Патент ссср 332497

 

О П И С А Н И Е 3324 97

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 04Л.1970 (Ko 1391724/18-24) с присоединением заявки ¹â€”

Приоритет

Опубликовано 14.1II.1972. Бюллетень ¹ 10

Дата опубликования описания 13.IV.1972

М, Кл. G 11с 13/00

Комитет ло делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

УДК 681.327.6(088.8) Авторы изобретения А. А. Васильковский, В. С. Боржим, В. В. Нечипуренко и В. И. Левченко

Заявитель

Одесский холодильный институт

ЭЛ ЕКТРОХИМИЧ ЕСКИ Й ЗАПОМ ИНА1ОЩИ Й ЭЛ ЕМЕНТ

Изобретение относится .к за поминающим устройствам.

Известен электрохимический за поминающий элемент, в основу, которого, положены электрохимические процессы осаждения и растворения металлов на электродах, погруженных в раствор электролита, при прохождении через последний электрического тока. Такой элемент представляет собой электрохимическую ячейку, состоящую из трех электродов: цинкового и двух одинаковых рабочего и стандартного, представляющих собой амальгированные ртутью пластинки рафинированной меди.

На рабочий электрод при прохождении импульса тока осаждается цинк, что меняет потенциал электрода. Стандартный же электрод обладает определенным устойчивым потенциалом. Рабочий и .цинковый электроды находятся в одном сосуде, стандартный электрод — в другом, и оба сосуда соединены между собой электрохимическим ключом.

Известный запоминающий элемент имеет сравнительно большой объем. Кроме того, наличие двойного сосуда с жидким электролитом усложняет технологию изготовления этих запомин ающих элементов.

Для устранения указанных недоста г ков предложен пленочный запоминающий элемент с твердым электролитом размером .0,0008 смз (с учетом толщины диэлектрической подложки). Таким образом, размеры, предлагаемого запоминающего элемента более, чем на три порядка, меньше прототипа. Кроме того, предлагаемый пленочный запоминающий элемент

5 изготовляется термическим испарением в вакууме составляющих его компонентов, и «хнология изготовления его намного проще и дешевле.

На чертеже изображен предлагаемый залоlo мппающпй элемент. На диэлектрическую подложку 1 последовательно напыляются инертный электрод (Pt, С и др.) 2, слой 8 твердой ионопроводящей соли (AOCe, РЬС1) и электрод 4 из металла катиона соли. В такой ячей15 ке в начальном состоянии,прн приложении напряжения меньшего, чем напряжение разложения ионопроводящей соли, ток не,проходпт в на правлении от инертного электрода 2 и электроду 4. Однако если предварительно про20 пустить некоторое количество электричества в противоположном направлении, то на инертном электроде 2 оседает порция металла электрода 4, после чего ток уже может идти и в направлении от инертного электрода 2 к элек25 троду 4. Таким образом, элемент имеет два устойчивых состояния. В одном состоянии, когда через элемент не,пропускается некоторое количество электричества .в направлении от электрода 4 к электроду 2, ток в направлезо нии от электрода 2 к электроду 4 не проходит.

332497

Предмет изобретения

Составитель А. Соколов

Техред Т. Ускова

Редактор В. Фельдман

Корректор Л. Орлова

Заказ 934/4 Изд. № 377 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Мшгистров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

В другом состоянии, когда через элемент пропускается некоторое количество электричества в направлении от электрода 4 к электроду 2, .происходит запись сигнала. Индикацией наличия записи сигнала является прохождение тока в направлении от электрода 2 и электроду 4. Процесс является полностью обратимым.

Слои соли и металлов наносятся на диэлектрическую,подложку методом вакуумного испарения. Толщина слоя соли порядка 1 — 2 мк, слоев металлов 0,1 — 0,2 мк. Малая толщина ячейки позволяет увеличить на порядок быстродействие пленочного за поминающего элемента по сравнению с прототипом. Распо.iaгая на одной подложке пленочные запоминающие элементы .в несколько рядов в продо.ibном и поперечном направлениях и в высоту, можно достичь весьма большой емкости записи информации (порядка 1250 элементов в ,дз

Электрохимичеокий за помин ающий элемент

IO для за писи информации, отличающийся тем, что, с целью уменьшения объема элемента, он содержит слой твердой ионопроводящей соли, слой инертного проводника и слой металла катиона соли, причем слой твердой ионопрово15 дящей соли заключен между,слоем инертного проводника и слоем металла катиона соли.