Покрытие на диэлектриках

 

336324

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 10.VIII.1970 (№ 1471156/29-33) М. Кл, С 04Ь 41/38

С 03с 17/06 с присоединением заявки №

Приоритет

Комитет по лелем изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

УДК 666.3.056.5(088.8) Опубликовано 21.IV 1972. Бюллетень № 14

Дата опубликования описания 19. тт.1972

Авторы изобретения

Б. П. Крыжановский и Б. М. Круглов

Заявитель, ()1ОЯ1-1АЯ

ПОКРЫТИЕ НА ДИЭЛЕКТРИКАХ силикатных стекол и др., восстановление в водороде следует проводить в разряде при пониженном давлении);

2 — одновременное нанесение в вакууме

5 молибдена, двуокиси кремния и вольфрама электроннолучевым испарением.

Предлагаемый состав позволяет получать покрытие с удельным поверхностным сопротивлением 10 — 10 ом и светопропусканием

10 от 10 до 75%.

Эти покрытия устройчивы в атмосфере водорода при температурах 700 — 800 С, при нагреве на воздухе до 200 С во влажной атмосфере (относительная влажность 80—

15 90% при 20 — 40 С) и при длительном воздействии постоянного и переменного тока. Механическая прочность покрытий очень высока, для снятия их требуется шлифовка абразивным порошком.

20 iB качестве токопроводов можно использовать серебро, впеченное из специальных известных паст, или металлические слои, нанесенные испарением в вакууме, Изооретение относится к области изменения электрических и оптических свойств диэлектриков путем нанесения на их поверхность тонких проводящих покрытий.

Известно локрытие на диэлектриках, включающее молибден.

С целью повышения поверхностной электропроводности, покрытие дополнительно содержит двуокись кремния и вольфрам при следующем соотношении компонентов, вес.

Мо 10 — 50

$тО 15 — 35

W 15 — 75

Электропроводящее покрытие, состоящее из микрокомпозиции молибдена, двуокиси кремния и вольфрама, может быть получено разными способами:

1 — нанесение на поверхность диэлектрика (стекло,:кварц, фарфор, ситаллы и т. п.) слоя из смеси двуокиси кремния, трехокиси вольфрама и трехокиси молибдена с последующей обработкой в атмосфере водорода лри 400—

800 С, причем исходный слой ЯОг — МоОз—

WO3 наносят путем гидролиза смеси этилового эфира ортокремниевой кислоты

Si (ОС Н5) 4, пятихлористого молибдена и шестихлористого вольфрама, растворенных в спирте (в случае использования диэлектриков с пониженной термостойкостью, например

Пре,дмет изобретения

Покрытие на диэлектриках, включающее молибден, отличаюи1ееся тем, что, с целью повышения поверхностной электролроводности, 336324

Редактор Н. Воликова

Корректор Jl. Бадылама

Заказ 1498/18 Изд. No 630 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4)5

Типография, пр. Сапунова, 2 оно дополнительно содержит двуокись кремния и вольфрам при следующем соотношении компонентов, вес. о/о.

Составитель С. Белобокова

Техред Т. Курилко

Мо

10 — 50

15 — 35

15 — 75

Покрытие на диэлектриках Покрытие на диэлектриках 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам нанесения теплоотражающих покрытий на стекло напылением в вакууме
Изобретение относится к способу легирования материала, включающему образование на поверхности материала, подлежащего легированию, реакционноспособных групп, нанесение по меньшей мере одного слоя легирующей добавки или части слоя легирующей добавки на поверхность материала, подлежащего легированию, и/или на поверхность его части или частей методом послойного атомного осаждения (методом ALD), и дополнительную обработку материала, покрытого легирующей добавкой, таким образом, что первоначальную структуру слоя легирующей добавки изменяют с получением новых свойств легированного материала

Изобретение относится к химическому осаждению диэлектрических пленок из газовой фазы на подложки и может быть использовано для создания изолирующих и пассирующих пленок в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Покрытие на диэлектриках

Наверх