Устройство для выращивания кристаллов из раствора при постоянной температуре

Авторы патента:

Крамаренко Владимир Анатольевич (RU)

Y10T117/1024 -

C30B35/00 - Выращивание монокристаллов непосредственно из твердого состояния (однонаправленное разделение эвтектик на составные части C30B 3/00; под защитной жидкостью C30B 27/00)

C30B29/14 - фосфаты

Владельцы патента RU 2745770:

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)

Изобретение относится к области кристаллографии, а более конкретно к устройствам для выращивания кристаллов из растворов, например к технике скоростного выращивания кристаллов группы КДР (KH₂PO₄), в том числе, в промышленных масштабах. Устройство для выращивания кристаллов из раствора при постоянной температуре содержит кристаллизатор 1, снабженный гидравлическим контуром 7 циркуляции раствора, в котором установлен насос 8, фильтр 9 и регулируемый дроссель 11, подключенный через штуцер к кристаллизатору 1, при этом к кристаллизатору 1 двумя гидравлическими линиями подключен компенсационный сосуд 13, одна гидравлическая линия – выходная 12 - соединяет выходной патрубок кристаллизатора 1 непосредственно с выходным патрубком компенсационного сосуда 13, а другая – входная 14 - соединяет линией контура циркуляции раствора 7 выходной патрубок кристаллизатора 1 с входным патрубком компенсационного сосуда 13, компенсационный сосуд 13 снабжен крышкой 16 с кольцевым выступом вокруг сквозного отверстия, на крышке 16 с зазором относительно выступа размещен конденсатор 17, к полости между выступом крышки 16 и внутренней стенкой конденсатора 17, предназначенного для сбора конденсата, подключен патрубок с клапаном 19, обеспечивающим периодический слив конденсата, в крышке 16 дополнительно выполнено отверстие для установки дозирующего средства 23 подачи соли или лома кристаллов в компенсационный сосуд 13, кристаллизатор снабжен датчиком температуры раствора 4, подключенным к средству термостатирования 6 кристаллизатора 1, а компенсационный сосуд 13 снабжен датчиком температуры 21, подключенным к нагревателю 15, размещенному в линии связи 14 сосуда 13 с контуром циркуляции раствора 7 в кристаллизатор 1. Средство термостатирования 6 кристаллизатора 1 может быть выполнено в виде рубашки водяного охлаждения или воздушного вентилятора. Дозирующее средство 23 подачи соли или лома кристаллов в компенсационный сосуд 13 выполнено в виде воронки или перфорированного контейнера, заполненного солью или ломом кристаллов. Конденсатор 17 имеет сферическую форму, а компенсационный сосуд 13 снабжен мешалкой 18. За счет условий поддержания в процессе роста постоянной температуры и концентрации раствора получают кристаллы КДР высокого качества. 6 з.п. ф-лы, 1 пр., 1 ил.

Изобретение относится к области кристаллографии, а более конкретно к устройствам для выращивания кристаллов из растворов, например, к технике скоростного выращивания кристаллов группы КДР (KH₂PO₄) при условии поддержания в процессе роста постоянной температуры и концентрации раствора.

Кристаллы КДР и кристаллы дейтерированного ДКДР (KD₂PO₄) дигидрофосфата калия широко применяются в качестве нелинейных оптических кристаллов и сегнетоэлектриков. Наиболее часто используемым электрооптическим кристаллом является ДКДР с дейтерированием более 95%. Эти кристаллы выращивают путем кристаллизации из водного раствора. Учитывая этот фактор, выращивание названных кристаллов высокого качества имеет большое практическое значение.

Известно устройство для выращивания кристаллов типа КДР из раствора, содержащее кристаллизатор, включенный в гидравлический контур циркуляции раствора, в котором установлен насос, фильтр и нагреватель. В этом устройстве входной и выходной патрубки кристаллизатора соединены перепускным каналом, причем перепускной канал и входной патрубок снабжены клапаном с регулируемым дросселем.

Перепускной канал включен в контур циркуляции раствора, в котором температура существенно выше температуры насыщенного раствора. Концентрация вещества в таком перегретом растворе равна концентрации вещества, выходящего из кристаллизатора (патент РФ RU 2285068, "Способ выращивания кристаллов из раствора и устройство для его осуществления", МПК С30В 7/08, опубл. 10.10.2006, приор. 18.03.2005 г.

