Патент ссср 415734

Авторы патента:

H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

Союз Советсннх

Соцнаднстнчесннх

Рфспубпнк

О П И С А--И И Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства —— (22) Заявлено 28.02.72 (21) 1752312/26-9 с присоединением заявки ¹â€” (32) Приоритет—

Опубликовано 15.02.74. Бтоллететтт X 6 (51) М.1с,л. Н 01с 7/00 и 01су 3/075

Государственный номнте.

Совета а1нннетров СССР по делам нзвбретеннй к открыткой (53) УД К 621.396.6-101.5 (088.8) Дата опубликования описания 04.10.74.

В. А. Лабунов, 3. В. Воробей, В. В. Бондаренко, В. В. Соловьев и А, Г. Максидонов (72) Авторы изобретения

Минский радиотехнический институт (71) Заявитель

RC-СТРУКТУРА СО СТУПЕНЧАТЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ вЂ” — - ПАРАМЕТРОВ

Предмет изобретения

Изобретение относится к области технологии производства радиоаппаратуры и может быть использовано при изготовлении частотноизбирательных усилителей с распределенными RC-фильтрами в цепях обратной связи.

Известна RC-структура со ступенчатым распределением параметров, состоящая из резистивного, диэлектрического и проводящего слоев.

Недостатком известной структуры является то, что ступенчатая неоднородность в пих достигается скачкообразным изменением ширины структуры, что приводит к усложненито топологии, нерациональному использованшо площади подложки и образованию электрически слабых мест на ступеньках.

В качестве материала диэлектрического слоя использована термически напылетптая моноокись кремния, позволяющая получать весьма малые удельные емкости, обладающая .высоким температурным коэффициентом емкости, значительно меняющая свои диэлектрические характеристики во вреатени, что ведет к увеличению габаритов структур, их низким воспроизводимостям, стабильности и надежности.

С целью упрощения топологии и уменьшения габаритов структуры, повышения ее надежности, резистивный и диэлектрический слои выполнены ступенчато изменяющимися тlо толщине вдоль структуры.

На фиг. 1 показана предлагаемая RC-структура со ступенчатым распределением параметров; на фиг. 2 — то же, в разрезе.

Резистив»ые элементы 1, выполненные, например, из тантала, проанодированы до различных уровней t> и t2. В качестве материала диэлектрического слоя использован Та 05, 1О полученный анодированпем танталового резистора в электролите или плазме и позволяющий достигать ьысокие удельные емкости (в десятктт раз большие, чем па моноокпсп кремния) . Рсзистпвныс элементы 1 последовательно соединены напылснными «люмпниевыми полосками 2. Повсрх оксидного слоя 3 Та205 папылен ттроводящшт;тлюмштиевый слой 4.

2о PC-структура со ступенчатым распределетт ттехт параметров,,состоящая из резистивного, диэлектрического и проводящего слоев, отличаюи1аясл тем, что, с целью упрощения топологии и уменьшения габаритов структуры, по25 вышения ее надежности, резистпвный и диэлектрический cлои выполнены ступенчато изменяющимися по толщине вдоль структуры.

415734

t<> g

Составитель Е. Ковалева

Редактор T. Морозова Техред Л. Богданова Корректор М. Лейзерман

Заказ 3069 Изд. ¹ 1301 Тираж 760 Г1одписное

ЦНИИНИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Загорская типография

Патент ссср 415734 Патент ссср 415734 

 

Наверх