Устройство для записи информации^ct:uuruor-iarlпатениш- тшй^еш!^ еиблиотша
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
304626
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 28.111.1969 (№ 1322447/28-12) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 25Х.1971. Бюллетень № 17
Дата опубликования описания 6Х1I.1971
МПК G 11Ь 11/08
Комитет ло делам изобретений и открытий ори Совете Министров
СССР
УДК 681.646(088.8) Авторы изобретения
В. П. Азовцев, Ю. П. Гущо и О. H Таленский
Заявители
Всесоюзный научно-исследовательский кинофотоинститут и Московский институт радиотехники, электроники и автоматики в» - Ъ !
3ЛИ1Ь6-й- сж"! E Xk
ЕИБЯИОт ЫА
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ
Изобретение относится к технике записи информации на деформируемых термопластических носителях электрофотографическим способом.
Известно устройство для записи информа- 5 ции, iB котором блок управления выполнен:в виде металлаволокнистой пластины. На одну из ее сторон на торцы металлических стержней нанесен фотополупро водниковый слой, покрытый прозрачной электропроводящей 10 пленкой.
Известное устройство з начительно ограничивает спектральную область лрименения фотополупроводникового слоя.
Описываемое устройство позволяет повы- 15 сить однородность электрических свойств фотополупроводникового слоя, устранить .паразитную засветку .считывающим световым потоком.
Указанные недостатки устраняются в ре- 20 зультате того, что на каждую сторону металловолокнистой .пластины нанесены дырчатые электроды, один .из которых покрыт,фотополупроводниковым слоем, а другой — пассивным слоем — сопротивлением. 25
На чертеже схематически изображено устройство для записи, информации.
На прозрачную основу 1, покрытую электропроводящим слоем 2, нанесен термопластпческий, слой 8, например, на основе полистп- 30 рола толщиной 20 лтклт. На расстоянии 20—
30 лтклт от поверхности слоя 8 помещена металловолоконная пластина 4.
Пластина 4 изготовлена пз диэлектрического материала, например непрозрачного стек;I3, сквозь который протянуты тонкие металлические волокна 9. Слой 5 может быть изготавле н, например, пз CdSe и иметь толщину приблизительно 2 яклт. Слои 6 .и 7 можно изготовить, например, из платины.
В местах, соответствующих выходу волокон
9 на обе поверхности пластины 4,,в слоях б и 7 выполнены отверстия. Слой 5,и слой сопротивление 8, нанесенные соответственно ,на слои б и 7, имеют электрические контакты с волокнами 9. Для обеспечечия омических контактов концы волокон 9 могут быть специально обработаны,,напрпмер позолочены.
Кроме того, слой 5 имеет контакты со слоем
6, а слой 8 — со слоем 7. Слой — сопротивление 8 может быть изготовлен, например, из силицида кремния.
Электропроводящие слои 2, 6 и 7 подключены к различным, полюсам источника 10 напряжен.ия.
При экспонировании фотополупроводнико вого слоя 5 световым изображением (стрелки) вследствие изменения сопротивления слоя 5 изменяется ток, протекающий через металлические волокна пластины 4. Это вызывает из304626
5 4
Типография, пр. Сапунова, 2 менение потенциалов металлических волокон, которое зависит от величины тока, и следовательно, распределение потенциалов металлических волокон соответственно световому изображению. 5
Таким образом, электрическое поле, возникающее между поверхностью металловолоконной,пластины, обращенной к термопластическому слою 8, и электропроводящим слоем 2, модулируется изображением, и на 10 поверхности слоя З,возникает электрический рельеф, соответствующий световому изображению. Электрический рельеф может быть п реобразован в механические деформации поверхности слоя 8 путем доведения последнего каким-либо,из извсстнь:v способов (например, высокочастотным нагревом слоя 2) до размягченного .состояния. Механические деформации смогут быть зафиксированы, а после этого воспроизведены в форме светового изображения с.помощь1о из вестзиых систем щелевой оптики.
Из изложенного .выше ясно, что данное устройство не накладывает строгих ограничений на толщину фотополупроводникового слоя 5, в частности, допускается применение сравнительно тонких слоев. Изготовление тонких однородных по электрическим свойствам слоев не,вызывает существенных затруднений. Таким образом удается устранить помехи, возникающие из-за неоднород нос ги электрических свойств слоя 5.
Так как металловолоконная пластина 4 изготавливается сиз непрозрачного материала, то при проведении контроля процесса записи микрорельефа фотополупроводниковый слой
5 не подвергается паразитной засветке считывающим световым потоком.
Предмет изобретения
Устройство для записи .информации, например, на термопластических слоях, состоящее из деформируемого носителя,и блока управления деформациями носителя, содержащего непрозрачную металловолокнистую пластину, отличающееся тем, что, с целью .расширения области применения, на каждую сторону металловолокнистой пластины нанесены дырчатые электроды. один из которых покрыт фотополупроводниковым слоем, а другой — пассивным слоем — сопротивлением.
Составитель Б. Гурочкин
Редактор Т. Юрчикова Техред 3. И. Тараненко
1(орректор T. А. Китаева
Заказ 1838/13 Изд. ¹ 765 Тирани 473 Подписное
ЦНИИПИ 1(огиитета по делам изобрстсний п открытий при Совете Министров СССР
Москва,,К-35, Раушская наб., д. 4;5