Основным недостатком данного технического решения является то, что в таком кристаллизаторе нельзя выращивать, например, кристаллы КДР с высокой степенью дейтерирования т.е. более 95%, поскольку кристаллы с такой степенью дейтерирования можно выращивать при температуре ниже 40°С [L.N. Rashovich,//KDP-family Single Crystal, «AdamHilger, Bristol, Philadelphia and NewYork», 1991, p. 16.]

Технической задачей предлагаемого изобретения является создание устройства, обеспечивающего выращивание кристаллов группы КДР при постоянной температуре раствора и его постоянной концентрации, при температурах близким к комнатной.

Технический результат - получение кристаллов группы KDP высокого качества.

Поставленные техническая задача и результат достигаются устройством для выращивания кристаллов из раствора при постоянной температуре, содержащим кристаллизатор, снабженный гидравлическим контуром циркуляции раствора, в котором установлен насос, фильтр и регулируемый дроссель, подключенный через штуцер к кристаллизатору, к последнему двумя гидравлическими линиями подключен компенсационный сосуд, одна из которых – выходная - соединяет выходной патрубок кристаллизатора непосредственно с выходным патрубком компенсационного сосуда, а другая – входная - соединяет линией контура циркуляции раствора выходной патрубок кристаллизатора с входным патрубком компенсационного сосуда, при этом компенсационный сосуд снабжен крышкой с кольцевым выступом вокруг сквозного отверстия, на крышке с зазором относительно выступа размещен конденсатор, к полости между выступом крышки и внутренней стенкой конденсатора, предназначенного для сбора конденсата, подключен патрубок с клапаном, обеспечивающим периодический слив конденсата, в крышке дополнительно выполнено отверстие для установки дозирующего средства подачи соли или лома кристаллов в компенсационный сосуд, кристаллизатор снабжен датчиком температуры раствора, подключенным к средству термостатирования кристаллизатора, а компенсационный сосуд снабжен датчиком температуры, подключенным к нагревателю, размещенному в линии связи сосуда с контуром циркуляции раствора в кристаллизаторе.

Средство термостатирования кристаллизатора может быть выполнено в виде рубашки водяного охлаждения или воздушного вентилятора. Дозирующее средство подачи соли, примесей или лома кристаллов в крышке компенсационной емкости может быть выполнено в виде воронки, либо в виде перфорированного контейнера, заполненного солью, примесью или ломом кристаллов. Конденсатор имеет сферическую форму. В компенсационной емкости может устанавливаться мешалка.

Схема предлагаемой установки представлена на чертеже.

Устройство содержит кристаллизатор 1, внутри которого на кристаллоносце 2 размещается кристалл 3. Температура раствора в кристаллизаторе 1 замеряется датчиком температуры 4, подключенным через контроллер 5 к вентилятору 6. Поступление раствора в кристаллизатор осуществляется через линию 7, насос 8, фильтр 9, линию 10 и регулируемый дроссель 11. Выходной штуцер кристаллизатора 1 линией 12 подключен непосредственно к компенсационному сосуду 13. Линия 14 связывает циркуляционный контур с сосудом 13. В линии 14 размещен нагреватель 15. Сосуд 13 снабжен крышкой 16, на которой установлен конденсатор 17. С целью равномерного стекания конденсата растворителя по внутренней стенке конденсатор имеет сферическую форму. Для интенсификации установления однородности циркулирующего раствора в компенсационной емкости 13 применяется мешалка 18. Слив раствора из кармана между выступом крышки 16 и внутренней поверхностью конденсатора 17 производится через клапан 19 в емкость 20. Датчик температуры 21 раствора в компенсационной емкости 13 через контроллер 22 подключен к нагревателю 15. В крышке 16 выполнено отверстие, в котором размещен дозатор 23.

Установка функционирует следующим образом.

