Патент ссср 414712

 

яе1 ь

ОПИСАНИЕ

ИЗОЬЕЕтЕНИЯ

4I47I2

Союз Советских

С эциалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 28Х1.1971 (№ 1674252/26-9) М. Кл. Н 03k 3/284 с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 05.ll.1974. Бюллетень ¹ 5

Дата опубликования описания 14Х1.1974

Государственный комитет

Совета Министров СССР аа делам изобретений и открытий

УДК 621.373.531.1(088.8) Автор изобретения

И. М. Жовтис

Заявитель

ЖДУЩИЙ МУЛЬТИВИБРАТОР

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в автоматике и вычислительной технике.

Известен ждущий мультивибратор с электроннорегулируемой длительностью формируемых импульсов, содержащий эмиттерный повторитель в цепи заряда времязадающего конденсатора на транзисторе того же типа проводимости, что и основные транзисторы ждущего мультивибратора, база которого подсоедипена через резистор к источнику управляющего напряжения, и пусковой транзистор.

С целью повышения линейности характеристики в предложенном мультивибраторе пусковой транзистор включен в цепь времязадающего резистора по схеме усилителя с общей базой, причем его эмиттер соединен с времязадающим резистором, коллектор — с базой открытого в исходном состоянии основного транзистора ждущего мультивибратора, а база через резистор — с заземленной шиной питания. Тип проводимости пускового транзистора противоположен типу проводимости основных транзисторов.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого ждущего мультивибратора, который содержит пусковой транзистор 1, ждущий мультивибратор на транзисторах 2 и 3, эмиттерный повторитель на транзисторе 4, времязадающий конденсатор 5, резистор 6, образующий совместно с пусковым транзистором времязадающее сопротивление, и диоды 7 и 8.

В исходном устойчивом состоянии транзистор 3 насыщен, так как его база подключена через токостабилизирующий двухполюсник, образованный транзистором 1 и резистором 6, к отрицательному полюсу источника коллек10 торного напряжения — Е, Напряжение транзистора 3 близко к потенциалу земли. Транзистор 2 находится в запертом состоянии, так как его база подключена к коллектору транзистора 3. Сопротивление резистора 6 выбирается такой величины, чтобы токостабилизирующий двухполюсник обеспечивал насыщенное состояние транзистора 3 в рабочем интервале температур, а транзистор 2 был заперт. (Для расширения диапазона температур, при

20 которых устройство не будет переходить в режим самовозбуждения, между коллектором транзистора 3 и базой транзистора 2 следует включить резистор и подать через другой резистор небольшое положительное смещение на

25 базу транзистора 2) .

Времязадающий конденсатор 5 заряжен до напряжения, равного управляющему. Диоды 7 и 8 заперты и отключают эмиттерный повторитель, собранный на транзисторе 4, от кол30 лектора транзистора 2.

414712

Предмет изобретения

Составитель Ю. Еркин

Техред А. Камышникова

Корректор В. Брыксина

Редактор Т. Орловская

Заказ 1365!14 Изд. ¹ 479 Тираж 811 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР

iio делам изобретений и открытий

Москва, K-35, Раушская наб., д. 475

Типография, пр. Сапунова, 2

При подаче отрицательного импульса на базу (или положительного импульса на эмиттер) транзистора 1 ток через этот транзистор резко уменьшается, транзистор 3 выходит из насьпцения и начинает запираться. На коллекторе транзистора 3 возникает отрицательный перепад, который открывает транзистор 2. Положительный перепад на коллекторе транзистора 2, превышающий порог управляющего напряжения, открывает диод 7 и через конденсатор 5 попадает па базу транзистора 3, поддерживая его в открытом состоянии. В результате лавинообразного процесса, который при этом формируется, транзистор 2 оказывается насыщенным, а транзистор 3 — запертым после окончания пускового импульса.

Диоды 7 и 8 отключают транзистор 4, которьш при этом находится в запертом состоянии благодаря равенству потенциалов его базы и эмиттера.

После опрокидывания схемы начинается разряд конденсатора 5 через токостабилизирующий двухполюсник, образованный транзистором 1 и его нагрузкой — резистором 6.

Постоянство разрядного тока через транзистор 1 поддерживается, благодаря тому, что база транзистора 1 подключена через относительно небольшое сопротивление резистора 9 к заземленной шине. В процессе линейного разряда конденсатора 5 напряжение на нем достигает напряжение отсечки транзистора 3. и схема возвращается в исходное устойчивое состояние равновесия. В момент возвращения схемы в исходное устойчивое состояние отрицательный перепад напряжения на коллекторе транзистора 2 пе передается конденсатором 5 на базу. транзистора 3, так как диоды 7 и 8 оказываются смещенными в обратном направлении. Быстрый заряд конденсатора 5 до управляющего напряжения происходит через малое выходное сопротивление эмиттерного повторителя.

Импульс прямоугольной формы, длительность которого зависит от величины управляющего напряжения, может быть снят с коллек10 тора транзистора 2.

15 1. Кдущий мультивибратор с электроннорегулируемой длительностью формируемых импульсов, содержащий эмиттерный повторитель в цепи заряда времязадающего конденсатора па транзисторе того же типа проводимости, что и основные транзисторы ждущего мультивибратора, база которого подсоединена через резистор к источнику управляющего напряжения, и пусковой транзистор, о т л и ч а ю щ и йся тем, что, с целью повышения линейности характеристики, пусковой транзистор включен в цепь времязадающего резистора по схеме усилителя с общей базой.

2. Мультивибратор по п. 1, отл ич а ю щи йс я тем, что пусковой транзистор, тип проводимости которого противоположен типу проводимости основных транзисторов, соединен эмиттером с времязадающим резистором, коллектором — с базой открытого в исходном состоянии основного транзистора ждущего мультивибратора, а базой через резистор —— с заземленной шиной питания.