I гсь^союзная

 

ОПИСАНИЕ

Союз Советских

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Я АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое or авт. свидетельства №

Заявлено 28Х1.197) (№ 1677172/23-26) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 05.И1.1973, Бюллетень № 29

Дата опубликования описания 2.XI.1973

М. Кл. В 01j 17/14! осударственный комитет

Сонета Министрае СССР по делам изобретений и открытий

УДК 669.046-172:621. .315.592 (088.8) :. : . -.: O! ОЗНАЯ

В. Н, Лозовский, В. П. Попов и И. П. Папков

Б14яЛИ(. -КА

Новочеркасский ордена Трудового Красного Знамени политехнический институт им. Серго Орджоникидзе

Авторы изобретения

Заявитель

СПОСОБ ЗОННОЙ ПЛАВКИ С ГРАДИЕНТОМ ТЕМПЕРАТУРЫ

Предмет изобретения

Известен способ зонной плавки с градиентом температуры (ЗПГТ), постоянным по дл и не зоны.

При этом в процессе д вижания зона изменяет свою форму, распадается на отдельные части и движется нестабильно.

С целью устранения нестабильности движения жи|дкой зоны по предлагаемому способу плавку ведут в условиях градиента температуры, изменяющего направление на расстоянии, не большем длины зоны от фронта кристаллизации.

На чертеже представлено распределение температуры в композиции кристалл — расплав — кристалл.

Направление градиента температуры указано стрелками: íà поверхности кристаллизации градиент температуры совпадает с направлением V rпrеeр еeмMеerщrrеeнHиHя H з3оoнHbыr, а на поверхности плавления он изменяет свое напра вление на 180 (или обращается в нуль).

При указанных условиях ЗПГТ фронт плавления стабилизируется, так как в случае образования выступа жидкой фазы, последний попадает в область меньших температур и зарастает, а, любая впадина на фронте плавления, попадая в область более высоких температур, исчезает за счет ускорения pBlcтворения.

Требуемое распределение температуры достигают в нагревателе в виде одного или двух цилиндрических стержней или относительным перемещением полупроводникового образца и нагревателя.

По описываемому способу получены

10 элитаксиальные слои различной геометрии протяженностью до 15 мм в системе кремний — алюминий. Скорость роста слоев при температуре 1050 — 1100 С составляет 0,9—

1,2 мм/час. Пслученные слои имеют высокую

15 однородность распределения алюминия и монокристалличность структуры.

20 Способ зонной плавки с прадпентом температуры, отличающийся тем, что, с целью устранения нестабильности движения жидкой зоны, плавку ведут в условиях градиента температуры, изменяющего направление на

25 расстоянии, не большем длины зоны от фронта кристаллизации. о88780

Составитель Е. Шевченко

Техред T. Курнлко

Редактор Е. Левина

Корректор Е, Сапунова

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 2937/11 Изд. № 775 Тираж 678 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

I гсь^союзная I гсь^союзная 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к металлургии высокотемпературных сверхпроводников

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано в полупроводниковой фотоэлектронике

Изобретение относится к производству термоэлектрических материалов на основе теллуридов висмута и сурьмы. Способ заключается в предварительной очистке исходных компонентов методом вакуумной дистилляции, синтезе исходных компонентов в вакуумированных ампулах при нагреве до плавления и охлаждении, выращивании кристаллов методом вертикальной зонной перекристаллизации с применением высокочастотного нагрева, при этом выращивание кристаллов осуществляют путем не менее двух проходов со скоростью не более 2,5-3 см/ч, высокочастотный нагрев ведут на частоте 1,76 МГц с градиентом температур 200 К/см, а после выращивания кристаллов осуществляют приготовление порошка с наноструктурой размером не более 200 нм, обеспечивающей анизотропию свойств каждой частицы, брикетирование, спекание, а затем горячую экструзию. Выращивание кристаллов может быть осуществлено одновременно в 6-10 ампулах длиной до 1 м. Спекание производят в вакуумной печи в течение суток при температуре не менее 450 град., после экструзии осуществляют резку образцов механическим способом и выполняют комплексные измерения. Технический результат заключается в повышении прочности термоэлектрических материалов, равномерности их свойств вдоль слитка, улучшении термоэлектрических свойств. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 3 табл.

Изобретение относится к монокристаллическим материалам, в частности к эпитаксиальным феррит-гранатовым структурам (ЭФГС) на основе железо-иттриевого граната (ЖИГ), и может быть использовано при разработке и изготовлении малогабаритных планарных сверхвысокочастотных (СВЧ) приборов на поверхностных магнитостатических волнах (ПМСВ)

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение в промышленности при изготовлении ряда дискретных полупроводниковых приборов (например, тензодатчиков, полевых транзисторов, переключателей, датчиков малых перемещений и других приборов)
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для производства полупроводниковых приборов и интегральных схем различного назначения

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения кремниевых структур, применяемых для изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к технологии получения гранатовых слоев и может быть использовано в производстве магнитных приборов микроэлектроники

Изобретение относится к технологии материалов твердотельной электроники и может быть использовано при изготовлении оптоэлектронных устройств
Наверх