Rc-структура с неоднородными распределенными параметрами
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
C0I63 Советскиг
Сециалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства № 289450
Заявлено 14.VI.1971 (¹ 1669062/26-9) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет—
M. Кл. Н Olg 1/00
Н 01с 13/00
Комитет по делам иаобретеннй и открмткр прн Совете Минкст-, со
СССР
УДК 621,319.4(088.8) Опубликовано 07.XII.1972. Бюллетень № 1 за 1973
Дата опубликования описания 06.1.1973
Авторы изобретения
В. Д. Дмитриев и А. И. Меркулов
Заявитель
Куйбышевский политехнический институт им. В. В. Куйбышева
RC-СТРУКТУРА С НЕОДНОРОДНЫМИ
РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ
Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в RC-генераторах, фильтрах низкой частоты, частотно-избирательных RC-фильтрах и т. д. в микроэлектронном исполнении.
По основному авт. св. № 289450 известна
RC-структура с неоднородными параметрами.
Крутизна частотных характеристик известной RC-структуры недостаточно высокая, так как вдоль длины RC-структуры неоднородным параметром является только распределенная емкость.
С целью увеличения крутизны частотных характеристик, па резистивпый слой RC-структуры нанесена укороченная резистивная пленка, которая образует дополнительное распределенное сопротивление и длина которой равна длине диэлектрической пленки, расположенной пад ней.
На чертеже изображена схема RC-структуры.
RC-структура содержит резистивный слой 1, диэлектрические пленки 2, 8, проводящие пленки-обкладки 4 и 5 и дополнительную резистивную пленку б, расположенную между слоем 1 и диэлектрической пленкой 8.
Дополнительная укороченная резистивная пленка 6 уменьшает удельное сопротивление слоя 1 на участке перекрытия, что приводит к образованию по длине неоднородности резистора RC-структуры, причем чем больше неоднородность, тем выше крутизна частотных характеристик RC-структуры.
5 Крутизна частотных характеристик предлагаемой RC-структуры зависит от длины слоя 1, пленок 2, 4 и пленок 8, 5, 6, от соотношения удельных емкостей, образуемых слоем 1 и пленкой 2 и пленками 5, б, и от соотношения
10 относительных удельных сопротивлений резистивпой пленки в зоне и вне зоны перекрытия.
Напыление дополнительной резистивной пленки б (толщиной не более единиц микрон) значительно улучц ает крутизну частотных хаб5 1татсTep tcTHt< RC-струт т рьi npn Te ie ra6ap»raw.
20 Предмет изобретения
КС-структура с неоднородными распределенными параметрами по авт. св. № 289450, отличающаяся тем, что, с целью увеличения кру25 тизны ее частотных характеристик, на резистивпый слой RC- структуры нанесена укороченная резистивная пленка, которая образует дополнительное распределенное сопротивление и длина которой равна длине диэлектрической
ЗО пленки, расположенной над ней.
361474 дыхад
Вха
Составитель М. Порфирова
Редактор В. Фельдман Техред Л. Евдонов Корректоры Е, Талалаева и 3, Тарасова
Заказ 939 Изд.,"а 9 Тираж 404 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, >К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография Мз 24 Союзполиграфпрома, Москва, Г-19, ул. Маркса — Энгельса, 14