Способ очистки тетрахлорида кремния

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 06.07.70 (21) 1453563/23 — 26 с присоединением заявки №(23) Приоритет— (43) Опубликовано 25.04.76. Бюллетень № 15 (45) Дата опубликования описания28.10.77

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 327782

<пц щ, кл. с о1 в мфт

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам нзоорвтвинй н открытий (53) УДК 661.68(088.8) (72) Авторы изобретения Н Л Спевак, Р. ц. Симаков, И. Б. Козодеров, Л. А. Инсельсон, А, А. Титов, В. M. Павлов н В. И. Морозов

Верхнеднепровский гориометаллургический комбинат (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОЧИСТКИ ТЕТРАХЛОРКЦА КРЕМНИЯ

Изобретение касается очистки тетрахлорида кремния, широко применяемого во мнагих отраслях промышлеымж, в частности s химической промышленности для получения этилсиликата, а также для получения полунроводнпковых соединений.

Известен ректификационный способ очистки тетрахлорнда кремния, получаемого при хлорированиии ферросилиция и карборунда.

Однако известные схемы ректттфнкациониой очистки указанного татрахлорида кремния не могут приькняться: для тетрахлорйда кремния, получаемого как побочный лтродукт йри хлорировании циркона. Это объяснается различием s химической 15 рироде примесей,,соде ржатцнхся а исходном сырье. Исходный продукт содержит следующие основные примеси, которые должны быль отделены согласно требованиям кремнеорганической лромышленностн: соединения железа, марганца, маг- рф ния, алюминия, меди, титана, цирконня, бора и других металлов, а также хлорсодержащне opram ecxae вещества.

Для глубокой очистки тетрахлорнда кремжя, полученного иэ продуктов хлорирования циркона, предлагается способ,.по которому о втстку осуществляют путем сочетания процесса выпаривания с трехстадийной ректнфикацней.

При предварительном выпаривании при

100 — 120 С в аппарате с вращающимся ротором происходит очистка исходного продукта oz вкрастворимьтх приьксей. Образующиеся пары поступают на первую стадию ректяфнкацни, которую проводят при температуре в головке и кубе колонны

54 н 134 С ооответственко. С первой стадии ректификации рабочая свесь, освобожденная от трудит» летучих примесей; направляется на вторую стадию, осуществляемую в интервале теьятератур 52-56 С, На этом этапе происходит очистка от легколетучих прньксей. Третью стадию ректнфикации проводят при температуре 57 — 60 С.

Предложенный сттособ апробирован в заводских и лабораторных условиях, геэулътаты испытаний приведены в таблице.

4 ю, Д9

327782

Содержание примесей в очйщенном тетрахлориде кремния

Содерх

Примес

Одер вес.%

Данные, приведенные в таблице, показывают, что нри помощи описываемого способа можно получить тетрахлорид кремния высокай частоты.

Формула изобретения

Сдсаоб очистки тетрахлорида кремния путем ректификации, отличающийся тем, что. с

Составитель А. Груздев

Техред 3 аинта - Корректор Л Небола

Редактор Н. Корченко

Заказ 1447/1334 Тираж 629 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета ЬЬннстров СССР ло делам изобретениЯ н открытка

113035, Москва, Ж вЂ” 35. Раушскал нао., д. 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Яйм44фг -.ъ

«йМ91«1 °

4 «4М целью глубокой очистки тетрахлорида кремния, полученного из продуктов хлорирования циркона, исходный продукт предварительно выпаривают при 100 — 120 С, а ректификацию проводят в три стадии: при 54-134 С, 52-56 С, и

57-60 С.

2e

Способ очистки тетрахлорида кремния Способ очистки тетрахлорида кремния 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения поликристаллического полупроводникового кремния из природных кремнийсодержащих концентратов

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при производстве кремния
Наверх