После заполнения системы раствором и выхода ее на рабочий режим обеспечивают поддержание в кристаллизаторе 1 температуры роста кристалла Т_рост., которая может быть равна температуре насыщения Т_нас, если рост осуществляется контролируемым введением вещества в раствор в компенсационную емкость 13 через дозатор 23, или ниже температуры насыщения Т_нас., если в процессе роста кристалла сконденсированный растворитель отводят из компенсационного сосуда. Температура циркулирующего раствора Т всегда выше температуры насыщения Т_нас.. Такая температура Т в компенсационной емкости 13 поддерживается нагревателем 15. Кроме того, через нее постоянно циркулирует раствор...Это осуществляют путем подачи в нее раствора через линию 7, соединенную с выходным патрубком кристаллизатора, насос 8, фильтр 9, линию 14 и нагреватель 15. Нагреватель 15 включается контроллером 22 по сигналу от датчика температуры 21

Часть раствора по линии 10 через регулируемый дроссель 11 поступает в кристаллизатор 1. Температура в кристаллизаторе 1 поддерживается в режиме Т_рост.=Т_нас.<Т или Т_рост.<Т_нас<Т благодаря охлаждению кристаллизатора вентилятором 6. Включение этого вентилятора производится контроллером 5 по сигналу от датчика 4 температуры в кристаллизаторе 1. Кроме вентилятора возможно применение водяной рубашки вокруг корпуса кристаллизатора, По мере роста кристалла 3, размещенного на кристаллоносце 2, происходит уменьшение концентрации раствора. Для поддержания концентрации раствора в заданном диапазоне необходимо или отводить из него часть растворителя (воды.) или вводить в циркулирующий раствор такое же количество вещества, какое пошло на прирост кристалла. Это достигается тем, что вода в компенсационном сосуде 13 (из-за того, что Т>Т_нас.) испаряется и ее пары конденсируются на стенке конденсатора 17. Конденсат стекает в полость кармана, образованного между стенкой конденсатора 17 и крышкой 16 компенсационной емкости 13. Слив воды из названного кармана в емкость 20 может производиться автоматически или вручную путем открытия клапана 19. Перемешивание раствора в полости компенсационной емкости 13 обеспечивают посредством мешалки 18. Для повышения концентрации вещества в циркулирующем растворе возможно непосредственное добавление в раствор в компенсационной емкости 13 соли или мелких некондиционных кристаллов. Это достигается применением дозатора 23. Последний может быть выполнен в виде перфорированного цилиндра заполненного солью, примесями или мелкими кристаллами. Возможно также применение воронки, через которую загружают названные ингредиенты.

Следует отметить, что режим Т_рост.=Т_нас очень удобен при затравке кристаллизатора. При этом режиме затравка ни растет, ни растворяется и режимом ее регенерации легко управлять, добавляя с помощью дозатора 23 в циркулирующий раствор необходимое количество вещества. Затравку при этом режиме почти невозможно потерять.

Пример работы кристаллизатора.

В кристаллизаторе 1 выращивался кристалл КДП (КН₂РО₄). Температура насыщения (Т_нас.) была близка к комнатной и составляла 35°С. Насыщенный раствор перегревался до 60°С, фильтровался через ядерный фильтр с порами 0,02 мк, а затем при этой температуре заливался в кристаллизатор 1 и компенсационную емкость 13. Объем всей системы составлял примерно 3,5 литра. Включался насос 8 и в системе начиналась постоянная циркуляция раствора. С помощью жидкостного термостата стенки кристаллизатора 1 охлаждались до температуры 40°С. В кристаллизатор была введена прогретая до указанной температуры «точечная» затравка. Температура раствора в компенсационной емкости 13 все время поддерживалась постоянной и была равна 60°С. При этой температуре происходит хорошее испарение растворителя (воды). Затем температура в кристаллизаторе 1 была понижена до температуры роста 30°С (Т_рост..), включена терморегуляция. и с помощью регулировочного винта на дросселе 11 установлено необходимое поступление перегретого до 60°С раствора из компенсационной емкости в кристаллизатор 1. Таким образом, выращивание кристалла КДП велось при постоянной температуре 30°С., а температура в компенсационной емкости 13 составляла 60°С при постоянной циркуляции части раствора через кристаллизатор 1. Чтобы пересыщение раствора не изменялось при росте кристалла, из кармана между выступом крышки 16 и внутренней поверхностью конденсатора 17 (сборник конденсата) периодически вручную, отбирался растворитель (вода) по 5 мл.

Полученный кристалл имел чистые грани и хорошую форму. Скорость роста по оси Z составляла более 10-11 мм / сутки.

Проведенные эксперименты подтвердили возможность выращивания качественных кристаллов КДР в промышленных масштабах.

