Патент ссср 417534

 

О П Е (ii) 4I 7534

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Соеетских

:Социалистических

Реслублик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 23.07.71 (21) 1683863/22-1 с присоединением заявки №вЂ” (32) П.риоритет—

Опубликовано 28.02.74. Бюллетень ¹ 8

Дата опубликования описания 02.01.75 (51) M. Кл, С 23b 5/02

С 23с 3/00

Тасудерственный каыитет

Савета Министрае СССР аа делам изабретений и открытий (53) УДК 621.793.32:669. .248 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. М. Гершов и П. И. Дзюбенко (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ НИКЕЛЕВЫХ ПОКРЫТИИ

Изобретение относится z области нанесения покрытий, в частности никелевых.

Известен способ осанадения никелевых:погарытий |в среде, содержащей хлористый никель. Процесс осаждения ведут при 120 — 150 С и давлении 2 —,3 атм.

Предлагаемый способ отли чается от нзвестного тем, что в качестве среды используют тарнсталлогидрат хлористого кальция при концентрации хлористого никеля 10 — 40 г/л и процесс ведут при атмосферном давлении и температуре 130 — 140 С.

Это способствует упрощению процесса получения качественных покрытий на медной поверхности.

Сущность способа заключается в том, что никелевое покрытие на медной поверхности получают .путем .контакт ного замещения в хлоркальциевой среде, содержащей 10 — 40 г/л хлористого никеля, гари атмосферном давлении и т е мпер а тур е 130 — 140 С.

Пример. Кристаллогидрат хлористого кальция нагревают до растворения в своей кристаллизационной воде. Затем в раствор вводят 30 г/ г хлористого никеля, нагревают до 135 С и погружают в него медную,подложку. За 5 — 20 .иии получают мелкокриеталлическое, прочно сцепленное с подложкой никелевое:покрытие толщиной 0,5 як.

Предмет изобретения

Способ осаждения .никелевых покрытий в среде, содержащей хлористый никель, отличаioiquucя тем, что, с целью упрощения процесБ са получения качественных покрьпий на медной,поверхности, в качеспве среды используют кристаллогидрат хлористого кальция кри

:концентрации хлористого никеля 10 — 40 г/л и процесс ведут .при 130 — 140 С п атмосферном

20 давлении.

Патент ссср 417534 

 

Похожие патенты:
Наверх