Автоэмиссионный игольчатый катод

 

(II) 423198

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистимеских

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 24.04.72 (21) 1776842/26-25 с присоединением заявки ¹ (32) Приоритет

Опубликовано 05.04.74, Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 04.09.74 (51) М. Кл. Н Olj 1/30

Гасударственный комитет

Сааетв Министров СССР па делам изобретений и открытий (53) УДК 621.385.032 (088.8) (72) Авторы изобретения

Р. И.-Г. Гарбер, Б. Г. Лазарев, Л. Ш. Лазарева, Ж. И. Дранова, И. М. Михайловский и В. Б. Кулько цптБ (71) Заявитель

* «тc, i

1 (54) АВТОЭМИССИОННЫЙ ИГОЛЬЧАТЪ|Й КАТОД

32 1

Изобретение относится к приборам, в которых осуществляется автоэлектронная эмиссия.

Известные автоэмиссионные катоды, выполненные из тугоплавких сплавов, недостаточно стабильно работают в техническом вакууме.

Целью изобретения является повышение стабильности эмиссионных характеристик автокатодов (в условиях ионной бомбардировки) независимо от размеров эмиттирующей поверхности.

Для достижения этой цели катоды изготовляют из сплавов тугоплавких металлов, содержащих нитевидные включения, ориентированные вдоль оси иглы, величина поперечного сечения которых составляет где у — коэффициент поверхностного натяжения материала;

Š— напряженность поля эмиссии.

Ограничение размеров структурных включений позволяет избежать флуктуационного прорастания микровыступов на эмиттиру)ощей поверхности, приводящего к переходу эмиссии в дуговой режим и к разрутнению катода. Из соотношения поверхностных сил в сильном электрическом поле следует, что рост микровыступа с основанием .. 3гт (1

Е начинает подавляться силами лапласового давления при достижении высоты выступа

ЙН, так как при дальнейшем увеличении высоты микровыступа радиус кривизны его вершины уменьшается и становится меньше

10 32— критического. Если d), то вследствие

Е преобладания пондеромоторных сил над силами лапласового давления микроострия могут неограниченно удлиняться, плотность тока

15 возрастет, что может привести к переходу эмиссии в дуговой режим.

Относительное постоянство размеров структурных составляющих при изменении геометрии эмиттера (сгрублении или обострении)

20 обеспечивается за счет достаточной протяженности фазовых составляющих вдоль оси острия. По данным автопонномикроскопического анализа сплава Nb — Zr — Ti, величина поо перечного сечения включений -100 А, расстояние между ними того же порядка. длина

I нитей — 10 А

Автоэмиссионные катоды из сплавов

Nb — Zr — Ti обладают существенно более вы30 сокой стабильностью. Повышенная устойчи423198

,. Зг -1

Е

Предмет изобретения

Составител Г. Жукова

Техред Л. Богданова

Корректор Л. Царькова

Редактор Т. Орловская

Заказ 2147)16 Изд. 1Чз 7!О Тираж 760 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 475

I ипографпя, пр. Сапунова, 2 вость к ионной бомбардировке сплава

Nb — Zr — Ti проявляется, в частности, в том, что в процессе отбора автоэмиссионного тока эмиссионная картина не изменяется.

1. Автоэмиссионный игольчатый катод, выполненный из тугоплавкового сплава, отл ич а ю шийся тем, что, с целью повышения стабильности эмиссии, в качестве материала катода использован сплав, содержащий структурные составляющие в виде нитевидных включений, ориентированных вдоль оси иглы и выходящих иа эмиттирующую поверхность, величина поперечного сечения которых составляет

5 где у — коэффициент поверхностного натяжения материала;

Š— напряженность электрического поля.

2. Катод по п. 1, отл и ч а ю щийся тем, что катод выполнен из сплава, содержащего

50% ниобия, 25% циркония и 25% титана.

Автоэмиссионный игольчатый катод Автоэмиссионный игольчатый катод 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области получения мощных ионных пучков (МИП) и может быть использовано в ускорителях, работающих в непрерывном и импульсном режимах

Магнетрон // 2115193

Изобретение относится к ионно-оптическим ускорителям ионов и может быть использовано в ионных двигателях
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления проводящих микроострий, которые могут быть использованы, например, в производстве вакуумных интегральных микросхем
Наверх