Электрохимический способ получения тонких слоев сплава теллура с висмутом

Авторы патента:

АЛЕКПЕРОВ АЛИГАЙДАР ИБАД-ОГЛЫ

МАМЕДОВ МЕХМАН НАСИБ-ОГЛЫ

H01L21/288 - из жидкости, например способом электролитического осаждения

О Il И С А Н И Е » 439862

ИЗОБРЕТЕН Ия

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТИЛЬСТВУ

СОюз Советских

Социалистических

Республик (б!) Зависимое от авт, свидетельствавЂ” (22) Заявлено 13.10.72 (2!) 1837147/26-25 с присоединением заявки 4евЂ” (32) ПриоритетвЂ”

Опубликовано 15.08.74. Бюллетень ¹ 30

Дата опубликования описания 18.02.75 (51) М.Кл. Н 011 7/10

С 23b 5/00

Государстваный комите

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (53) УДК G21.382(088.8) (72) Авторы изобретен ня

А. И. Алекперов и М. H. Мамедов (71) Заявитель

Институт неортеинческой и физической химин All

Азербайджанской ССР

ФМ "™ и (54) ЭЛ ЕКТРОХИМИЧ ЕСКИ и СПОСОБ ПОЛ УЧ ЕНИЯ

ТОНКИХ СЛОЕВ СПЛАВА ТЕЛЛУРА С ВИСМУТОМ

Предмет изобретения

Известен способ получения тонких слоег, сплава теллура с висмутом, основанный на испарении этого сплава или его компонентов в вакууме с последующей конденсацией паров на поверхности подложки.

Способ требует сложной аппаратуры, осуществляется прн повышенной температуре.

С целью получения достаточно прочной, беспористой и блестящей полупроводниковой пленки сплава теллура с висмутом на платине и титане осаждение осуществляют из неводного раствора, состоящего из ТеСI4, и BIC(q в уксусной кислоте с добавлением LiC!.

Электрохимическое осаждение сплава теллура с висмутом »а платине и титане с целью получения равномерной и компактной пленки проводят из раствора, содержащего 5вЂ”

100,илюль/л ТеС!4 и 20 вЂ” !15 клюль/г B(Clq в уксусной кислоте.

Процесс электролиза ведется при добавлении и электролит 0,75 лоль/л 11СI и плотности тока 0,5 вЂ” 5 ла/слР. Электролиз проводят в стеклянном герметично закрытом электролизере с двумя анодами из платины или графита, прокаленного при 300 вЂ” 350 С. Катодом служит титановая или платиновая пластинка. Состав и компактность осадка зависит от соотношения концентрации ТеСI» и BiCI. эл уйтролите.

1-1апример, равномерные плотные слои сплава висмут вЂ телл на платиновой пли титановой основе толщиной до 15 як получают из электролита с соотношением В(СIа . ТеС14 от

25: 1 до 1: 5 при плотности тока до 5 л»а!сси -.

Преимуществом предлагаемого способа является то, что так можно получать более мелкокристаллические, а следовательно, и равномерно покрывающие поверхность катода слои (О сплава висмут вЂ телл при более упрощенной технологии в течение нескольких минут и при комнатной температуре.

1. Элсктрохимический способ получения тонких слоев сплава теллура с висмутом из раствора уксусной кислоты, отлачаюа(пася тем, что, с целью улучшения качества пленки, осаждаемой, например, на платине, осаждение осуществляют из неводного раствора, состоящего из ТеС14 и BiCI: в уксусной кислоте с добавлением LiCI.

