Фотоэлектронная защита

 

285499

Союз Советских

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Х АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Социалистических

Республик

Зависимое от азт. сви детельсDBB №вЂ”

Заявлено 26.Х1.1968 (№ 1286892/25-27) Кл. 58Ь, 16 -Ф=®К с присоединением заявки Жо— йомитет по делам изобретений и открытий при Сонете Министрое

СССР

Приор итет—

Оп блпковаио 29.Х.1970. Бюллетень Л 33

ЧПК В ЗОЬ 15/28

УДК 62,758.2 (088.8) Дата опубликования описания 24.1 J f,1971

Автор изооретенпя

3. Г. Маглакелидзе

Тбилисский научно-исследовательский институт приборостроения и средств автоматизации

Заявитель

ФОТОЗЛEI(TPOHНАЯ 3AЩИТА

Предмет изобретения

Изобретение .может быть использовано при автоматизации кузнечно-а1 рессового обо рудования для защ иты при работе íà IHpQccBx.

Из вестна фотоэлектронная защита, предназначеиная для л1речот вращени я п у с ка lllpeocB прои нахождении рук в штавпп olBQAI .про спранст вс, содержащая о светитель, рези спо ры, тра|нзисторы, .испол нителинос реле и соп р оч1и вления.

Фотоэлектронная защита осуществляется

IIpH помощи фототранзистора, который в случае пре1сращения светового луча;воздействует на мостовую,схему, сбалансированную резцсторами, и вызывает разбаланс. Пр и этом, увеличение кол ичест ва лучей ограничено перегрузкой схемы, т ребуегся подгонка сопротивлений моста, увеличение или уменьшение источ ников света вносит за собой .ввод ил и вывод резисторов в плеч и мо|ста путем переключения.

Кроме того, для уменьшен|ия напряжен-IH ,на транзисторе в схему специально вводится делитель. Для упрощения схемы и повышения

iHBIQ8iKHости защиты предлагаемая фотоэлектронная защита строжится по схеме сравнения с диода,ми.

Предлагаемая схема показана IHB чертеже.

Она состоит из осветителя 1, схемы сравнения на фоторезисторах 2 и 8, резисторах 4 и 5 и диодах 6 и 7, транзистора 8 и иополнительного реле 9 с н. о. контактом 10:и сопротивлениями 11 и 12.

Фотоэлектронная защита J) BîoòBåò следу,оп..им образом.

В цепи у пра вле ния передвижного пресса использован,н. о. контакт исполнительного реле. которое.:питается оТ транзистора.

При нормально освещенном фоторсзисторе 2 (или 3) от схемы сравнения IB аноды

>р диодов поступает отрицательное напряжен Ie, и они остаются запертыми, С сокращением доступа света сопропивленпе фоторезисторов сильно:воз растает, .напряжение перераспределяется, и,на аноды диодов,поступает положи15 тельное на пряжение. Транзистор запирается, пс полнительнае реле,обесточивается, размыкает и. о. контакт.и выключает реле электромагнитной муфты. В результате ползун астап авл ив а ется.

2Р

Фотоэлектронная защита, содержащая о=25 ветитель, фоторезистары, lllocTQBHHbIB рез исторы, тра нзпстор и HiGIIoJIIHlHTOJII H08 реле, оТ >Iàпаюи1аяся тем, что, с целью упрощения схемы и:повышения надежности защиты, она снабжена диода ми, через которые фоторезисторы

Зр и:постоянные резисторы соединены с транз,и285499! 1

Составитель Г. Ильин

Гедактор Т. Юрчикова

Корректор Г. С. Мухина

Техред Л. В. Куклина

?акав 8088 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по дел ам нзобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Ооластн ая типография Косвромского управления по пе ити сторами, служащими для прапускания,положительного напряжения,на базу транзистора

IlpH прекращеши1 доступа света на один з 1

1 фоторезисторов,п .обеспечивающими запирание транзистора и размыкание цепи питания исполнительного реле.