Патент ссср 415734
Союз Советсннх
Соцнаднстнчесннх
Рфспубпнк
О П И С А--И И Е
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства —— (22) Заявлено 28.02.72 (21) 1752312/26-9 с присоединением заявки ¹â€” (32) Приоритет—
Опубликовано 15.02.74. Бтоллететтт X 6 (51) М.1с,л. Н 01с 7/00 и 01су 3/075
Государственный номнте.
Совета а1нннетров СССР по делам нзвбретеннй к открыткой (53) УД К 621.396.6-101.5 (088.8) Дата опубликования описания 04.10.74.
В. А. Лабунов, 3. В. Воробей, В. В. Бондаренко, В. В. Соловьев и А, Г. Максидонов (72) Авторы изобретения
Минский радиотехнический институт (71) Заявитель
RC-СТРУКТУРА СО СТУПЕНЧАТЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ вЂ” — - ПАРАМЕТРОВ
Предмет изобретения
Изобретение относится к области технологии производства радиоаппаратуры и может быть использовано при изготовлении частотноизбирательных усилителей с распределенными RC-фильтрами в цепях обратной связи.
Известна RC-структура со ступенчатым распределением параметров, состоящая из резистивного, диэлектрического и проводящего слоев.
Недостатком известной структуры является то, что ступенчатая неоднородность в пих достигается скачкообразным изменением ширины структуры, что приводит к усложненито топологии, нерациональному использованшо площади подложки и образованию электрически слабых мест на ступеньках.
В качестве материала диэлектрического слоя использована термически напылетптая моноокись кремния, позволяющая получать весьма малые удельные емкости, обладающая .высоким температурным коэффициентом емкости, значительно меняющая свои диэлектрические характеристики во вреатени, что ведет к увеличению габаритов структур, их низким воспроизводимостям, стабильности и надежности.
С целью упрощения топологии и уменьшения габаритов структуры, повышения ее надежности, резистивный и диэлектрический слои выполнены ступенчато изменяющимися тlо толщине вдоль структуры.
На фиг. 1 показана предлагаемая RC-структура со ступенчатым распределением параметров; на фиг. 2 — то же, в разрезе.
Резистив»ые элементы 1, выполненные, например, из тантала, проанодированы до различных уровней t> и t2. В качестве материала диэлектрического слоя использован Та 05, 1О полученный анодированпем танталового резистора в электролите или плазме и позволяющий достигать ьысокие удельные емкости (в десятктт раз большие, чем па моноокпсп кремния) . Рсзистпвныс элементы 1 последовательно соединены напылснными «люмпниевыми полосками 2. Повсрх оксидного слоя 3 Та205 папылен ттроводящшт;тлюмштиевый слой 4.
2о PC-структура со ступенчатым распределетт ттехт параметров,,состоящая из резистивного, диэлектрического и проводящего слоев, отличаюи1аясл тем, что, с целью упрощения топологии и уменьшения габаритов структуры, по25 вышения ее надежности, резистпвный и диэлектрический cлои выполнены ступенчато изменяющимися по толщине вдоль структуры.
415734
t<> g
Составитель Е. Ковалева
Редактор T. Морозова Техред Л. Богданова Корректор М. Лейзерман
Заказ 3069 Изд. ¹ 1301 Тираж 760 Г1одписное
ЦНИИНИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Загорская типография