Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Авторы патента:

H01L29/4908 - Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L 31/00-H01L 47/00,H01L 51/00 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L 21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; резисторы

H01L21/336 - с изолированным затвором

H01L21/30 - обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20- H01L 21/26 (изготовление электродов на полупроводниковых телах H01L 21/28)

Владельцы патента RU 2749493:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (RU)

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочного транзистора с пониженным значением токов утечек. Способ изготовления тонкопленочного транзистора включает процессы формирования областей стока, истока, затвора, подзатворного оксида, пленки аморфного кремния на стеклянной подложке. Согласно изобретению пленку аморфного кремния a-Si:H формируют осаждением в ВЧ разряде с разложением в тлеющем разряде дисилана, растворенного в гелии при соотношении He/Si₂H₆=9/1, на стеклянную подложку при давлении газа 130 Па, ВЧ мощности 8 Вт, на частоте 13,56 МГц и температуре подложки 280°С, со скоростью потока газа 200 см³/мин и скоростью осаждения пленки 1,2 нм/с. 1 табл.

Известен способ изготовления тонкопленочного транзистора [Заявка 1276765 Япония, МКИ H01L 29/78] с повышенной подвижностью электронов, созданием в канале на стеклянной подложке квантово-размерной гетероструктуры Si/Ge/Si, которая покрывается изолирующим слоем. Боковые части структуры легируются фосфором для снижения последовательного сопротивления. Затвор из поликремния п-Si слоя изолируется слоем SiO₂. В таких приборах из-за низкой технологичности процесса создания квантово-размерной гетероструктуры Si/Ge/Si, повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры приборов.

Известен способ изготовления тонкопленочного транзистора [Патент 5382537 США, МКИ H01L 21/265] с повышенной подвижностью носителей в канале транзистора путем облучения слоя аморфного кремния a-Si эксимерным лазером с образованием затравочных кристаллов. Затем при температуре 600°С в течении 40 часов в атмосфере азота слой аморфного кремния a-Si, подвергается кристаллизации с формированием крупнозернистого активного слоя.

Недостатками этого способа являются: повышенные значения токов утечек; высокая дефектность; низкая технологичность.

Задача, решаемая изобретением: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается формированием пленки аморфного кремния a-Si:H путем осаждения в ВЧ разряде с разложением дисилана в тлеющем разряде растворенного в гелии при соотношении He/Si2H6=9/l, на стеклянную подложку при давление газа 130 Па, ВЧ мощности 8 Вт, на частоте 13,56 МГц и температуре подложки 280°С, со скоростью потока газа 200 см3/мин и скоростью осаждения пленки 1,2 нм/с.

Технология способа состоит в следующем: наносят на подложку слой аморфного кремния a-Si:H путем осаждения в ВЧ разряде с разложением дисилана в тлеющем разряде растворенного в гелии при соотношении He/Si2H6=9/l, на стеклянную подложку при давлении газа 130 Па, ВЧ мощности 8 Вт, на частоте 13,56 МГц и температуре подложки 280°С, со скоростью потока газа 200 см3/мин и скоростью осаждения пленки 1,2 нм/с. Области тонкопленочного транзистора и контакты к этим областям формируют по стандартной технологии.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 17,2%.

Технический результат: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.

Способ изготовления тонкопленочного транзистора, включающий процессы формирования областей стока, истока, затвора, подзатворного оксида, пленки аморфного кремния на стеклянной подложке, отличающийся тем, что пленку аморфного кремния a-Si:H формируют осаждением в ВЧ разряде с разложением в тлеющем разряде дисилана, растворенного в гелии при соотношении He/Si₂H₆=9/1, на стеклянную подложку при давлении газа 130 Па, ВЧ мощности 8 Вт, на частоте 13,56 МГц и температуре подложки 280°С, со скоростью потока газа 200 см³/мин и скоростью осаждения пленки 1,2 нм/с.

