Способ нахождения объема заданного состава в полупроводниковых материалах

 

ОЛИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Ii 1 48ттО 87

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04.04.73 (21) 1902056/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 15.08.75. Бюллетень № 30

Дата опубликования описания 24.10.75 (51) М. Кл. Н 0117/66

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий (53) УДК 621.382:538:

:632 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. И. Иванов-Омский, Б. Т. Коломиец, В. К. Огородников и П. Г. Сидорчук (71) Заявитель

Ордена Ленина Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (54) СПОСОБ НАХОЖДЕНИЯ ОБЪЕМА ЗАДАННОГО СОСТАВА

В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ

Предмет изобретения

Изобретение относится к области технологического контроля в полупроводниковой промышленности.

Известен способ нахождения объема заданного состава в полупроводниковых материалах, который заключается в вырезании образца из слитка и измерении коэффициента Холла в точках образца, расположенных на различных расстояниях от его торцов.

Недостатком данного способа является низкая точность локализации объекта с заданным составом, что приводит к значительным потерям материала.

С целью повышения точности локализации объекта с заданным составом по предлагаемому способу перед разрезанием выявляют форму поверхности постоянного состава на пластинах (например, путем травления) и вырезают образец так, чтобы поверхности постоянного состава были параллельны торцовым граням образца.

Способ поясняется фиг. 1 и 2.

Исходный слиток полупроводникового материала разрезают на пластины (фиг. 1) параллельно оси роста. На пластинах выявляют форму сечений поверхностей постоянного состава 1 каким-либо из известных способов, например травлением в селективно-окрашивающем травителе. Изготавливают образец 2 для измерения коэффициента Холла так, чтобы при измерении ток можно было направить по нормали к поверхностям постоянного состава. Измерительные зонды 3 и 4 (фиг. 2) расположены на боковых гранях образца с возможностью их псремещсиия вдоль его дли5 ны, Измерения коэффициента Холла проводятся при фиксированной температуре в области собственной проводимости в точках образца, расположе пых на разных расстоя иях l от одного из его торцов, положение

10 которого принимается за начало отсчета, далее строится график зависимости R от l, по которому определястся расстояние 4. соответствующее заданному Ro, т. е. задапныи состав

Хо, и определяются размеры участка Л1 с за15 данным составом.

Способ нахождения объема заданного сос20 тава в полупроводниковых материалах путем вырезания образца из слитка полупроводника и измерения коэффициента Холла в точках, расположенных па разных расстояниях от торцов образца, отличающийся тем, что, 25 с целью повышения точности локализации объема с заданным составом, перед разреза. пнем выявляют форму поверхности постоянного состава на пластинах, например, путем травления, и выреза;от образец так, чтобы IIO30 верхности постоянного состава были пара.злельиы торцовым граням образца.

Редактор И. Шубина

Составитель 3. 1слнокова

Те ;peд T. Миронова

Корректор H. Стельмах

Заказ 2577/12 Изд. ¹,717 Тираж 833 Подш;сное

ЦНИИПИ Государствен ого комитета Совета 31иипстров СССР

lIo де:;ам изобретений и открытий й1ос;ва, Ж-35, Раушская II30., д. 4/5

Типографии, пр. Сапунова, 2

Способ нахождения объема заданного состава в полупроводниковых материалах Способ нахождения объема заданного состава в полупроводниковых материалах 

 

Похожие патенты:
Наверх