Устройство для вытягивания слитков из расплава

Авторы патента:

БАТЮКОВ В.В.

ВОРОНОВ И.Н.

МАКЕЕВ Х.И.

ХЛУС Ю.И.

C30B15/28 - с использованием изменения веса кристалла или расплава, например флотационными способами

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫТЯгаВА- НИЯ СЛИТКОВ ИЗ РАСПЛАВА на затравку, включающее ввденный сверху в полость камеры, полый шток с затравкодержателем, прикрепленным к нему;При помощи тяги, передающей соотвествующее весу слитка усилие на тензоэлементы, отличающееся тем, что, с Делью-повышения точности контроля веса вытягиваемого слитка, тяга с длиной, превьшающей длину штока, подвешена на упруго деформирующейся мембране, кинематически связанной с несущейтензоэлемен-i ты консольной балкой.2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что, с целью устранения перепада давления по сторонам мембраны, консольная балка с тензоэлементами установлена в полости герметичного корпуса.S

СООЭ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (() (11) (5!)4 С 30 В 15!28

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

Н АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 1492131/23-26 (22) 12.11.70 (46) 07.06.85. Бюп. И. 21 (72) В.В. Батюков, И.Н. Воронов, Н.И. Казимиров, А.В. Ктиторов, В.С. Лейбович, Х.И. Макеев, Ю.И. Ульянов, В.П. Рогожин, Б.В. Смирнов и Ю.И. Хлус (71) Подольский химико-металлургический завод (53) 669.046-172.002.5(088.8) (54)(57) 1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫТЯГИВАНИЯ СЛИТКОВ ИЗ РАСПЛАВА на затравку, включающее ввденный сверху в полость камеры, полый шток с затравкодержателем, прикрепленным к нему при помощи тяги, передающей соотвествующее весу слитка усилие на тензоэлементы, о т zf и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью .повьппения точности контроля веса вытягиваемого слитка, тяга с длиной, превышающей длину штока, подвешена на упруго деформирующейся мембране, кинематически связанной с несущей тензозлемен- i ты консольной балкой.

2. Устройство по п. 1, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью устранения перепада давления по сторонам мембраны, консольная балка с тензоэлементами установлена в полости герметичного корпуса.

406402 2 шток 2, закрытый сверху гофрированной мембраной 3. l7o оси штока на мембране подвешена тяга 4, на нижнем конце которой укрепляют затравкодержатель (на чертеже не показано).

Усилие, соответствующее весу слитка 5, в процессе вытягивания передается с мембраны на консольную балку 6 с тенэоэлементами 7 посред10 ством скобы 8.

Для возможности ликвидации перепада давления по сторонам мембраны, консольная балка с тензоэлементами установлена в полости герметичного

15 корпуса 9.!

Изобретение относится к вытягиванию и расплаву слитков, преимущественно монокристаллов полупроводников по способу Чохральского.

В известном устройстве для .вытягивания слитков из расплава на затравку, включающее введенный сверху в полость камеры полый шток с затравкодержателем, прикрепленным к нему при помощи тяги, передающей, соответствующее весу слитка усилие на тензоэлементы, С целью повышения точности контроля веса вытягиваемого слитка в предлагаемом устройстве тяга с длиной, превышающей длину штока, подвешена на упруго деформирующейся мембране, кинематически связанной с несущей тензоэлементы консольной балкой. 20

Для устранения перепада давления по сторонам мембраны консольная балка с тензоэлементами установлена в полости герметичного корпуса.

На чертеже изображена схема пред- 2S лагаемого устройства.

Устройство включает введенный сверху в полость камеры (на чертеже не показано) через уплотнение 1 полый

Тензоэлементы, наклеенные на верхнюю и нижнюю поверхность балки и собрайные в схему электрического моста, воспринимают усилия растяжения и сжатия. Выходной сигнал моста через контакты 10 подается на электронный усилитель, регистрирующий прибор или корректирующее устройство (на чертеже не показано).

Шток с тягой в процессе вытягивания вращают. Корпус 11 с токосъемниками 12 перемещают по вертикали вместе со штоком, но не вращают.

406402.