2. Способ по п. 1, отлачаюа1айся тем, что осаждение пленки проводят из электролита с соотношением BiC13. ТеСI» от 25: 1 до 1: 5 при суммарной концентрации компонентов

120 льиоль/л и плотности тока от 0,5 до

5 л»а/с,

Электрохимический способ получения тонких слоев сплава теллура с висмутом

Похожие патенты:

Патент 429483 // 429483

Способ изготовления заготовок припоя для сборки полупроводниковых приборов // 381119

Способ лужения выводов полупроводниковыхприборов // 328518

Способ получения контактных выступов // 315229

Патент 156250 // 156250

Способ изготовления цинко-германиевого поверхностно- барьерного триода // 104970

Способ изготовления контактных медно-окисных выпрямителей // 22817

Способ формирования медных дорожек на диэлектрических подложках // 2295171

Изобретение относится к технологии формирования медных дорожек на диэлектрических подложках

Состав для электрохимического нанесения хромовых покрытий на кремнийсодержащие материалы // 2062525

Изобретение относится к области электрохимиии, в частности к получению хромовых покрытий на полупроводниковых материалах, в частности на кремнии -n и -p типа и силицидах 3d-переходных металлов

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2031479

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов Шоттки

Способ получения электропроводящего полимерного покрытия на подложке // 2035803

Изобретение относится к технологии производства электронной техники и касается нанесения активного диэлектрика или полупроводника на полупроводниковые подложки

Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности // 2539895

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано при изготовлении полупроводников. Композиция содержит по меньшей мере один источник меди и по меньшей мере одну добавку, получаемую путем реакции многоатомного спирта, содержащего по меньшей мере 5 гидроксильных функциональных групп, с по меньшей мере первым алкиленоксидом и вторым алкиленоксидом из смеси первого алкиленоксида и второго алкиленоксида. Способ включает контакт композиции для нанесения металлического покрытия с подложкой, создание плотности тока в подложке в течение времени, достаточного для осаждения металлического слоя на подложку. Технический результат: обеспечение заполнения отверстий нанометрового и микрометрового размера без пустот и швов. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 1 табл., 7 ил., 8 пр.

Способ электрической пассивации поверхности монокристаллического кремния // 2562991

Изобретение относится к технологии обработки кремниевых монокристаллических пластин и может быть использовано для создания электронных структур на его основе. Способ электрической пассивации поверхности кремния тонкопленочным органическим покрытием из поликатионных молекул включает предварительную подготовку подложки для создания эффективного отрицательного электростатического заряда, приготовление водного раствора поликатионных молекул, адсорбцию поликатионных молекул на подложку в течение 10-15 минут, промывку в деионизованной воде и сушку подложки с осажденным слоем в потоке сухого воздуха, при этом в качестве подложки использован монокристаллический кремний со слоем туннельно прозрачного диоксида кремния, с шероховатостью, меньшей или сравнимой с толщиной создаваемого покрытия, предварительную подготовку кремниевой подложки проводят путем ее кипячения при 75°C в течение 10-15 минут в растворе NH4OH/H2O2/H2O в объемном соотношении 1/1/4, для приготовления водного раствора поликатионных молекул использован полиэтиленимин, а во время адсорбции поликатионных молекул на подложку осуществляют освещение подложки со стороны раствора светом с интенсивностью в диапазоне 800-1000 лк, достаточной для изменения плотности заряда поверхности полупроводниковой структуры за время адсорбции. Техническим результатом изобретения является уменьшение плотности поверхностных электронных состояний и увеличение эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда на границах раздела «органический слой - диэлектрик» и «диэлектрик - полупроводник». 5 ил., 6 табл., 3 пр.

Полевой транзистор и способ изготовления полевого транзистора // 2631405

Предоставлен полевой транзистор, содержащий электрод затвора, предназначенный для приложения напряжения затвора, электрод истока и электрод стока, оба из которых предназначены для вывода электрического тока, активный слой, образованный из оксидного полупроводника n-типа, предусмотренный в контакте с электродом истока и электродом стока, и изолирующий слой затвора, предусмотренный между электродом затвора и активным слоем, при этом работа выхода электрода истока и электрода стока составляет 4,90 эВ или более, а концентрация электронов - носителей заряда оксидного полупроводника n-типа составляет 4,0×1017 см-3 или более. Изобретение обеспечивает получение полевого транзистора, электроды истока и стока которого имеют высокую устойчивость к процессу термообработки и обработке в окислительной атмосфере и имеют низкое удельное электрическое сопротивление, при этом транзистор не требует наличия буферного слоя. 5 н. и 10 з.п. ф-лы, 24 ил., 19 табл.