Полупроводниковый прибор

Авторы патента:

H01L5 - Основные элементы электрического оборудования

О ПИСАН И

ИЗОБРЕТЕНИЯ (11) 482А35

Союз Севе;скнх

Соцлелнстнчвскнк

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 20.04.67 (21) 1149499/26-25 (51) М. Кл. Н 01/ 5/00 с прпсосдпнснпсм заявки №

Государственный комнтет

Совета Министров СССР по делам изобретений н открытнй (32) 11риорптс т

Опу31,,п;()ff:,ио 30.03.75. Ь,оллетсиш f> 32 (53) УД К 621 382 (088.8) Дятя olf . блпков и3ия Описания 08.12.i, > (72) Afff op

ИЗООРСЗЕНИЯ

В. И. Стафес в (71) Заявитель (=4) П011У11РОВОДНИ13 011Ы14 ПРИБОР

11:3об13стснис от13осится к области полупроводниковой электроники.

Известен полупроводниковый диод с неоднозначной по току характеристикой (S-характеристикой), выполненный из высокоомного материала, например кремния, легированного !

ОЛОЗ ОМ.

11рсдля гаем ый пол проводниковый прибор, сОдсржащий диоды с S-характеристикои, Отличается тем, что, с целью обеспечения воздействия па вольтамперную характеристику диода током соседнего диода, инверсные области расположены Hа расстоянии не более четырех диффузионных или дрейфовых длин.

1х,онструкция прибора приведена ня чертеже, где изображены монокрпсталл 1 Ifo;Iólfpoâoëника тт-типа, р-области 2, омический контакт 3 к р-области, омичсский контакт 4 и п-области.

Моиокристялл 1 прибора изготавливают из высокоомного полупроводника полуизолятора, например п-типа, содержащего в запрещенной зоне глубокие примесные уровни, например кремний с примесью золота.

Работа прибора осуществляется следующим образом.

1-1я первую р-область подают положительное напряжение и на вторую р-область от генератора подают в пропускном направлении импульс, амплитуда которого превышает напря5 жение срыва. Длительность импульса должна быть достаточной для того, чтобы инжектированные носители существенно изменили заполнение глубоких прпмесных центров и промодулировалп базу первой р-области, в резуль10 тате чего прибор полностью лерейдет в проводящее состояние.

Предлагаемый полупроводниковый прибор может быть применен для построения нейристорной чинии, а также в других целях.

Предмет изобретения

Полупроводниковый прибор на основе диодов с неоднозначной по току характеристикой (S-характеристикой), выполненных пз высоко20 olifHQI 0 материала, например кремния, легированного золотом, отличающийся тем, что, с целью обеспечения воздействия на вольтампсрную характеристику диода током соседнего диода, инверсные области распо".«о25 жены па расстоянии не более четырех диффузионных или дрейфовых длин.

482835

1(орректор В. Брыксина

Текрсд Т. 1(урилко

Редактор Е. Месропова

Типография, пр. Сап;нова, 2

Заказ 2939/15 Изд. № 1779 Тираж 833 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 51(-35, Раушская наб., д. 4/5

Криогенный токоввод // 481093

Способ нахождения объема заданного состава в полупроводниковых материалах // 481087

Устройство для ориентации полупроводниковых приборов // 479179

Термоэлектромагнитный насос // 478384

Прибор с зарядовой связью // 476623

Способ вакуумного напыления слоев // 475093

Устройство химической обработки изделий // 474961

Кассета для групповой фиксации полупроводниковых приборов // 474870

Диодная матрица // 473387

Способ получения тонких магнитных пленок // 2127929

Изобретение относится к технологии получения тонких ( 0,1 мкм) магнитных пленок (ТМП) с применением метода имплантации ионов магнитных элементов в материал подложки и может быть использовано в микроэлектронике и информатике, в частности, для изготовления магнитных и магнитооптических запоминающих сред

Полевой транзистор с изолированным затвором // 2175795

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к конструированию и технологии изготовления полевого транзистора с изолированным затвором, и может быть использовано в силовой промышленной электронике и электротехнике при производстве приборов управления токами большой величины

Полевой транзистор // 2189665

Способ формирования электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур, способ уничтожения этих структур и генератор/модулятор электрического поля для использования в способе формирования // 2210834

Изобретение относится к микроэлектронной технологии, а именно к технологии получения тонкопленочных электронных схем

Электронная сеть, содержащая нуклеотидные волокна, способ её изготовления и электронная схема, включающая указанную сеть // 2213393

Способ получения тонкопленочных полупроводниковых устройств на основе органических соединений // 2214651

Изобретение относится к способу получения электрода в тонкопленочном полупроводниковом устройстве на основе органических соединений, в котором полупроводниковым устройством, в частности, является выпрямительный диод с высоким коэффициентом выпрямления или тонкопленочный транзистор на основе углерода или гибридный транзистор на органических и неорганических тонких пленках, и к способу получения выполненного на основе органических соединений тонкопленочного выпрямительного диода с высоким коэффициентом выпрямления, согласно которому выпрямительный диод содержит первый слой и второй слой, предусмотренный на первом слое, совместно формирующие анод выпрямительного диода, третий слой полупроводящего органического материала, предусмотренного поверх анода, образующий активный полупроводниковый материал диода, и четвертый слой металла, предусмотренный структурированным или неструктурированным поверх третьего слоя, образующий катод выпрямительного диода

Электродное средство с функциональным элементом или без него и электродное устройство, сформированное из электродного средства с функциональными элементами // 2216820

Изобретение относится к электродному средству для адресации функционального элемента

Полимерная композиция // 2222065

Изобретение относится к области электротехники, в частности к полимерной композиции, содержащей по меньшей мере один по существу непроводящий полимер и по меньшей мере один электропроводящий наполнитель, в форме гранул, причем гранулы предпочтительно имеют размер в интервале до 1 мм, более предпочтительно между 0,04 и 0,2 мм, при объемном соотношении проводника и полимера предпочтительно от 3:1 до 15:1

Наносенсорная система // 2222847

Изобретение относится к наноэлектронному приборостроению

Наносенсорная система // 2222847

Изобретение относится к наноэлектронному приборостроению