Составитель

Редактор Л. Письман Техред Т.Дубинчак

Корректор И. Эрдейи

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Заказ 5718/1 Тираж 357 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Устройство для вытягивания слитков из расплава

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов вытягиванием из расплава, в частности по методу Чохральского, с регулированием путем использования изменения веса монокристалла и промышленно применимо при синтезе оксидных монокристаллов

Способ выращивания монокристалла сапфира на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания // 2417277

Изобретение относится к технологии высокотемпературной кристаллизации диэлектрических материалов из расплава, например лейкосапфира

Способ выращивания монокристалла сапфира на затравочном кристалле, остающемся в расплаве, в автоматическом режиме // 2423559

Изобретение относится к области автоматического выращивания высокотемпературных монокристаллов и может быть использовано для управления процессом выращивания в ростовых установках с весовым методом контроля

Способ управления диаметром монокристаллов, выращиваемых способом чохральского с жидкостной герметизацией при весовом контроле // 2067625

Изобретение относится к области автоматизированного выращивания полупроводниковых монокристаллов группы A3B5 способом Чохральского с использование защитной жидкости (флюса) на поверхности расплава и может быть также использовано при автоматизированном выращивании кристаллов обычным способом Чохральского на ростовых установках с весовым методом контроля процесса

Устройство для вращения,вертикального перемещения и взвешивания слитка,вытягиваемого из расплава по способу чохральского // 469285

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава с регулированием его диаметра методом взвешивания // 570237

Способ управления процессом выращивания монокристаллов под защитной жидкостью методом чохральского и устройство для его осуществления // 1745780

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов под защитной жидкостью способом Чохральского и может быть использовано для управления процессом кристаллизации на ростовых установках с весовым методом контроля Известны способы, а также устройства управления процессом выращивания монокристаллов под защитной жидкостью методом Чохральского Целью изобретения является улучшение качества выращиваемых монокристалмонокристалла посредством управления температурой расплава и скоростью вытягивания монокристалла по отклонению скорости изменения веса кристалла от заданной величины - на участке разращивания монокристалла , и по состоянию - на участке стабилизации диаметра монокристаллов, для чего используют восстановление переменных состояния с помощью модели процесса кристаллизации и вырабатываемых управляющих воздействий

Способ выращивания кристаллов из расплава в автоматическом режиме // 1798396

Способ регулирования площади поперечного сечения кристалла в процессе его выращивания вытягиванием из расплава // 2549411

Изобретение относится к автоматизации в химической и полупроводниковой промышленности. Площадь поперечного сечения кристалла регулируют в процессе его выращивания вытягиванием из расплава с помощью механизма вытягивания с управляемым приводом в ростовых установках, имеющих датчик веса кристалла или тигля с расплавом. Для измерения площади поперечного сечения растущего кристалла равномерное движение, сообщаемое механизмом вытягивания затравкодержателю, модулируют непрерывными или импульсными ступенчатыми измерительными возвратно-поступательными перемещениями. Затем регистрируют величины перемещений затравкодержателя и величины выделенных модулированных откликов датчика веса. Вычисляют в заданном количестве точек величины площади поперечного сечения растущего кристалла , находят среднюю величину площади поперечного сечения и сравнивают её с задаваемым значением площади поперечного сечения. По сигналу рассогласования между измеренной величиной площади поперечного сечения и требуемой формируют необходимое изменение температуры нагревателя. Повышается качество выращенного кристалла. 7 ил.

Установка для выращивания монокристаллов сапфира методом киропулоса // 2555481

Изобретение относится к электронной промышленности, а конкретно к производству кристаллов сапфира, применяемых в электронике и оптической промышленности. Установка содержит вакуумную кристаллизационную камеру 17, нагреватель, тигель с расплавом, теплоизоляцию нагревателя, вращаемый водоохлаждаемый шток 8 с затравочным кристаллом, шток 8 имеет фланец, соединенный с длинноходным сильфоном 16, нижний конец которого соединен герметично с кристаллизационной камерой 17, а также датчик веса 5 кристалла, при этом водоохлаждаемый шток 8 подвешен непосредственно к датчику веса 5, укрепленному вне камеры кристаллизации 17, и герметично отделен от него компенсационным сильфоном 9 и вакуумным вводом вращения 15, проходит через полый вал вакуумного ввода вращения 15 без контакта с внутренними стенками полого вала, водоохлаждаемый шток 8 приводится во вращение вместе с датчиком веса 5, охлаждающая вода поступает в шток 8 от ротационного соединения 1 протока воды, содержит токосъемник 2 в цепи электрического подключения датчика веса. Для подачи воды от ротационного соединения 1 в водоохлаждаемый шток 8 используют мягкие водяные шланги 6. Техническим результатом является повышение точности измерения веса кристалла и массовой скорости кристаллизации слитка. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.