1. Устройство для выращивания кристаллов из раствора при постоянной температуре, содержащее кристаллизатор, снабженный гидравлическим контуром циркуляции раствора, в котором установлен насос, фильтр и регулируемый дроссель, подключенный через штуцер к кристаллизатору, отличающееся тем, что к кристаллизатору двумя гидравлическими линиями подключен компенсационный сосуд, одна гидравлическая линия – выходная - соединяет выходной патрубок кристаллизатора непосредственно с выходным патрубком компенсационного сосуда, а другая – входная - соединяет линией контура циркуляции раствора выходной патрубок кристаллизатора с входным патрубком компенсационного сосуда, при этом компенсационный сосуд снабжен крышкой с кольцевым выступом вокруг сквозного отверстия, на крышке с зазором относительно выступа размещен конденсатор, к полости между выступом крышки и внутренней стенкой конденсатора, предназначенного для сбора конденсата, подключен патрубок с клапаном, обеспечивающим периодический слив конденсата, в крышке дополнительно выполнено отверстие для установки дозирующего средства подачи соли или лома кристаллов в компенсационный сосуд, кристаллизатор снабжен датчиком температуры раствора, подключенным к средству термостатирования кристаллизатора, а компенсационный сосуд снабжен датчиком температуры, подключенным к нагревателю, размещенному в линии связи сосуда с контуром циркуляции раствора в кристаллизаторе.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что средство термостатирования кристаллизатора выполнено в виде рубашки водяного охлаждения.

3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что средство термостатирования кристаллизатора выполнено в виде воздушного вентилятора.

4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что дозирующее средство подачи соли или лома кристаллов в компенсационный сосуд выполнено в виде воронки.

5. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что дозирующее средство подачи соли или лома кристаллов в компенсационный сосуд выполнено в виде перфорированного контейнера, заполненного солью или ломом кристаллов.

6. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что конденсатор имеет сферическую форму.

7. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что компенсационный сосуд снабжен мешалкой.

Изобретение относится к области роста кристаллов, в частности, к выращиванию смешанных монокристаллов K2(Со,Ni)(SO4)2x6H2O (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров.

Устройство для кристаллизации периодического действия для получения кристаллов шарообразной формы // 2652680

Изобретение относится к устройствам для кристаллизации периодического действия для получения кристаллов, предпочтительно перхлората аммония. Устройство содержит кристаллизатор 1, состоящий из металлического цилиндрического сосуда, внутренняя поверхность которого состоит из материала с твердостью по меньшей мере 120 НВ, предпочтительно по меньшей мере 200 НВ, цилиндрический сосуд имеет овальное или круглое поперечное сечение с коническим или вогнутым днищем 12, оборудованный вдоль его длины двойной рубашкой 4 для охлаждения раствора и/или суспензии раствора и кристаллов и высокоскоростным перемешивающим устройством 8 из материала с твердостью по меньшей мере 120 НВ, предпочтительно по меньшей мере 200 НВ, высокоскоростное перемешивающее устройство 8 оснащено приводом 9, обеспечивающим регулирование скорости и, следовательно, степени воздействия механического действия перемешивающего устройства на округлость кристаллов внутри сосуда вместе с внутренней поверхностью сосуда, содержащего по меньшей мере две перегородки 5 из материала с твердостью по меньшей мере 120 НВ, предпочтительно по меньшей мере 200 НВ, при этом сосуд оборудован по меньшей мере одним отверстием 10 сверху, соединенным по меньшей мере с одним независимым ответвлением контура циркуляции 11 снаружи для ввода нагретого раствора и/или нагретой суспензии раствора и кристаллов с помощью по меньшей мере одного циркуляционного насоса 2 через по меньшей мере один теплообменник 3 для обеспечения вместе с двойной рубашкой 4 регулируемых периодических изменений температур суспензии кристаллов вблизи кривой охлаждения, при этом соединительный трубопровод 13 соединен с днищем 12 сосуда кристаллизатора 1 и по меньшей мере с одним ответвлением контура циркуляции 11.

