Способ получения диэлектрических слоев

 

G Il И С А Н И Е (i )498665

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Реслтоли и (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 18.04.74 (21) 2020897j26-25 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет—

i 51) 4 т.Кл.- "Н 01 L 49 02

Госудерствевиый комитет

Совета Иииистров СССР ло делам иао4ретее"й и открытии (43) Опубликовано 05,01.76. Бюллетень ¹ (45) Дата опубликования описания 26.05.76 (53) УДК 621.382 (088.8) (72) Авторы изобретения

A. Е. Глаубермаи, В. А. Дроздов, M. А, Дроздов и Я. Л. Потапенко

Одесский ордена Трудового Красного Зчямеии государственный университет им. И. И. Мечникова (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕИИЯ

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ

Известны с Ioco()bl получения диэлектрических слоев пироактпвационным разложением паров металлооргяничсских соединений в вакууме или в ннерт:- ой среде.

Недостатком известных способов является нестерильность пиролнзной технологии. Образцы загрязняются различными примесями, прежде всего продуктами распада металлоорганических соединений, Слои получают нефоточувствительными, с оольшим электронным !О сродством. О:-(3 применяются главным образом в качестве высокоомных резистивных покрытий.

Целью изобретения является получение достаточно толстых (несколько микрон) и однородных диэлектрических слоев щелочногалоидных соединений, электронная проводимость которых на 6 — 7 порядков превосходит их собственную ионную проводимость. Малое электронное сродство этих материалов обес- 20 печивает создание высокоэффективных эмиттеров и высококачественных барьерных систем.

Кроме того, актнвирование диэлектриков металлическими кластерами позволяет прида- 25 вать им теовые полезные свойства, например фото- и электроупр авл яемость.

Сущность изобретения заключается в том, что активирование пленок NaCI (с определенным размером зерен-кристаллитов) металлическими кластерами натрия проводится в результате катодно-плазменной ооработкп с использованием кадмиевого катода.

Согласно предложенному способу, технологический цикл изготовления образцов начиняют с термического напыления в вакууме — 10 торр поликристаллической пленки МаС1 толщиной 0,1 — 3 мкя с размерами отдельных зерен-кристаллитов 0,05 — 0,07 лк.и (указан.ый размер крнсталлитов можно реализовать, варьируя параметрь1 напыления пленки либо подбирая нужный материал подложки). Плен ки такого типа получают напылением хлористого натрия пз кварцевого тигля, нагретого до

950 С, на обезжиренную стеклянную подложку при температуре 200 С со скоростью .наращивания пленки — 0.02 лкл, лаи, Далее пленку подвергают кятодно-плазменной обработке при температуре 180 С в яргопо-кислородной атмосфере (смесь в пропорции 1 2: 1/2, р= 10 - торр) с использованием кадмиевого катода, расположенного на расстоянии 5 слт от пленки NaCI.

Рабочий режим при стабильном разряде:

V = 1,5 кв; j = 4 ма/сии; Лг = — 20 япя.

В результате получают треоуемые пленки, гомоге:шые по типу «окраски», в смысле содержания исключительно металлокластерных центров коллоидной дисперсности, что подтверждается измерениями оптического погло498665

Формула и зобретения

Составитель Г. Угличина

Текред Т. Курилко

Редактор Т. Орловская

Корректор И. Симкина

Заказ 493/732 Изд. ¹ 188 Тираж 977 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва,?К-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент» щения образцов, при которых проявляется лишь,коллоидпая полоса абсорбции с максIIмумом у 7 = 570 мкл, наличия центров иного типа (F —, Я вЂ”, Л1 — и т. д.) не обнаруживается.

Предельные глубины кластеризации для пленок с другими размерами зерен приведены на чертеже.

На чертеже видно, что размер зерна 0,05—

0,07 лкл для NaCl является оптимальным для проведения с максимальной эффективностью процесса активирования NaC1 — пленки HB наибольшук глубину (до 3 лклг).

1. Способ получения диэлектрических слоев, например, слоев хлористого натрия, путем активации в вакууме, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью достижения высоких значений электронной проводимости, данные слои активируют металлическими кластерами натрия посредством обработки низкоэнергети5 ческой плазмой катодного разряда в аргонокислородной атмосфере с использованием кадвгиевого катода, атомный пучок пз которого стимулирует формирование указанных кластеров натрия.

2. Способ по п. 1,, от ли ч а ю щи йс я тем, что, для получения однородно активированных металлическими кластерами натрия слоев хлористого натрия толщиною до 3 мкн, Гб применяют мелко диспергпрованные поликристаллические пленки хлорида натрия с заданными размерами кристаллитов 0,05 — 0,07 л1км, оптимизирующие условия формирования указанных кластеров натрия.

Способ получения диэлектрических слоев Способ получения диэлектрических слоев 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интегральным датчикам, использующим в качестве чувствительного элемента поликремниевые поверхностные микромеханические структуры

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к полупроводниковым термопреобразователям сопротивления

Изобретение относится к способам анализа смесей газов с целью установления их количественного и качественного состава и может быть использовано в газовых сенсорах

Изобретение относится к изолирующим пленкам, которые применяются в области электроники и электронных приборов, к процессу получения этих пленок и к полупроводниковому прибору, в котором эта пленка применяется

Изобретение относится к получению пористых пленок из полипараксилилена и его замещенных, имеющим низкую диэлектрическую константу и высокую термостойкость, и полупроводниковому прибору, в котором эта пленка используется в качестве изолирующего слоя

Изобретение относится к электролюминесцентным устройствам

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве гибридных интегральных схем
Наверх