрейфового слоя 2 и поддерживаться положительное заданное напряжение, что обуславливает преимущества настоящего изобретения в сравнении со стандартным карбидокремниевым полевым транзистором с управляющим р-n переходом. При нормальной работе устройство находится в выключенном состоянии.

1. Карбидокремниевое переключающее устройство, включающее субстрат, отличающееся тем, что дрейфовый слой первого типа проводимости, легированная область кармана Р-типа второго типа проводимости, образованная способом ионного легирования, N+ область первого типа проводимости, образованная способом ионного легирования, и легированная Р+ область второго типа проводимости, образованная способом ионного легирования, располагаются над субстратом;

вторичная эпитаксиальная канальная область первого типа проводимости и вторичная эпитаксиальная N+ область последовательно располагаются над дрейфовым слоем первого типа проводимости; область латерального легирования кармана Р-типа второго типа проводимости образуется способом латерального ионного легирования на поверхности устройства;

оксидный изолирующий слой затвора располагается над областью латерального легирования кармана Р-типа; электрод затвора располагается над изолирующим слоем затвора; изолирующий диэлектрик располагается над электродом затвора; и

омический электрод стока располагается под субстратом и область омического контакта - на одной стороне области латерального легирования кармана Р-типа над устройством.

2. Переключающее устройство по п. 1, отличающееся тем, что глубина легирования легированной области кармана Р-типа второго типа проводимости меньше, чем глубина дрейфового слоя первого типа проводимости, а исходная глубина N+ области первого типа проводимости и исходная глубина легированной Р+ области второго типа проводимости меньше, чем глубина легированной Р+ области второго типа проводимости.

3. Переключающее устройство по п. 1, отличающееся тем, что концентрация примеси вторичной эпитаксиальной N+ области выше, чем в области латерального легирования кармана Р-типа, а концентрация примеси N+ области выше, чем в области латерального легирования кармана Р-типа.

4. Переключающее устройство по п. 1, отличающееся тем, что концентрация примеси области латерального легирования кармана Р-типа выше, чем во вторичной эпитаксиальной канальной области.

5. Переключающее устройство по п. 1, отличающееся тем, что концентрация примеси вторичной эпитаксиальной канальной области выше, чем в дрейфовом слое.

6. Переключающее устройство по п. 1, отличающееся тем, что толщина вторичной эпитаксиальной канальной области составляет менее 2 мкм.

7. Переключающее устройство по п. 1, отличающееся тем, что толщина наращивания изолирующего слоя затвора варьируется от 0,005 до 1 мкм.

8. Способ изготовления карбидокремниевого переключающего устройства, включающий следующие шаги:

(6) образование карбидокремниевого прохода на вторичной эпитаксиальной канальной области и вторичной эпитаксиальной N+ области способом травления;

(7) образование области латерального легирования кармана Р-типа второго типа проводимости на поверхности устройства способом латерального ионного легирования;

(9) изготовление электрода затвора на одной стороне поверхностности устройства способом наращивания;

(10) наращивание изолирующего диэлектрика на поверхности устройства;

(11) создание отверстия в изолирующем диэлектрике и изолирующем слое затвора способом травления; и

(12) изготовление омического электрода стока на боковой поверхности субстрата способом металлизации и образования области омического контакта на одной стороне области латерального легирования кармана Р-области на верхней поверхности устройства посредством высокотемпературного отжига.

9. Способ изготовления карбидокремниевого переключающего устройства по п. 8, отличающийся тем, что угол сходимости между направлением легирования и поверхностью устройства в шаге (7) варьируется от 85 до 0 градусов.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении транзисторов на пластине кремний на изоляторе (КНИ) с широкой областью применения.

Способ изготовления транзистора с независимым контактом к подложке // 2739861

Изготовление свободного от дефектов устройства на основе ребра в области поперечного эпитаксиального наращивания // 2737136

Изобретения могут быть использованы в электронных устройствах на подложке, например в транзисторах, интегральных схемах и т.д. Ребра электронного устройства могут быть сформированы путем эпитаксиального выращивания первого слоя материала поверх поверхности подложки на дне щели, сформированной между боковыми стенками областей узкощелевой изоляции (STI).

Полупроводниковое устройство и способ его изготовления // 2719569

Изобретение относится к полупроводниковому устройству и способу его изготовления. Полупроводниковое устройство содержит первую дрейфовую область (4) с первым типом проводимости, сформированную на первой основной поверхности подложки (1), и вторую дрейфовую область (41) с первым типом проводимости, сформированную на первой основной поверхности подложки (1), причем вторая дрейфовая область формируется таким образом, что она доходит до более глубокой позиции подложки (1), чем позиция первой дрейфовой области (4).

