Активный элемент электронных схем
0 П И С А Н И Е 2961 У9
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Сова Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 13.VI.1968 (¹ 1248230(26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 12.11.1971. Бюллетень ¹ 8
Дата опубликования описания 18Х.1971
МПК, Н Oll 5,00
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.3.032 (088.8) Л вторы изобретения
А. С. Сухариер, С. В. Загребнева, Е. Н. Петров, В. М. Сучилин и В. M. Трусаков
Заявитель
АКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ
Предмет изобретени я
Изобретение относится к области радиотехнической промышленности, а именно к микроминиатюрным активным элементам электронных схем.
Известен активный элемент электронных схем, предназначенньш для преобразования электрических сигналов, содержащий эмиттер электронов на основе тонких структурнодискретных металлических пленок.
Недостаток известного элемента состоит в том, что из-за наличия тока в цепях всех электродов его применение для усиления слабых электрических сигналов ограничено.
Целью изобретения является обеспечение усиления слабых электрических сигналов.
Это достигается тем, что активный элемент снабжен одним или несколькими дополнительными управляющими электродами, усиленными слоями диэлектрика, прилегающими к структу ре со стороны, противоположной эмиттеру.
На фиг. 1, 2 и 3 показаны возможные варианты конструкции активного элемента.
Конструкция содержит эмиттеры I, 2 и 3, коллектор 4, пленочный основной диэлектрик 5 и вспомогательные управляющие электроды 6, прилегающие к основному диэлектрику со стороны, противоположной эмиттерам.
В связи с тем, что эмптгер имеет дискретную структуру, электрическое поле электродов 6 способно проникнуть сквозь эмиттер в пространство между эмиттером и коллектором 4 и изменить ток коллектора.
Проведенные эксперименты показали, что осаждение митированных электронов на дпэчектри) 5 (В пределах эмпттера 1) под действием поля, нормального и эмиттеру, не при1о водит к ухудшению эксплуатационных параметров эмиттера.
Для увеличения механической прочности конструкции можно использовать вспомогательный диэлектрик 7, прилегающий к электродам 6.
Можно использовать достаточно прочны и (не очень тонкий) электрод 6 — в этом случае необходимость в дополнительном диэлектрике 7 отпадает. f®
Для создания предложенной конструкци могут быть использованы известные методы микроэлектроники, в частности вакуумное напыление через соответствующие трафареты.
Активный элемент электронных схем, предназначенный для преобразования электрических сигналов, содержащий эмиттер электро Риг. 3 Риг 2
Составитель A. Мерман
1 едактор М. В. Макарова Г(х()ед T. П, Kypnлко liоррсктори: В. Ilетрова и Е. Ласточкина
Заказ (250/(О И u, № 556 Тираж 473 Подписное
Ц((ИППИ Комитета по делам изобретений п открытий прп Совете Министров ССС(з
Москва, ЗК-;35, Раушская иаб., д. 4/5
Типографии, Jl(). CBllyíîBà. 2 нов на основе тонких структурно-дискретных металлических пленок, отличающийся тем, что, с целью обеспечения усиления слабых электрических сигналов, он снабжен одним или несколькими дополнительнымн управляющими электродами, усиленными слоями ди:- лектрика, прилегающими к структуре со сторон(я, противоположной эмиттеру.
