Нейрокон

 

р hP сГ Г с

h1 °

- (1 1) 47918 0

ОПИСАНАМИЗОБРЕТЕ Н ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

4а " ь (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 10.05.72 (21) 1782034/26-9 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 30.07.75. Бюллетень № 28

Дата опубликования описания 22.10.75 (51) М. Кл. Н 04п 5/30

Н Oll 19/00

Государственнь и комитет

Совета Министров СССР оо делам изсбретений и открытий (53) УДК 621 397(088 8) (72) Авторы изобретения

В. М. Ганин, В. Ф. Золотарев и Б. Б. Шамшев

Ульяновский политехнический институт (71) Заявитель (54) НЕИРОКОН

Изобретение относится к телевидению и может использоваться в качестве безвакуумного фотоэлектрического преобразователя.

Известен нейрокон, содержащий нейристорную линию, на которую нанесен слой диэлектрика и полупрозрачный электрод, а,в качестве накопительной емкости каждого элемента использован обратно смещенный р — n-переход, зашунтированный встречно включенными диодами, один из которых фоточувствителен.

Целью изобретения является увеличение разрешающей способности нейрокона.

Эта цель достигается за счет того, что между полупрозрачным электродом и слоем диэлектрика дополнительно введены фотопроводящий слой и слой металлизации, контактирующий с общей базой встречно включенных диодов.

На фиг. 1 изображен отдельный каскад нейрокона, разрез поперек строки; на фиг. 2— эквивалентная схема отдельного каскада нейрокона.

Устройство состоит из цепочки связанных по возбуждению полупроводниковых приборов с отрицательным диференциальным сопротивлением (о,д.с.), например тиристоров, слоев 1, 2, 3, 4, образующих нейристорную линию.

Нагрузка каждого полупроводникового прибора с о.д.с. состоит из двух зарядно-разрядных RC-контуров 5 и 6. Контур протягивания нейристорного импульса образован сопротивлением и собственной емкостью обратно смещенного р — и-перехода (слои 4 и 7). Контур формирования потенциальното рельефа изо5 бражения образован емкостью и сопроти влением участка фотопроводящего слоя 8, заключенного между слоем металлизации 9 и полупрозрачным электродом 10, и подсоединен параллельно одному из р — и-переходов дополни10 тельной транзисторной структуры, образованной слоями 3, 11, 12.

Работает устройство следующим образом.

При циклическом прохождении нейристорного импульса емкости 13 и 14 заряжаются до

15 напряжения Е источника питания. Параметры зарядно-разрядного RC-контура 5 выбираются таким образом, чтобы при очередном приходе нейристорного импульса емкость 13 успевала полностью разрядиться и напряжение на по20 лупроводниковом приборе с о.д.с. восстанавливалось до напряжения источника питания Е.

В RC-контуре 6, образованном собственной емкостью и сопротивлением элементарного участка фотослоя, формируется потенциаль25 ный рельеф изображения, формирование последнего определяется изменением сопротивления фотослоя при освещении. Считывание потенциального рельефа изображения и восстановление напряжения на емкости 14 до пер30 воначального значения напряжения Е источи фэ

° °

1 а

479180

1f 12

4 Г 7

Составитель А. Максаков

Редактор В. Левятов

Корректоры: Л. Денискина и А. Степанова ка питания осуществляется базовым током дополнительной транзисторной структуры (слои

3, 11, 1 2) и происходит в момент прохода очередного нейристорного импульса.

Предмет изобретения

Нейрокон, содержащий нейристорную линию, на которую нанесены слой диэлектрика и полупрозрачный электрод, а в качестве накопительной емкости каждого элемента ис пользован обратно смещенный р — n-переход, зашунтированный встречно включенными диодами, отличающийся тем, что, с целью

5 увеличения разрешающей способности, между полупрозрачным .электродом и слоем диэлектрика дополнительно введены фотопроводящий слой и слой металлизации, контактирующий с общей базой встречно включенных диодов.

Заказ 2522/7 Изд. № 1702

Тираж 740 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2