Способ выращивания смешанных кристаллов сульфата кобальта-никеля-калия для оптических фильтров ультрафиолетого диапазона // 2547739

Изобретение относится к области кристаллографии. Способ включает приготовление маточного раствора с последующим его охлаждением в кристаллизаторе, внутри которого на платформе помещен затравочный кристалл, при этом предварительно готовят отдельно растворы сульфата кобальта, сульфата никеля и сульфата калия путем их растворения в горячей тридистиллированной воде, затем эти растворы смешивают, обеспечивая соотношение сульфата калия кобальта K2Co(SO4)2·6H2O и сульфата калия никеля K2Ni(SO4)2·6H2O - KCSH/KNSH в получаемом маточном растворе в диапазоне от 1:4 до 4:1, часть раствора отбирают для получения в чашке Петри затравочного и пробного кристаллов, уточняют температуру насыщения полученного маточного раствора по изменению размера пробного кристалла и затем фильтруют маточный раствор, платформу с полученным затравочным кристаллом устанавливают внутри кристаллизатора и нагревают до температуры, превышающей температуру насыщения на 10-15°C, подогревают отфильтрованный маточный раствор до температуры, превышающей температуру насыщения на 10-15°C, заливают этот маточный раствор в кристаллизатор, внутри которого находится затравочный кристалл, и ведут охлаждение маточного раствора, находящегося внутри кристаллизатора, до температуры, меньшей температуры насыщения на 0,05-0,1°C, после чего термостатируют раствор в течение 20-28 часов, а затем охлаждают со скоростью 0,05-0,5°C/сутки до комнатной температуры, или после достижения маточным раствором температуры, меньшей, чем температура насыщения на 0,05-0,1°C, включают в реверсивном режиме мешалку и охлаждают раствор до комнатной температуры, по достижении раствором комнатной температуры раствор сливают и извлекают из кристаллизатора полученный кристалл.

Стабильные кристаллические модификации дофх // 2543046

Изобретение относится к новой кристаллической модификации (R)-ДОФХ, которая может использоваться в фармацевтической промышленности. Предложена новая кристаллическая форма ДОФХ и способ ее получения, а также ее применение в качестве компонента при получении лекарственных средств.

Способ выращивания кристаллов из раствора и устройство для осуществления // 2531186

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов, предназначенных для использования в оптико-электронных устройствах. Способ выращивания кристаллов из пересыщенного раствора включает испарение растворителя с поверхности пересыщенного раствора, находящегося внутри кристаллизационного сосуда, конденсацию паров растворителя в верхней части сосуда, перетекание образовавшегося конденсата в нижнюю зону сосуда, при этом конденсат растворителя, собранный в верхней части кристаллизационного сосуда, основным насосом подают в расположенный вне сосуда контейнер, заполненный кристаллическим материалом, что обеспечивает постепенное контролируемое растворение материала, образовавшийся раствор из контейнера подают в зону кристаллизационного сосуда, заполненную пересыщенным раствором, часть раствора дополнительным насосом из верхней части контейнера по байпасной линии вновь направляют в нижнюю часть контейнера, в процессе выращивания кристалла обеспечивают контроль за изменением массы кристаллического вещества, которое находится внутри контейнера, причем по мере израсходования кристаллического вещества в контейнере в результате его растворения производят повторную загрузку контейнера кристаллическим материалом, не прерывая процесс выращивания кристалла.

Способ получения монокристаллов солей серотонина кристаллизацией из водных растворов // 2530093

Изобретение относится к фармацевтической и пищевой отраслям промышленности, в частности к производству биологически активных веществ, которые могут быть использованы как биологически активные добавки.

Способы получения сложного гидросульфатфосфата цезия состава cs5(hso4)2(h2po4)3 // 2481427

Изобретение относится к неорганической химии, в частности к синтезу гидросульфатфосфата цезия состава Cs5(HSO 4)2(H2PO4)3 , который может быть использован в качестве твердого протонпроводящего материала.

Способ выращивания монокристаллов группы kdp на затравку, размещаемую в формообразователе // 2398921

Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейно-оптических эффектов.

Монокристалл гексагидрата сульфата цезия-никеля, способ его выращивания и применение в качестве фильтра ультрафиолетового излучения // 2357020

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов гексагидрата сульфата цезия-никеля Cs2Ni(SO4)2 ·6H2O, которые предназначены для применения в качестве фильтров ультрафиолетового излучения в приборах обнаружения источников высокотемпературного пламени.

Способ выращивания кристаллов из раствора и устройство для его осуществления // 2285068

Изобретение относится к области техники, связанной со скоростным выращиванием кристаллов типа КН2РО4 (KDP) при постоянной фильтрации раствора. .

Осевой неразгруженный компенсатор // 2732334

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов халькогенидов в условиях микрогравитации – важном направлении в космическом материаловедении.