Моющая азеотропная композиция

 

О Il И С А Н И Е 380695

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сова Советских

Социалистических

Респу0лик В елФ о

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 25.XI.1971 (№ 1717743/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 15.Ч.1973. Бюллетень ¹ 21

Дата опубликования описания 28/Ч111.1973

М. Кл. С 11d 7/22

Н 051с 3/26

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 661.135:621.396. .6.049.75 (088.8) Авторы изобретения

А, П. Гиидис и Л. Д. Ишкова

Заявитель

МОЮЩАЯ АЗЕОТРОПНАЯ КОМПОЗИЦИЯ

Предмет изобретения

Изобретение относится к органинес It I растворителям.

Кои позиция может быть использована при очистке электронных схем, блоков радиоаппаратуры и других изделий от жировых и меха(нических загрязнений, остатков паяльных флюсов и т. д.

Известна моющая азеотропная композиция для очисгки радиодеталей от органических загрязнений, содержащая тетрафторбромэтан и изопропиловый спирт.

Од на|ко известная композиция недостаточ:но активна к загрязнениям.

Цель изобретения — повышение качества очистки и ее ускорение. Достигается она тем, что в предлагаемую азеотропную композицию дополнительно введен хлористый метиле н при следующем соотношении .компонентов (вес. %): тетрафтордибромэтан 64 — 68 хлористый .метилен 31 — 35 изс прспиловый спирт 0,5 — 1,5 предлагаемую азеотрапную композицгпо готовят в обычных условиях — смешением компонентов.

Введение в состав предлагаемой,композиции хлористого метилена значительно повышает ее активность, что,позволяет ускорить обработку и производить очистку от широкого класса ортанических загрязнений (жировых загрязнений, флю!сов и т. д.).

Да иная композиция .в 1,5 — 2 раза активнее спирто-:бензиновой смеси (1: 1), применяемой

5 для удаления остатксв канифольных флюсов, и в 2 — 3 раза активнее азеотропной композиции, содержащей тетрафтордпбромэтан и изопропиловый спирт.

Таким образом, предложенная азеотроп10 ная композиция высокоэффекти вна, более активна IK загрязнениям, область ее к|лпепия

38 — 39 С. Она может быть использована при химической и ультразвуковой очистке в кипящих растворителях, в,,парах расвворите7я. Ре15 генерация возможна при непрерыв ной очистке.

Моющая азеотропная композиция 7,,7я очистки радиодеталей от органических загрязнений, содержащая тетрафтордибромэтан II изопропиловый спирт, отличатотдаяся тем, что, с целью повышения качесгва очисгкп и ее ускорения, она дополнительно содержит 7025 ристый мерилея при следующем соотношении компонентов (вес. % ): тетрафтордибромэтан 64 — 68 х.70ðèñòûé,ìåòèëåí 31 — 35 отзопропиловый спирт 0,5 — 1,5.

Моющая азеотропная композиция 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к отбеливающим, моющим и дезинфицирующим средствам, в частности к приготовлению и хранению растворов гипохлорита натрия

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано, например, для отмывки печатных узлов от остатков флюса после пайки или припойной пасты после ее оплавления

Изобретение относится к созданию жидкой очищающей композиции, используемой в радиоэлектронике для поверхностного монтажа с помощью трафаретной печати электрорадиоэлементов и интегральных схем ответственных соединений, а также для жестких условий эксплуатации

Изобретение относится к отбеливающим, моющим и дезинфицирующим составам. Описывается состав, содержащий, мас.%: гипохлорит натрия в расчете на активный хлор 10,0-12,0, гидроокись натрия 1,5-2,0, карбонат натрия 1,1-1,4, 2,6-дитретбутил-4-метилфенол или 2,6-дитрет-бутилфенол 0,05-0,3, вода остальное. Технический результат - повышение эффективности состава, а также стабильности гипохлорита натрия и стабильности предлагаемого состава при хранении. 2 табл., 4 пр.

