Патент ссср 396742

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

396742

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

М. Кл. Н 01j 9/02

Заявлено 31.ЧШ.1971 (№ 1694667/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 29.VIII.1973. Бюллетень № 36

Дата опубликования описания 15.1.1974

Гасударственный комитет

Совете Министров СССР по делам изооретений и открытий

УДК 621,385(088.8) Авторы изобретения

И. А. Дерюгин, В. А. Корчин, В. В. Данилов. В. А. Рубан и В. В. Запорожец

Киевский ордена Ленина государственный университет им. Т. Г. Шевченко

Заявитель

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ФЕРРОМАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ

Изобретение относится к технологии обработки ферромагнитных материалов, широко используемых в технике СВЧ. В твердотельных СВЧ лриборах ферромагнитные монокристаллы выполняют функции высокодобротно- 5 го резонатора, нелинейного элемента или задерживающей среды. Применение монокристаллов ферромагнетико в в линейных СВЧ приборах осно|вано на использовании явления ферромагнивного резонанса (ФМР), по- 10 этому параметры ФМР я вляются основной характеристикой СВЧ материалов; в частности, одним .из таких параметров является ширина линии МР (2Лоо) .

Известен способ изменения структуры пред- 15 варительно полированных образцов, состоящий в длительном отжиге и травлении. Отжиг этих образцов при температуре 800 — 1200 С с последующим длительным снижением температуры до комнатной дает сужение 25ОО до 20

0,8 — 0,6 э. Дальнейшая обработка (травление) образцов в ортофосфорной кислоте позволяет довести 2М1о до 0,5 — 0,45 э. Однако все известные способы обработки кристаллов феррит-гранатов не способствуют эффективному 25 совершенствованию кристаллической структуры как всего объема образца, так и его поверхности, т. е. при этих способах обработки собственная плотность дефектов исходных монокристаллов изменяется незначительно. 30

Цель изоорстснпя — получение образцов с более совершенной кристаллической структурой, малой шириной линпп ФРМ и улучшение характеристик СВЧ устройств.

Цель достигается путем выполнения операций по ооработкс монокристалла в следующей послсдоватсльности: изготовление образца феррита нужной формы (в частности, в форме сферы); шлифовка, полировка его поверхности; всестороннее сжатие образца в камере высо1:.Ого давлсния; отжиг н трав пение поверхности образца.

Пример. Обработка монокрпсталлов железо-иттр;1евых гранатов (ЖИГ) .

Выпол1шв обычными способами шлифовку и 1полпровку поверхности образца (класс чистоты 13 — -14), образец помещают в камеру высокого киазпвссстороннего давления и подверга1от дсйстьч1ю всестороннего сжатия в течение 2 — 5 мпн при давлении P) 100000 кг/см .

Затем образец отжигают при температуре

800 — 850 С в тсченпс 1 — 3 час (в зависимости от размеров образца) с последующим равномерным охлаждением до комнатной температуры со скоростью 80 — 100 град/час. Отожженньш образсц протравливают в концентрированной ортофосфорной кислоте в течение 1—

3 ман прн температуре 90 — 120 С.

Для образцов ЖИГ диаметром 2,5мм после соответствующей обработки ширин а ли396742

Предмет изобретен|ия

Составитель И, Прокофьева

Техред Л. Грачева

Корректор Е. Михеева

Редактор И. Орлова

Заказ 3619/18 Изд. K 1889 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 5К-35. Раушская наб., д. 4)5

Типография, пр. Сапунова, 2 нии ФМР составила 2ЛОО=0,3 — 0,24 э, т. е. линия уже, чем для образцов, обработанных по известной технологии.

Влияние давления имеет следую1цее физическое объяснение, В анизотропном кристалле КИГ с определен ным первоначальным распределением дефектов (дислокаций, п|римесных атомов и др.) под воздействием высокого давления их плотность и размещенис по объему изменяются. Дислокации, двигаясь, частично аннигилируют, а частично совместно с другими дефектами перемещаются в область наибольшей деформации, т. е. на поверхность образца. Затем эта сильно упрочненная область образца частично разупрочняется при отжиге за счет неконсервативного движения дислокаций и миграции атомов примесей к поверхности и части ч ной аннигиляции дислокаций в тепловом поле. Далее разупрочненная область (поверхностный слой), еще достаточно обогащенная дислокациями и примесными атомами, стравливается в ортофосфорной кислоте.

Таким образом происходит совершенствование структуры образца монокристалла ЖИГ и су жение ширины линии ФМР.

Способ обработки ферромагнитных материалов, например монокристаллов феррита, путем

10 отжига и химического травления, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности использования этих материалов в СВЧ устройствах за счет увеличения ширины линии фер ром агнитного резонанса, монокристалл

15 |подвергают объемному сжатию в течение 2—

5 мин при давлении выше 100000 кг/см, и отжигают в течение 1 — 3 час .при температуре

800 — 850 С с последующим равномерным снижением температуры со скоростью 80—

20 100 град)час до температуры окружающей среды, после чего химически травят 1 — 3 мин.

Патент ссср 396742 Патент ссср 396742 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления проводящих микроострий, которые могут быть использованы, например, в производстве вакуумных интегральных микросхем

Изобретение относится к источникам электронного и рентгеновского излучений, которые могут применяться при исследованиях в области радиационных физики и химии, радиобиологии, а также в радиационных технологиях, например в химической промышленности, медицине и др
Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно - устройствам для полевой эмиссии электронов

Изобретение относится к получению высокоэффективных пленок для полевых эмиттеров электронов

Изобретение относится к области получения высокоэффективных пленок для получения эмиттеров электронов
Изобретение относится к газоразрядной технике и может быть использовано для формирования конструктивных элементов газоразрядных индикаторных панелей (ГИП), например электродов, разделительных элементов и др
Наверх