Способ изготовления сегнетоэлектрических пленок
ge.о о нт-„-.. тьн о:ОПИ .е ИЕ
ЙЗОБРЕТЕН ИЯ (ii) 437813
Союз Советсиии
Социалистических
Рес пу бпик
И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (б1) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 17.03,72 (21) 1759913/26-9 с присоединением заявки № (32) Приоритет
Опубликовано 30.07.74. Бюллетень № 28
Дата опубликования описания 09.01.75 (51) М, Кл. С 23с 13/04 государственный комитет
Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий (53) УДК 621.396.6-181. .48(088.8) (72) Авторы изобретения
Ю. Я. Томашпольский, Л. А. Сорокина, М. А. Севостьянов и Ю. Н, Веневцев (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
ПЛЕНОК
Изобретение относится к электронной технике.
Известен способ изготовления сегнетоэлектрических пленок дискретным испарением.
Прежние способы дискретного испарения не обеспечивали формирования достаточно совершенной структуры пленок, поэтому их сегнетоэлектрические свойства были слабо выражены, а для толщин, менее 1000 А, вообще не обнаружено пика температурного хода диэлектрической проницаемости и петли диэлектрического гистерезиса.
Цель изобретения — улучшение сегнетоэлектрических свойств пленок и уменьшение их толщины.
Существо предлагаемого способа заключается в том, что в качестве исходного материала берут керамику, например, на основе титаната бария нестехиометрического состава с определенным дефицитом по барию, предварительно синтезированную по керамической технологии, и проводят ее дискретное испарение с последующей конденсацией на подогретую подложку. В процессе конденсации в пленке формируется кристаллическая структура перовскитпогс типа, принадлежащая микрокристаллам, вкрапленным в неупорядоченную матрицу, такое строение пленок обусловливает более резкие аномалии е(/), петли диэлектрического гистерезиса, близкие к насыщению, меньшие диэлектрические потери.
Пример. Шихту, составом 0,3 ВаО 0,008
$гО 1 Ti0>, обжигают при 1300 С 60 мин, затем тщательно измельчают, дискретно исо паряют и конденсируют со скоростью 9 А/сек на подложку, нагретую при t=850 Ñ.
Параметры полученной пленки (Bap pSIp1) о т0 Т)Оз, толщиной 3000 А, представлены на чертеже.
Температурный ход диэлектрической проницаемости и потерь Т„=90 С, максимальная проницаемость до 1200, потери на 1 кгц
15 0 8 — 1.
На чертеже 1 — в и tg6 пленки, полученной предлагаемым способом; 2 — е и tg6 пленки, полученной известным способом (е — вдвое меньше, потери больше в 2 — 3 раза).
Предмет изобретения
Способ изготовления сегнетоэлектрических пленок сложных окислов, например, на основе титаната бария, основанный на дискрет25 ном испарении в вакууме исходного материала с последующей конденсацией его на нагретой подложке, отлич ающийс я тем, что, с целью улучшения сегнетоэлектрических свойств пленок, производят предварительный
30 синтез исходного материала в виде керамики нестехиометрического состава.
437813 п00
1000
1,0
075
0,50
0,25
0 50 100 15г7 "
Редактор М. Бычкова
Заказ 3577/4 Изд. № 1872 Тираж 875
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5
Подписное
Типография, пр. Сапунова, 2 б00 д5(1) Составитель Ю. Томашпольский
Техред Т. Курилко
Z,5 уЮ(Г!
Корректоры: Е. Давыдкина и Л. Корогод
