Многоэлементный полупроводниковый индикаторный прибор

 

ТУТЕНТ1!О- - ..;;. !":.СИАМ ";:6 --:.то a МЬА

ОП ИСААКИЕ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 46Q832

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 08.06.72. (21) 1795599/26-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (43) Опубликовано 05,08.76. Бюллетень №29 (45) Дата опубликования описания 03.12.76 (51) M Кл

Н01 L15/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изооретений и открытий (53) УДК 621.382.002 (088.8) (72) Авторы изобретения

А. П. Карацюба, Т. Г. Кмита, И. И. Круглов В. И. Куринный, А. И. Курносов, И. В. Рыжиков и В. В. Юдин (71) Заявитель (54) МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ

ИНДИКАТОРНЫЙ ПРИБОР

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, в частности к полупроводниковым приборам, излучающим свет в видимой области спектра и предназначенным для индикаторных устройств. 5

Известен многоэлементный полупроводниковый индикаторный прибор, состоящий из кристалла карбида кремния, содержащего на поверхности активный легированный слой с расположенными на нем омическими контактами, конфигура- 1О ция и размеры которых определяют топологию светящихся элементов.

Однако известный прибор имеет высокую гальваническую связь между элементами, что ведет к сомовключению элементов, на которые не подается сигнал, и значительное размытие области излучения за пределы, заданные топологией схемы.

С целью улучшения локализации излучения в предлагаемом приборе между излучающими р- и-пе- чо реходами имеется дополнительная область того же полупроводникового материала с концентрацией дефектов структуры от 10 до 10 см; кроме того, 22 ."в дополнительная область имеет глубину залегания, превышающую толщину полупроводникового слоя, щ на котором расположены дискретные омические контакты на 0,1 мкм.

Дополнительная область характеризуется в ысоким удельным сопротивлением и высокой концентрацией центров-гасителей электролюминесценции.

На чертеже показан предлагаемый многоэлементный индикаторный прибор.

В пластине 1 карбида кремния формируются компенсированная область 2 и р-область 3. На высокоомной области 3 получают ряд дискретных омических контактов 4, между которыми находится дополнительная область 5 с концентрацией дефектов от 10 "едо 1022см з Толщина области 5 превышает толщину области 3 не менее, чем на 0,1 мкм.

На противоположной стороне кристалла расположен омический контакт 6.

Прибор работает при подаче прямого смещения на общий вывод и на нужную комбинацию элементов со стороны высокоомной области кристалла, при этом наблюдается свечение заданой комбинации дискретных элементов. Благодаря тому, что свечение имеет место только под дискретными омическими контактами, наличие дополнительной области с высокой концентрацией дефектов обеспечивает отсутствие краевых свечений за счет поглощения

460832

Составитель М. Лепешкнна

Техред Н. Яндрейчук Koppexc Top Т. Кравченко

Редактор О. янова

Тираж 963 Подписное

ЦНЯКПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35;-Раушская наб., д. 4/5

Заказ 5055 423

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 светоизлучения дефектными центрами кристаллической решетки дополнительной области и резкий контур свечения рисунка.

Формула изобретения

1. Многоэлементный полупроводниковый индикаторный прибор, состоящий из кристалла полупроводникового материала, имеющего р п; переход, общий омический контакт к области одного типа проводимости и ряд дискретных омических

4 контактов к области другого типа проводимости. отличающий ся тем, что, с целью улучшения локализации излучения, между излучающими р-и:переходами имеется дополнительная область того же полупроводникового материала с концент-3 рацией дефектов от 1о до 1 см .

2. Прибор по п.1,о тли чающий ся тем, что дополнительная область имеет глубину залегания, превышающую толщину полупроводникового слоя, 1р на котором расположены дискретные омические контакты на 0,1 мкм.

Многоэлементный полупроводниковый индикаторный прибор Многоэлементный полупроводниковый индикаторный прибор 

 

Похожие патенты:

Радиатор // 458903

Термопара // 457137

Тиристор // 464033
Наверх