Датчик, способ его изготовления и электронное устройство // 2710383

Датчик, способ его изготовления и электронное устройство. Датчик (100) включает в себя: несущую подложку (101), тонкопленочный транзистор (102) (TFT), расположенный на несущей подложке и включающий в себя электрод (1025) истока, первый изоляционный слой (106), расположенный на TFT (102) и содержащий первое сквозное отверстие (1071), проходящее через первый изоляционный слой (106), проводящий слой (1031), расположенный в первом сквозном отверстии (1071) и на части первого изоляционного слоя (106) и электрически соединенный с электродом (1025) истока через первое сквозное отверстие (1071), смещающий электрод (1032), расположенный на первом изоляционном слое (106) и отдельный от проводящего слоя (1031), активный считывающий слой (1033), соответственно, соединенный с проводящим слоем (1031) и смещающим электродом (1032), и вспомогательный проводящий слой (1034), расположенный на проводящем слое (1031).

Способ изготовления полевого транзистора // 2706296

Способ изготовления полевого транзистора, включающего в себя слой первого оксида и слой второго оксида и образующего передний канал или задний канал в области, где слой первого оксида и слой второго оксида прилегают друг к другу, при этом способ включает в себя формирование слоя второго прекурсора, который является прекурсором слоя второго оксида, таким образом, чтобы он был в контакте со слоем первого прекурсора, который является прекурсором слоя первого оксида, и затем преобразование слоя первого прекурсора и слоя второго прекурсора в слой первого оксида и слой второго оксида, соответственно, при этом формирование включает в себя как обработку (I), так и обработку (II), приведенные ниже, а именно, (I) обработку нанесением жидкости для покрытия, формирующей прекурсор первого оксида, которая может образовывать прекурсор первого оксида и содержит растворитель, и затем удаление растворителя для образования слоя первого прекурсора, который является прекурсором слоя первого оксида, и (II) обработку нанесением жидкости для покрытия, формирующей прекурсор второго оксида, которая может образовывать прекурсор второго оксида и содержит растворитель, и затем удаление растворителя для образования слоя второго прекурсора, который является прекурсором второго слоя оксида, а также одновременное выполнение термообработки для преобразования слоев первого и второго прекурсоров в слои первого и второго оксидов.

Полупроводниковое устройство // 2705761

Полупроводниковое устройство включает в себя: канавку электрода затвора, сформированную в контакте с дрейфовой областью, областью кармана и областью истока; электрод затвора, сформированный на поверхности канавки электрода затвора через изолирующую пленку; канавку электрода истока в контакте с канавкой электрода затвора; электрод истока, электрически соединенный с областью истока; и проводку затвора, электрически изолированную от электрода истока и сформированную внутри канавки электрода истока в контакте с электродом затвора.

Тонкопленочный транзистор, запуск затвора на матрице и содержащее его устройство отображения, и способ его изготовления // 2705754

Изобретение раскрывает тонкопленочный транзистор, включающий в себя базовую подложку, активный слой на базовой подложке, содержащий первую полупроводниковую область, вторую полупроводниковую область и множество полупроводниковых мостов, каждый из которых соединяет первую полупроводниковую область и вторую полупроводниковую область, причем данное множество полупроводниковых мостов разнесено друг от друга, при этом данный активный слой выполнен из материала, содержащего М1ОаNb, причем М1 представляет собой один металл или комбинацию металлов, а>0 и b≥0, слой остановки травления на стороне активного слоя, дальней от базовой подложки, причем первая полупроводниковая область содержит первый неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку, и вторая полупроводниковая область содержит второй неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку, первый электрод на стороне первого неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке, и второй электрод на стороне второго неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке.

Полевой транзистор, отображающий элемент, устройство отображения изображения и система // 2702802

Изобретение относится к полевым транзисторам и устройствам отображения изображения. Полевой транзистор включает в себя электрод затвора, электрод истока и электрод стока, активный слой, который сформирован между электродом истока и электродом стока, и изолирующий слой затвора, который сформирован между электродом затвора и активным слоем, активный слой включает в себя по меньшей мере два вида оксидных полупроводниковых слоев, в том числе слой A и слой B, причем активный слой включает в себя три или более оксидных полупроводниковых слоев, в том числе два или более слоев A, и при этом активный слой является многослойной структурой АВА из трех слоев, которые представляют собой слой А, слой В и слой А, размещенные друг над другом в этом порядке, один из слоев А находится в контакте с изолирующим слоем затвора, и другой из слоев А находится в контакте с электродом истока и электродом стока.

Полупроводниковое устройство // 2702405

Полупроводниковое устройство включает: подложку, область дрейфа первого типа проводимости, образованную на основной поверхности подложки, карман второго типа проводимости, образованный в основной поверхности области дрейфа, область истока первого типа проводимости, образованную в кармане, канавку затвора, образованную от основной поверхности области дрейфа в перпендикулярном направлении, находящуюся в контакте с областью истока, карманом и областью дрейфа, область стока первого типа проводимости, образованную в основной поверхности области дрейфа, электрод затвора, образованный на поверхности канавки затвора с размещенной между ними изолирующей пленкой затвора, защитную область второго типа проводимости, образованную на обращенной к области стока поверхности изолирующей пленки затвора, и область соединения второго типа проводимости, образованную в контакте с карманом и защитной областью.

Способ изготовления транзистора с независимым контактом к подложке // 2739861