Способ получения фоточувствительпых слоев

Авторы патента:

H01L31/18 - способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей (не предназначенные специально для этих приборов H01L 21/00)

H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

C23C14/58 - последующая обработка

C23C14/06 - характеризуемые покрывающим материалом (C23C 14/04 имеет преимущество)

описание изоьеятиния

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сагоз Советск»в

Соттизлистическив

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 23.Х.1970 (¹ 1487000/22-1) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 15.!1.1973. Бюллетень № 11

Дата опубликования описания 4.IV.1973

N. Кл. С 23с !3/02

Н 01с 7/08

Комитет по аелзм изобретений и открытий пр» Совете йт»нистоов

СССР

УДК 621.793.14:621.316.

825(088.8) Авторы изобретения

К. В. Шалимова, А. Ф. Власов, Э. Н, Воронков и Л. Н. Муравьев

Московский ордена Ленина энергетический институт,, Е «т ;.-, »:!;;. с

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СЛОЕВ

Предмет изобретения

Способ получения слоев путем осаждения в кадмия на поверхность с последующим отжпгом

30 духе, от.гичпюигггггсн тем, фоточувствительных вакууме теллурида нагретой подложки покрытия на возчто, с целью повыИзобретение относится к способам получеги я фоточувствительных полупроводниковых слоев, в частности слоев фоторезисторов.

Известен способ получения фоточувствительных слоев осаждением в вакууме теллурида кадмия па поверхность нагретой подложки с последующим отжигохт покрытия па воздухе. Однако слои, получаемые по известному способу, обладают недостаточной чувств ительностью.

Предложенный способ позволяет повысить фоточувствительность слоев теллурида кадмия.

Данный способ отличается от известного тем, что осаждепие теллурида кадмия осуществляют с одновременным легированием наносимого покрытия иодистым кадмием из паровой фазы, а затем проводят термообработку покрытия в насыщенных пазах кадмия при 350 вЂ 4 С.

Способ состоит в том, что фоточувствительные слои получают осаждением в вакууме теллурида кадмия на поверхность нагретой подложки с одновременным легировапием наносимого покрытия иодистым кадхсием из паровой фазы, а затем проводят термообработку покрытия в насыщенных парах кадмия при 350 вЂ” 450 С, после чего покрытие отжигают па воздухе.

Теллурид кадмия конденсируют на подложки пз изолирующего материала, например стекла, керамики и кварца нагретые до

350 вЂ” 450 С, с одновременным легнрова нием наносимого покрытия подпстым кадмием пз паpGBoi> фазы. Техгпературу испарителя (50 вЂ” 100 С) для подистого кадмия должно ооеспечивать отношение давления паров теллурида к давлению паров подистого кадмия. Полученные таким образом покрытия

10 подвергают термообработке в насыщенных парах кадмия при 350 вЂ 4 С в течение

15 вЂ” 30 чин, а затем отжигу на воздухе при

400 вЂ 5 С в течение 15 вЂ” 30 лгин.

Фоторезпсторы, изготовлегиные на основе

15 слоев теллурпда кадмия, полученных по данному способу, обладают фоточувствитель остью в 10 вЂ” 100 раз превышающей чувствительность известных слоев, при темновом сопротивлении 10 вЂ” 10 о олт. Время фото20 ответа у получаемых фоторезисторо|в при освещенности 200 лн составляет от единиц до десятков миллисекунд. 370278

Составитель Е. Кубасова

Техред Е. Борисова Корректоры;E. Денисова и E. Талалаева

Редактор Л. Лаврова

Заказ 675/6 Изд. Мз 278 Тираж 826 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 3С-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 шения фоточувствительности, осаждение теллури да кадмия осуществляют с од новременпым легированием на носимого покрытия иОдистым кадмием из паровой фазы, а затем проводят термообработку покрытия в насыщенных парах кадмия при 350 вЂ” 450 С.