Микросхема

 

ОП ИСАЙКЕ изоы чтения

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (») 47624.8 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 19.12.72 (21) 1855795/26-9 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.08.76 Бюллетень № 29 (45) Дата опубликования описания 25.10.76 (51) М. Кл.

Н 05 К 3/ОО

Государствеиимй комитет

Совета Министров СССР ао делам кэобретеиий и открытий (53) УДК 621.396. .6-181.5(088.8) (72) Авторы изобретения

Г. Г. Сможсо и Н. М. Чиковани (71) Заявитель (54) МИКГОСХ МА

Известны микросхемы, содержащие подложку из вентильного металла с анодной окисной пленкой на ее поверхности, развопку, активньге элементы, резисторы и конденсаторы. 5

Цель изобретения — повышение плотности монтажа и надежности схемы.

Предлагаемая микросхема отличается тем, что все ее элементы сформированы ие— посредственно иа одной анодиой окиснойплеи- Е ке, причем ь качестве одной из обкладок конденсаторов использована металлическая подложка.

Микросхема имеет алюминиевую подлож- д ку. Кроме алюминия можно использовать титан, тантал, ниобий, никель, олово и.и сплавы этих металлов. На поверхности подложки с зеркальным классом чистоты (12-14) сформирована толстая, плотная анодная окис-2р ная пленка, а все элементы размещены в одном слое непосредственно иа подложке, что позволяет производить ГИС для устройств, работаккцих в условиях сильных вибрационных и ударных нагрузок, значительно о5 упроп;ает технологию и обеспечивает высокую мощность рассеивания тепла.

Хикросхема приведена на чертеже.

Подложка 1 может быгь выполнена, например, из листового алюминия толщиной порядка 0,5-3,0 мм, оптимально 0,5-1,5 мм, с зеркальной поверхностью (12-14 класс чистоты), верхняя поверхность которого покрыта вакуумплотиой диэлектрической анодной окисиой пленкой 2 толщиной не менее

10 мкм.

На планке сформирована известным путем пассивная микросхема, содержащая конденсатор, состоящий из нижнего электрода 3, диэлектрика 4 и верхнего электрода 5, резисторы

6, конденсатор 7, транзистор 8, контактные площадки 9 и токоведущие дорожки 10-16.

Нижней обкладкой конденсатора служит металлическая час ть подложки которая одновременно является теплоотводом и заземляющей шиной; верхний электрод может быть выложен из алюминия, золота и т.п., в качестве диэлектрика используют окисный слой са .ой годложки.

470249

Составитель М. Руденко

Техред Л. Демьянова Корректор Б. Юнас

Редактор Б. Федотов

Заказ 4982/4.36 Тираж 1 О29 Подписное

gHHNgg Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Эта схема представляет собой эмиттерный повторитель, в котором резисторы 6 играют роль нагрузки в цепи эмиттера и базы транзистора 8.

Формула изобретения

Микросхема, содержащая подложку из вентильного металла с анодной окисной плеикой на ее поверхности, разводку, активные элементы, резисторы и конденсаторы, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что> с целью повышения плотности монтажа и ,надежности, все элементы сформированы непосредственно на анодной окисной пленке, причем в качестве одной из обкладок конденсаторов использована металлическая подложка.