Диодная матрица

 

О П И С A Н И E 473387

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Со1оз Советскнк

Социалистических

Республик

К ПАТЕНТУ (61) Зависимый от патента (51) М. Кл. Н 01t 19/00 (22) Заявлено 30.05.68 (21) 1246034/26-9 (32) Приоритет 30.05.67 (31) 16644А/67 (33) Италия

Опубликовано 05.06.75. Бюллетень ¹ 21

Государственный комитет

Совета Министров СССР по деяам изобретений н открытий (53) УДК 621.396.6.002. .72 (088.8) Дата оп бликования описания 28.08.75 (72) Авторы изобретения

Иностранцы

Франко Форлани, Никола Миннайя, Гиоргио Сакчи (Италия) Иностранная фирма

«Оливетти-Дженерал Электрик С.п.А» (Италия) (71) Заявитель (54) ДИОДНАЯ МАТРИЦА

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к изготовлению интегральных схем запоминающих устройств.

Известны диодные матрицы в виде сформованных на покрытой слоем двуокиси кремния полупроводниковой пластине диодов.

Цель изобретения — повышение надежности и упрощение технологии изготовления матрицы — достигается тем, что полупроводниковая пластина предлагаемой матрицы разделена на ряд параллельных полос, на нижние плоскости которых нанесены металлические шины, например из золота, образующие с поверхностью полупроводника омическнй контакт, а на слой двуокиси кремния нанесены полоски металла, расположенные перпендикулярно шинам, причем анод каждого диода электрически соедцпсн с расположенными на слое двуокиси кремния полосками металла.

На фиг. 1 показан общий вид матрицы; на фиг. 2 — монтажная схема; на фиг. 3 — монтахкпая схема диодной матрицы одностороннего запоминающего устройства; на фиг. 4— часть днодной матрицы в разрезе.

11олупроводниковая пластина 1, выполненная, например, из кремния, обработана для получения проводника п-типа. Нижняя ее плоскость имеет малое удельное сопротивление, а верхняя, эпитаксиально выращенная на нижней, — сравнительно высокое. Пластина разделена на ряд параллельных полос одинаковой ширины более узкими промежутками.

На нижние плоскости полос нанесены шины 2, например, из золота, образующие с поверхностью проводника омпческпй контакт. Эти шины являются горизонтальными проводниками диодпой матрицы, нх ширина равна ширине полупроводниковых полос. Верхняя поверхность пластины, за исключением небольш;1х

pчастк0В, покрыта тонким c, Ioeì двуоlсиси кремния 3, на который нанесен слой металла

4, например золота, образующий контакт, называемый поверхностно-барьерным.

Металлический (золотой) слой 4 является диодом, а нижняя плоскость полупроводнп <овой пластины — катодом. Диоды 5, характеризующиеся значительным быстродействием, соединены перемычкой 6 из металла с относительно большим удельным сопротивлением, например нихрома, с полосками металла 7. преимущественно золота, расположенными на слое 3 на верхней плоскости пластины 1. Полоски 7, перпендикулярные полупроводниковым полосам пластины, являются вертикальными проводниками матрицы. Кроме того, эти полоски, прочно припаянные к пластине, удерживают полупроводниковые полосы вместе на определенном расстоянии одну от другой, что обеспечивается слоями нихрома 8 и никеля 9, на которые нанесен электролитическпм путем

473387 золотой слой 10, препятствующий окислению никеля.

Блок представляет собой полную диодную матрицу, в которой каждый диод 5 односторонне соединяет полоски 7 с шинами 2.

Изолировав некоторые диоды 5 01 полосок

7, можно из полной матрицы получить неполную диодную матрицу, которая может действовать как одностороннее запоминающсе устройство. При этом каждая полоска соединяется только с определенной шиной 2 через остальные нсизолированныс диоды. Для изоляции диодов полоску 7 подсоединяют к положитсльному полюсу источника напряжения, другой полюс подключают к шине 2, к которой подсоединены катоды изолированных диодэв.

Р 13 11 0 CTb II 3 Il P 5i >K C H II11 iiI C>YJXi 110,7 0 CKOII H Li7 I Iной такова, что образуется ток, достато:1ный для расплавления перемычек 6, в рсзультатс чего металл 4 соединяется с анодом диода.

При подаче входного сигнала на опредслс:— ную полоску выходной сигнал появляется па тех шинах, ко"îðûå сое,динены полосками lcрез перемычки и диоды. Таким образом получается одностороннее запоминающее устройсгво, оыстродсйствис которого обсспсчивастся оьlс ГродсЙствисм дпо. loB и уменьшение.!! ел!ко" стной связи ме>кду элементами схемы.

Предмет изобретения

Диодцая матрица 3 виде сформованных на

10 покрытой слоем дзуокиси кремния полупроводниковой пластине диодов, о т л и ч а юща я с я тем, что, с целью повышения ее наде>кности и у;!рощения технологии изготозлеппя, полугроводникозая пластина разделена !

5 па ряд lIараллсльных полос, па нижн:lå плоскости которых нанесены металлические шины, например и "> золота, образу!оп!не с позерхностшо полупроводника омпческпй контакт. и па слои 1вуокпс>! кремния нанесены:1олоски ме )о талла, расположснныс 11ерпсндикулярно ши;1ам, при:ем анод ка>кдого дпо,7à э,эсктрически сосдписп с j>clc.loëoæollíllìè па слое двуокиси кремния полосками металла.

473387

Фиг s

Составитель Н. Блиилова

Техред И. Карандашова редактор Б. Федотов

Корректор Е. Рогайлина

Типогра< ия, ир. Саиуиоиа, 2

3" 2089 !6 11 зд. М оо Тираж 833 ГIод;шсное

LII1ÈÈÃ1È Государственного комитета Совета Мшшстров СССР ио делам изобрезений и открытшi

Москва, jK-35, Раушская иаб., д. 4, 5