Концентраторный фотоэлектрический модуль содержит монолитную фронтальную панель (3), боковые стенки (1) и тыльную панель (2), по меньшей мере один первичный оптический концентратор (4), по меньшей мере один вторичный оптический концентратор в форме фокона (9), меньшим основанием обращенным к фотоэлектрическому элементу (10) с теплоотводящим элементом (11), размещенным на фронтальной поверхности тыльной панели (2).

Карбидокремниевое переключающее устройство и способ его производства // 2740124

В изобретении раскрывается карбидокремниевое переключающее устройство и метод его изготовления; устройство используется для уменьшения отношения сопротивления канала к сопротивлению устройства во включенном состоянии.

Способ изготовления транзистора с независимым контактом к подложке // 2739861

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении транзисторов на пластине кремний на изоляторе (КНИ) с широкой областью применения.

Способ изготовления составной подложки из sic // 2728484

Изобретение относится к технологии получения составной подложки из SiC с монокристаллическим слоем SiC на поликристаллической подложке из SiC, которая может быть использована при изготовлении мощных полупроводниковых приборов: диодов с барьером Шоттки, pn-диодов, pin-диодов, полевых транзисторов и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), используемых для регулирования питания при высоких температурах, частотах и уровнях мощности, и при выращивании нитрида галлия, алмаза и наноуглеродных тонких пленок.

Полупроводниковое устройство // 2702405

Полупроводниковое устройство включает: подложку, область дрейфа первого типа проводимости, образованную на основной поверхности подложки, карман второго типа проводимости, образованный в основной поверхности области дрейфа, область истока первого типа проводимости, образованную в кармане, канавку затвора, образованную от основной поверхности области дрейфа в перпендикулярном направлении, находящуюся в контакте с областью истока, карманом и областью дрейфа, область стока первого типа проводимости, образованную в основной поверхности области дрейфа, электрод затвора, образованный на поверхности канавки затвора с размещенной между ними изолирующей пленкой затвора, защитную область второго типа проводимости, образованную на обращенной к области стока поверхности изолирующей пленки затвора, и область соединения второго типа проводимости, образованную в контакте с карманом и защитной областью.

Система связи, устройство связи, способ связи и энергонезависимый считываемый компьютером носитель, хранящий программу // 2697735

Изобретение относится к области связи. Техническим результатом изобретения является обеспечение системы связи, способной предотвращать появление ряда сигналов управления, которые могут происходить в системе мобильной связи, когда удаляется виртуальная машина (VM) в устройстве узла без приостановки услуги.

Способ получения пластины монокристалла нитрида галлия // 2683103

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, а именно к получению пластин монокристалла широкозонного нитрида галлия (GaN) с гексагональной кристаллической решеткой.

Тонкопленочный транзистор // 2672979

Тонкопленочный транзистор (100) содержит затвор (10), исток (30) и сток (50). Исток и сток расположены параллельно над затвором.

Способ контроля конструкции с мдп-структурой в тонкопленочных транзисторах и система для осуществления контроля // 2665263

Изобретение относится к области техники жидкокристаллических дисплеев, в частности к контролю конструкции с МДП-структурой (структурой металл - диэлектрик - полупроводник) в ТПТ (тонкопленочных транзисторах) и его системе.

Тонкопленочный транзистор с низким контактным сопротивлением // 2662945

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору (TFT), содержащему подложку (100) со слоем (101) электрода затвора, наложенным и структурированным на ней, и изолирующим слоем (102) затвора, наложенным на слой электрода затвора и подложку.

Способ производства структуры единичной ячейки силиконово-карбидного моп-транзистора // 2749386

Изобретение относится к способам изготовления одноячеечной структуры карбидокремниевого полевого МОП-транзистора. Согласно изобретению предложен способ изготовления структуры карбидокремниевого полевлшл МОП транзистора, в котором область проводящего канала имеет изогнутую форму и состоит из трех областей, при этом между первыми смежными областями расположены четвертые области, благодаря чему общая длина области вертикального проводящего канала может существенно увеличиваться, снижая, таким образом, отношение сопротивления канала к сопротивлению во включенном состоянии.