Устройство для измерения неэлектрических величин
О П
Со65 Советских
Ссциалистикескик
Респуолик
324523
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
МПК 6 01/ 1/18
Заявлено 27 т/.1970 (№ 1431893/25-28) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет—
Опубликовано 23.Х11.1971. Бюллетень № 2 з» 1972
Комитет по делам иаобретеиий и открытий ври Совете Мииистрое
СССР
УДК 531.781 (088.8) Дата опубликования описания 29.II 1972
Авторы изобретвния
В С. Папков, М. В. Суровипов, Ю. А. Райиов, А. И. Кривоносов, M. Е. Ксенофонтов и И. И. Кривоносов
Заявитель
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ НЕЭЛЕКТРИЧГСКИХ ВЕЛИЧИН
Предмет пзооретения
Изобретение относится к измерительной технике, .в частности к устройствам для измерения неэлектр ичвских величин, например давления.
Известны устройства для измерения неэлек- 5 тричеожих величин, например да влвния, содержащие корпус, шток и пружину с тензорезисторами.
Однако такие устройства осуществляют недостаточно точные измерения и имеют значи- 10 тельные габариты.
С целью повышения точности и уменьшения габаритов в предложенном устройстве пружина вылолнена в виде плоского диска, с наружной и внутренней V-образными, прорезями, об- 15 разующими три балки равного сопротивления, на которые нанесены полупроводниковые тензорезисторы.
На чврте>ке показано предло>кенное устройство. ЯО
Устройство содержит корпус 1, оильфон 2, шток 3 и пруж ину, .выполненную в виде плоского диска 4, например из сапфира, с наружной и внутренней V-образными прорезями 5, образующими три балки Б, В и Г равного сопротивления, на которых нанесены, например, с помощью процессов гетероэпитаксиального наращивания,и фотолитографии, полупроводниковые тензорезисторы б.
Работает устройство следующим ооразом.
При изменении, например, давления в контролируемой среде. изменяется деформация сильфона, и через шток происходит деформация диска, вследствие чего изменяются параметры тензорезисторов.
Устройство для измерения неэлектрическнх величин, например, давления, содержащее корпус, шток и пружину с тензорезисторами, отличаюа ееся тем, что, с целью повышевия точности и уменышения габар итов, пружина;выполнвна в виде плоского диска, с наружной и внутренней V-образными прорезями, образующими три балки равного сопротивления, на которые нанесены полупроводниковые тензорезисторы.
Составитель А. Босой
Текрс;(Е. Борисова
Ко(р1р(кro(p О. Зайцева
Редакго(р М. Макарова
06. (аствая (;(!(Orl)<(ô((я Y0i Tp0)lc((0(() ир;(в и(пия (lo Tl(((i(l
Заказ 34б Изл. ¹ 184() Т;(;.)агк 44Ь Подв(пис ш=
111IHHI1II Комитета по дсг(ав(изобрс((пий л открытий при Совете М((писгр()в СССР
Москва, Ж-35, Раушская аа4)., 4(. 4/5
