Способ лужения выводов полупроводниковыхприборов

Авторы патента:

H01L21/288 - из жидкости, например способом электролитического осаждения

О П И С А Н И Е 3285I8

ИЗОБРЕТЕНИЯ

N АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Реслтблик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 13.IV.1970 (№ 1430312/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 02.11.1972. Бюллетень № 6

Дата опубликования описания 20.III.1972

М. Кл. Н 01l 7/00

Новитет оо делам изобретвиий и открытиЯ арв Совете ввииистров

СССР

УДК 621.382.002(088.8) Авторы изобретения

Н. Н. Ильичев и И. К. Худяков

Заявитель

СПОСОБ ЛУЖЕНИЯ ВЫВОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в процессе обслуживания выводов полупроводниковых приборов, в частности диодов, стабилитронов и т. д. 5

Известен способ лужения выводов полупроводниковых приборов, например диодов, путем нанесения защитного слоя иа изолятор прибора, флюсования вывода и нанесения припоя с последующей промывкой. При этом 10 в момент соприкосновения вывода прибора с расплавленным припоем за счет разности температур и мелких частиц флюса на выводе происходит микровзрыв и разбрызгивание припоя, что вызывает оседание мелких частиц при- 15 поя на изолятор, установленный между корпусом и выводом прибора. Чтобы не допустить оседания частиц припоя на изолятор, применяют струю горячего воздуха с температурой

110 вЂ” 120 С, которая отбрасывает эти частицы 20 и защищает изолятор. Однако наблюдаются случаи, когда на изоляторе все же обнаруживаются частицы припоя, что является недопустимым.

При лужении выводов прибора отсутствует 25 гарантия неоседания частиц припоя на изоля- торе. Кроме того, необходимо дополнительное оборудование для нагрева воздуха и его подачи к месту лужения.

Предлагаемый способ отличается. от извесг- 30 ного тем, что защитный слой íà поверхности изолятора прибора создают путем нанесения наплыва при одновременном флюсовании вывода прибора.

Это исключает попадание частиц припоя на изолятор прибора во время лужения выводов, повышая производительность.

Вывод прибора опускают в жидкий флюс на глубину до соприкосновения корпуса прибора с флюсом. После освобождения прибора от среды флюса между корпусом прибора и выводом остается наплыв (капля) флюса, который закрывает поверхность изолятора. Затем вывод прибора погружают в расплавленный припой. Происходит разбрызгивание припоя, частицы которого ударяются в наплыв флюса, не достигая поверхности изолятора, Тем самым достигается защита изолятора прибора во время лужения выводов от попадания частиц припоя на изолятор. После этого прибор промывают.

Предмет изобретения

Способ лужения выводов полупроводниковых приборов, например диодов, путем нанесения защитного слоя на изолятор прибора, -флюсования вывода-и нанесения припоя, отличаюи ийся тем, что, с целью повышения производительности, защитный с.юй на поверхности изолятора прибора создают путем нанесения наплыва флюса прп одновременном флюсованпи вывода прибора.

Патент 156250 // 156250

Способ изготовления цинко-германиевого поверхностно- барьерного триода // 104970

Способ изготовления контактных медно-окисных выпрямителей // 22817

Способ формирования медных дорожек на диэлектрических подложках // 2295171

Изобретение относится к технологии формирования медных дорожек на диэлектрических подложках

Состав для электрохимического нанесения хромовых покрытий на кремнийсодержащие материалы // 2062525

Изобретение относится к области электрохимиии, в частности к получению хромовых покрытий на полупроводниковых материалах, в частности на кремнии -n и -p типа и силицидах 3d-переходных металлов

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2031479

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов Шоттки

Способ получения электропроводящего полимерного покрытия на подложке // 2035803

Изобретение относится к технологии производства электронной техники и касается нанесения активного диэлектрика или полупроводника на полупроводниковые подложки

Способ изготовления заготовок припоя для сборки полупроводниковых приборов // 381119

// 429483

Электрохимический способ получения тонких слоев сплава теллура с висмутом // 439862

Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности // 2539895

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано при изготовлении полупроводников. Композиция содержит по меньшей мере один источник меди и по меньшей мере одну добавку, получаемую путем реакции многоатомного спирта, содержащего по меньшей мере 5 гидроксильных функциональных групп, с по меньшей мере первым алкиленоксидом и вторым алкиленоксидом из смеси первого алкиленоксида и второго алкиленоксида. Способ включает контакт композиции для нанесения металлического покрытия с подложкой, создание плотности тока в подложке в течение времени, достаточного для осаждения металлического слоя на подложку. Технический результат: обеспечение заполнения отверстий нанометрового и микрометрового размера без пустот и швов. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 1 табл., 7 ил., 8 пр.

Способ электрической пассивации поверхности монокристаллического кремния // 2562991

Изобретение относится к технологии обработки кремниевых монокристаллических пластин и может быть использовано для создания электронных структур на его основе. Способ электрической пассивации поверхности кремния тонкопленочным органическим покрытием из поликатионных молекул включает предварительную подготовку подложки для создания эффективного отрицательного электростатического заряда, приготовление водного раствора поликатионных молекул, адсорбцию поликатионных молекул на подложку в течение 10-15 минут, промывку в деионизованной воде и сушку подложки с осажденным слоем в потоке сухого воздуха, при этом в качестве подложки использован монокристаллический кремний со слоем туннельно прозрачного диоксида кремния, с шероховатостью, меньшей или сравнимой с толщиной создаваемого покрытия, предварительную подготовку кремниевой подложки проводят путем ее кипячения при 75°C в течение 10-15 минут в растворе NH4OH/H2O2/H2O в объемном соотношении 1/1/4, для приготовления водного раствора поликатионных молекул использован полиэтиленимин, а во время адсорбции поликатионных молекул на подложку осуществляют освещение подложки со стороны раствора светом с интенсивностью в диапазоне 800-1000 лк, достаточной для изменения плотности заряда поверхности полупроводниковой структуры за время адсорбции. Техническим результатом изобретения является уменьшение плотности поверхностных электронных состояний и увеличение эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда на границах раздела «органический слой - диэлектрик» и «диэлектрик - полупроводник». 5 ил., 6 табл., 3 пр.

Полевой транзистор и способ изготовления полевого транзистора // 2631405

Предоставлен полевой транзистор, содержащий электрод затвора, предназначенный для приложения напряжения затвора, электрод истока и электрод стока, оба из которых предназначены для вывода электрического тока, активный слой, образованный из оксидного полупроводника n-типа, предусмотренный в контакте с электродом истока и электродом стока, и изолирующий слой затвора, предусмотренный между электродом затвора и активным слоем, при этом работа выхода электрода истока и электрода стока составляет 4,90 эВ или более, а концентрация электронов - носителей заряда оксидного полупроводника n-типа составляет 4,0×1017 см-3 или более. Изобретение обеспечивает получение полевого транзистора, электроды истока и стока которого имеют высокую устойчивость к процессу термообработки и обработке в окислительной атмосфере и имеют низкое удельное электрическое сопротивление, при этом транзистор не требует наличия буферного слоя. 5 н. и 10 з.п. ф-лы, 24 ил., 19 табл.