Пленочный нулевой фильтр с регулируемой резонансной частотой
О П И C-.-À- Н И Е
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
Союз Советскив
280704
Соииалистекескик
Республик
K ЛВТОР ОМУ CBHQETERbCTBJ
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 06.1.1969 (№ 1294128/26-9) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет—
Опубликовано 03 1Х.1970. Бюллетень № 28
Дата опубликования описания 2.111.1971
Кл. 21@, 34 йоититет по делам изобретений и открытий ври Совете твииистров
СССР
ЧПК Н 031т 7/28
УДК 621.372.852.15 (088.8):
Автор изобретения
А. С. Васильев
Московский ордена Трудового Красного Знамени инженерно-физический институт
Заявитель
ПЛЕНОЧНЫЙ НУЛЕВОЙ ФИЛЬТР С РЕГУЛИРУЕМОЙ
РЕЗОНАНСНОЙ ЧАСТОТОЙ
Изобретение. предназначено для использования в каналах обратной связи микроэлектронных избирательных усилителей с регулируемой резонансной частотой.
Известный нулевой фильтр, состоящий из распределенной RC-структуры и сопротивления основания, подключенного к ее металлическому слою, имеет недостаток, заключающийся в том, что резонансную частоту в нем можно регулировать только одновременным изменением двух элементов схемы. Это объясняется тем, что регулирование резонансной частоты изменением полной емкости RC-структуры в условиях пленочной технологии в настоящее время невозможно, поэтому приходится изменять либо полное сопротивление
КС-структуры, либо величину специально подключенного внешнего элемента, например сопротивления, Между началом и концом
RC-структуры. В обоих случаях нарушается нулевой баланс фильтра, для восстановления которого в процессе регулирования приходится одновременно изменять и величину сопротивления основания. Двухэлементное регулирование резонансной частоты в указанном фильтре усложняет технологию его изготовления и затрудняет процесс регулирования.
Изобретение позволяет производить .регулирование резонансной частоты изменением одного сопротивления с сохранением качественной настройки во.всем диапазоне частот регулирования.
Предлагаемая схема пленочного нуле)вого фильтра, изображенная на чертеже, содержит распределенную RC-структуру 1 и сопротивление Основания 2, подключен ное к ее металлическому слою. Схема отличается от .известной тем, ITQ, с целью упрощения регулирования резонансной частоты в нее,введен
1ц однокаскадный усилитель на:транзисторе <3, работающий в одном режиме с общим эмиттером, с внешним эмиттерным резистором 4 и регулируемы|м коллекторным резистором 5.
Вход усилителя (базовый контакт транзисто15 ра) подключен ко входу фильтра, а коллекторный выход — к сопротивлению основания.
Цепь, обеспечивающая режимный ток базы, может быть произвольной {на чертеже не .показана). В зависимости от конкретных условий могут использоваться как и — р — rl-, так и р — и — р-транзисторы.
Действие схемы основано на том, что при регулировании коэффициента передачи усилителя (с помощью сопротивления 5) изменяются условия баланса фаз, что приводит к изменению резонансной частоты. Сопротивление 4 стабилизирует коэффициент пепела: ° усилителя по отношению к разбросу, температурным и режимным изменениям параметров транзистора. Для этой цели величина сопро280704 Предмет изобр етения ф
1 8
Составитель В. Нагорнов
Техред 3. Н. Тараненко Корректоры Т. А. Китаева и Л. Б. Бадылама
Редактор В. П. Борисова
Заказ 7567 Тира>к 480 Подписное
ЦНИИ ПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Обласд|ая типография Костромского управления по печати тивления 4 должна быть ранна .не менее чем .нескольким сотням ом. Тип транзистора не влияет на коэффициент передачи усилителя, Пленочный нулввой фильтр с регулируемой резонансной частотой, содержащий ра спределекную RC-структуру, сопротивление осно вания, подключенное к ее металлическому.слою и усилитель на транзисторе, содержащий,два резистора, включенные соответственно в эмиттерную и коллекторную цепи, отличающийся аем, что, с целью упрощения перестройки
5 фильтра,.выход указанного усилителя подключен к сопротивлению основания, а его вход— к,входу распределенной RC-структуры, причем резистор, включенный ia коллекторную цепь,:выполнен переменным.
