Диэлектрический материал

 

О П И С А Н И Е (11) 466196

ИЗОБРЕТЕНИЯ

V. АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 14.02.73 (21) 1883625/26-9 с присоединением заявки М (23) Приоритет

Опубликовано 05.04,75. Бюллетень Ке 13

Дата опубликования описания 30.06.75 (5)) М. Кл, С 03с 3/22

Н Olb 3/08

Н 0)l 1/02

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.315.61:

621 396 6

-181.5 (088.8) (72) Авторы изобретения В. 3. Петрова, В. И. Гребенькова, А. Н. Поспелов и А. А. Чеснаков

Московский институт электронной техники

171) Заявитель (54) ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

Предлагаемый диэлектрический материал предназначен для изоляции элементов интегральных схем.

Известен диэлектрический материал на основе кристаллического стекла, содержащего

SiO2, ZnO, Li2O, К20, Р205.

Цель изобретения — улучшение адгезии к металлам и повышение коэффициента линейного термического расширения — достигается благодаря тому, что предлагаемый диэлектрический материал дополнительно содержит окись переходного металла, например хрома (Сг205), при следующем количественном соотношении исходных компонентов (вес. о/о ):

S1О2 50 — 85

ZnO 0,5 — 50

?-120 5 — 35

К20 2 — 6

Р2 0)5 0,5 — 6

Сг205 0,5 — 5.

Диэлектрический материал получают следующим образом.

Порошки исходных химически чистых компонентов Si02, ZnO, 1.4СОз, К2С03, (),)Н4)2НР04, Сг20З смешивают в определенном соотношении для получения стекла состава Si02 — 82, ZnO — 5,5, 1.40 — 12,5, К20 — 3,0, P205 — 3,0> Сг205 — 0,8 вес. /о, плавят при 1400 — 1450 С в течение 1 часа.

Стекломассу отливают в виде образцов необходимой конфигурации или гранулируют.

Предлагаемый материал может быть использован для изоляции металлических эле5 ментов в штырьковых и плоских корпусах интегральных схем, а также для изготовления многослойных структур. В качестве проводников и металлических деталей могут быть использованы металлы и сплавы с высоким ко10 эффициентом линейного термического расширения (медь, никель, 47НД и другие бескобальтовые сплавы).

Гранулят, приготовленный описанным способом, измельчают до удельной поверхности

15 7500 см /г и на основе этого стекла и органической связки готовят шликер. Из шликера литьем под давлением получают изделия необходимой конфигурации. Заготовки собирают в графитовые формы и нагревают до 900—

20 1100 С для получения прочного изделия.

Изделия затем подвергают термообработке при 650 — 850 С в нейтральной или слабовосстановительной среде.

Предмет изобретения

Диэлектрический материал, преимущественно для изоляции элементов интегральных схем, на основе кристаллического стекла, содержащего Si02, ZnO, 1 40, К20, Р205, о т л и30 ч а ю шийся тем, что, с целью улучшения

466196

Составитель Э. Гилинская

Техред 3. Тараненко

Корректор А. Дзесова

Редактор Б. Федотов

Заказ 1555!8 Изд. Мз 628 Тираж 559 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 его адгезии к металлам и повышения коэффициента линейного термического расширения, он дополнительно содержит окись переходного металла, например хрома (Cr203), при следующем количественном соотношении исходных 5 компонентов (вес. O ):

БiОз

ZnO

L i 0

КзО

Р20з

СгаОз

50 — 85

0,5 — 50

5 — 35

2 — 6

0,5 — 6

0,5 — 5.