Очищающая композиция после химико-механического полирования (после-СМР), содержащая: (А) соединение, представляющее собой цистеин, N-ацетилцистеин, тиомочевину или их производное, (В) эритрит, (С) водную среду и (Е) по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество, и ее применение для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, содержащих электропроводящие слои (такие как медные слои), электроизолирующие диэлектроизолирующие диэлектрические слои (такие как слои диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью) и барьерные слои (такие как слои тантала, нитрида тантала, нитрида титана или рутения), т.е. изобретение относится к применению очищающей композиции после СМР для удаления остатков и загрязнений, содержащих бензотриазол после СМР. 6 н. и 20 з.п. ф-лы, 5 табл., 3 ил.

Изобретение относится к области композиций моющих средств. Описана многоцелевая твердая детергентная композиция, содержащая: от 60 до 85 мас.% источника щелочности карбоната щелочного металла; от 0,1 до 5 мас.% фермента протеазы; от 0,1 до 30 мас.% азотсодержащего или растворимого крахмального или полисахаридного стабилизирующего агента, и воду, где из детергентной композиции получают твердый детергентный блок, применяемый раствор композиции имеет рН по меньшей мере 9, и фермент протеаза сохраняет 40% ферментной активности при температуре по меньшей мере 65°C в применяемом растворе в течение по меньшей мере 20 мин. Технический результат – предотвращение повторного осаждения белковых загрязнений, снижение пенообразования. 3 н. и 20 з.п. ф-лы, 10 табл., 6 пр., 5 ил.

Изобретение относится к химическим средствам и может быть использовано для обработки воды оборотных систем охлаждения технологического, теплоэнергетического и теплообменного оборудования. Конкретно, для эксплуатационной очистки и защиты от накипно-коррозионных отложений (НКО) различных металлических теплопередающих поверхностей из черных и цветных металлов, используемого в металлургической промышленности технологического, теплоэнергетического и теплообменного оборудования. Описано средство для химической очистки металлических поверхностей, содержащее комплексон и цинковый комплекс, дополнительно содержит дисперсант, калия гидроокись, натрия гидроокись, 1,2,3-Бензотриазол и ингибитор, причем в качестве цинкового комплекса оно содержит оксид цинка, в качестве дисперсанта оно содержит сополимер акриловой кислоты /2-акриламидо-2-метил-1-пропансульфоновой кислоты, в качестве ингибитора оно содержит ингибитор «PuroTech 43», а в качестве воды - воду деминерализованную, при этом компоненты используют в следующем соотношении (мас.%): комплексон 2,0-10,0, оксид цинка 0,5-1,0, сополимер акриловой кислоты /2-акриламидо-2-метил-1-пропансульфоновой кислоты 3,0-10,0, калия гидроокись 0,3-1,0, натрия гидроокись 0,1-1,0, 1,2,3-Бензотриазол 0,05-0,1, ингибитор «PuroTech 43» 25,0-40,0, деминерализованная вода остальное. Технический результат – повышение качества состава за счет улучшения ее растворяющей способности и снижения скорости коррозии.1 з.п. ф-лы, 3 табл.

Изобретение относится к электронной промышленности, в частности к способам получения фотошаблонных заготовок (ФШЗ), одного из основных материалов микроэлектроники

Изобретение относится к способам очистки керамических изделий от примесей, в частности к способу очистки поверхности и объема изделий из керамики ВеО от примеси углерода, в том числе подложек для микросхем и мощных резисторов, транзисторов, окон для СВЧ-радаров, каналов газоразрядных лазеров, поверхности и объема вакуумно-плотных изоляторов, применяемых в камерах с магнитным обжатием-МАГО, для получения высокотемпературной замагниченной водородной плазмы
Изобретение относится к электронной промышленности

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении фотошаблонов для полупроводниковых приборов и интегральных схем
Изобретение относится к способу производства полупроводниковых систем, в частности к вскрытию контактных площадок в печатных платах, шлейфах, микросхемах, изготовленных на основе полиимидной пленки, когда необходимо удаление с контактных площадок адгезива из эпоксидной смолы, которой склеивается медная фольга с полиимидной основой
Изобретение относится к электротехнике, в частности к способу производства полупроводниковых систем, изготавливаемых на основе полиимида, где требуется вскрытие контактных площадок для соединения проводящих слоев разных уровней печатных плат
Изобретение относится к области электротехники, в частности к изготовлению фотошаблонных заготовок, предназначенных для формирования интегральных схем

Изобретение относится к технологии изготовления печатных плат и может быть использовано в радиотехнической, электротехнической и приборостроительной промышленности
Наверх