Полупроводниковое устройство

 

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, выполненное в виде пластины с контактами, помещенной в магнитное поле, отпичащееся тем, что с целью получения пороговой чувствительности синусоидальных колебаний токак магнитному попю, пластина имеет по крайней мере один выпрямляюший контакт и легирована примесями в таких концентрациях, при которых возникают рекомбинационные волны.2.Устройство по п. 1, о т л и ч а torn е е с я тем, что германиевая пластина П -типа содержит . в качестве примесей марганец, компенсированный сурьмой в такой концентрации, чтоП/р>& tn/^p иN^.^Ngb 42NMn.3.Устройство по пп. 1 и 2, о т п и-чающееся тем, что содержит в качестве контакта прижимной эонд иаметалла, например вольфрамя.;

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

3 у> Н 01 L 3/10

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCHGMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPblTHA (2 1) 1778854/26-2 5 (22) 29.04,72 (46) 07.10.83. Бюл. 37 (72) С. Г, Калашников, И. B. Карпова, Б. В. Корнилов и Ю. И. Завадский (71) Ордена Трудового Красного Знамени институт радиотехники и эпектроники АН

СССР (53) 62 1.382 (088.8) (54) (57) 1. ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ

УСТРОЙСТВО, выполненное в виде ппвстины с контактами, помешанной в магнитноеполе, отлнчвшееся тем, что с целью получения пороговой чувствиI тепьности синуcoHgQTIhHblx колебаний тока к магнитному полю, пластина имеет по крайней мере один выпрямпякиций контакт и легироввна примесями в таких концентрациях, при которых возникают рекомбинационные волны.

2. Устройство по п, 1, о т и и ч а юш е е с я тем, что германиевая пластина rI -типа содержит в качестве примесей марганец, компенсированный сурьмой в такой концентрации, что и/p > ьп / Lp и мп, 2 8y„.

3. Устройство по пп, 1 и 2, о т и ич в ю щ е е с я тем, что содержит в качестве контакта прижимной зонд ив метвплв, например вольфрама., 432856

Техред A. Бабинеп Корректор А. Повх

Редактор П. Горькова

Тираж 703 Поцписное

ВНИИПИ Госуцарственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35/Раушская наб., д. 4/5

Заказ; 7991/1 атент, г. жгород, ул. Проектная, 4, Филиал

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, электронной и вычислительной технике и автоматике.

В настоящее время в технике широкое распространение получили различные уст-ройства на основе полупроводниковых пла стин с константами, параметры кото-рых чувствительны к магнитному полю.

Оцнако известные устройства обладают сравнительно низкой чувствительностью >О и не имеют резко выраженного порога по магнитному полю.

Предложенное устройство отличается, тем, что оно изготовлено из полупроводникового материала, в котором возможно возбуждение рекомбинаиионных волн в плазме полупровоцника. Характерным дгя данного устройства является наличие четКОГО пороГа по маГнитному полю и чуB ствительность, превышающая на несколько порядков чувствительность ранее известных приборов. Предлагаемое устройство открывает новые возможности использо1 вания особенности электрических и магни"ных явлений в полупровод>п>ках для созда- Z5 ния различных технических устройств.

Устройство может быть выпонено в виде пластины германия, помещенной в магнитное поле и имеющей контакты, один из которых является выпрямляюшим. Пла- 3д стина германия легирована марганцем и сурьмой в таких концентрациях, при которых возможно возбужцение рекомбинационных волн Му„ Ngb < 2N@

?l "р / p 1, где tt М hlcb кон

П

35 центрация марганца и сурмы; 5, р и л и ьр - концентрация и времена жизни электронов и дырок. B качестве выпрямляющего контакта может быть использован прижимной вольфрамовой зонд, 2

В основе действия порогового устрой ства лежат высокая чувствительность амплитуды синусоидапьных колебаний тока типа рекомбинадионных вопи(РВ) к величине внешнего магнитного поля. При подаче на выпрямпяюший контакт отрицательного смещения от батареи в цепи возникают колебания тока типа PB с частотой 0,5-1 мГП. Минимальное смешение, необходимое для возникновения колебаний,, составляет несколько десятых вольта.

При включении внешнего магнитного поля амплитуда синусоидапьных колебаний тока резко уменьшится от нескольких вольт до сотни милпивопьт, если величина магнитного поля превышает некоторое критическое значение Но, Увеличение H над Нс, необходимое для срыва колебаний, составляет величину, меньшую 1%, При уменьшении магнитного поля на ту же величину колебания восстанавливаются. Величину

Нс можно изменять в широких пределах, меняя постоянное смещение на зонде. Пороговое устройство имеет высокую пороговую чувствительность у порога к малым ,6Н, Чувствительность устройства составляет величину 10 - 10 мкВ/Э. Устрои4 ство вьшает синусоицальный сигнал, что упрощает его использование в электронных схемах. Устройство может работать от низковольтных источников питания (1-5 В), обладает относительно высоким и -6 быстроцействием (с 10 с), миниатюрно и технологично.

Устройство сможет найти различные технические применения. В качестве примера можно указать на возможность использования его дпя прецизионной стабилизации магнитного поля, дпя усиления мощности в качестве реле и т, д,