Плазменный ионный источник
О П И С А Н И Е 01, 439232
ИЗОЬРЕтЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
"ЪЬ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 28,06.73 (21) 1933537/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет
Опубликовано 25.07.75. Бюллетень № 27
Дата опубликования описания 12.11.75 (51) М. Кл. Н 01j 3/04
Н 0511 7/00
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.384.6 (088.8) (72) Автор изобретения
В. В. Нижегородцев (71) Заявитель (54) ПЛАЗМЕННЫЙ ИОННЫЙ ИСТОЧНИК
Изобретение относится к технике получения пучков заряженных частиц.
Известны плазменные ионные источники
Пеннинга, содержащие анод, катод, антикатод и магнитную систему. Извлечение ионов производится через отверстие в антикатоде.
Однако известный ионный источник имеет невысокую интенсивность ионного пучка, кроме того, в нем наблюдается большой разброс по энергиям инжектируемых ионов, нестабильность ионного тока пучка и т. д.
Цель изобретения — повышение интенсивности и стабильности ионного пучка.
Сущность изобретения заключается во введении в ионный источник дополнительных ступеней осцилляции, охваченных магнитной си стем ой.
На фиг. 1 — 4 изображены варианты предлагаемого ионного источника.
Ионный источник содержит катод 1, анод 2, антикатод 3, магнитную систему 4, дополнительный электрод 5 — антианод.
С целью увеличения плотности разрядной плазмы источника в антикатоде выполнена полость 6 (см. фиг. 2), сообщающаяся прямыми осевыми каналами с областью дополнительного электрода-антианода. Эта полость выполняет роль дополнительного полого катода, увеличивая плотность разрядного тока у отверстия дополнительного электрода.
С целью увеличения равномерности и плотности плазмы источника полость 7 антикатода имеет нулевое магнитное поле (см. фиг. 3), а повышенная напряженность магнитного поля достигается за счет введения дополнительной магнитной системы 8, выполненной встречно по отношению к магнитной системе ячейки
Пеннинга. Эта магнитная система создает напряженность магнитного поля в объеме дополнительного электрода.
С целью увеличения плотности и стабильности разрядной плазмы источника введен второй дополнительный электрод 9, расположенный между антикатодом и дополнительтв ным первым электродом (см. фиг. 4). Электрод имеет полость 10 с нулевым магнитным полем, которая сообщается осевыми каналами с областью антикатода и областью первого дополнительного электрода.
Предмет изобретения
1. Плазменный ионный источник с разрядной ячейкой типа Пеннинга, содержащий анод, катод, антикатод и магнитную систему, 25 отличающийся тем, что, с целью повышения интенсивности и стабильности ионного пучка, он снабжен одним или несколькими дополнительными электродами с отверстиями, расположенными соосно и последовательно за
З0 выходным отверстием антикатода, охваченны439232
Фиг. У
У
f0
Фиг.
Фиг 5
Составитель П. Домнин
Техред М. Семенов
Редактор О. Орловская
Корректор В. Брыксина
Заказ 2804 2 Изд. № 952 Тираж 833 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 ми магнитной системой и подключенными к положительному полюсу источника питания.
2. Ионный источник по п. 1, отличаюшийся тем, что в антикатодном электроде выполнена полость, экранированная от магнитного поля, связанная при помощи осевых каналов с разрядной ячейкой и областью между антикатодом и дополнительным электродом, и встречно с магнитной системой разрядной ячейки включена дополнительная магнитная система.
3. Ионный источник по пп. 1, 2, отл и ч а юшийся тем, что, по крайней мере, в одном из
5 дополнительных электродов выполнена полость, экранированная от магнитного поля, сообщающаяся при помощи осевых каналов с разрядной ячейкой Пеннинга и областью последующего дополнительного электрода.
