Способ резки полупроводниковых пластин

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ п 519793

Со|оз Советских

Соииалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 12.11.71 (21) 1714157/25 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано ЗО.О6.76. Бюллетень № 24

Дата опубликования описания 21,07.76 (51) М, Кл г Н 01L 21(461

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621,382(088.8) (72) Автор изобретения

В. А. Коровинский (71) Заявитель (54) СПОСОБ РЕЗКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЬ1Х ПЛАСТИН

Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов и предназначено для резки пластин из кремния на кристаллы с размерами 1Х1 мм.

Известны способы резки пластин кремния проволочками, которые перематываются с барабана на барабан, совершая возвратно-поступательные движения, при этом применяются проволочные инструменты с алмазным покрытием. Однако при таких способах инструменту сообщают возвратно-поступательное движение, из-за чего производительность резки недостаточна, а износ инструмента происходит с одной стороны.

Цель изобретения — повышение производительности и качества резки.

Это достигается тем, что проволочным инструментам дополнительно сообщают синхронное вращение.

На чертеже показано устройство для осуществления предлагаемого способа.

Устройство содержит рамку 1, в которой проходит вал 2. От пневмотурбины 3 через соединительные муфты 4 валу сообщается вращение, передающееся через шестерни 5 и б на шестерни 7. Шестерни имеют одинаковое количество зуоьев и сцеплены друг с другом последовательно. Шестерни 7 жестко соединены со шпинделями 8, 9. Проволочный инструмент 10 натянут и закреплен в шпинделях.

Рамка вместе с инструментом, пневмотурбиной совершает возвратно-поступательное движение по направляющим 11. Возвратно-поступательное движение рамке сообщается гидроцилиндром 12. Подача заготовки 13 на инструмент, разворот на 90 и фиксация ее осуществляются приспособлением 14, отсчет координат, перемещение детали на величину изделия с учетом ширины реза — координатным столом 15.

На инструмент может поступать электричес1сий ток через токосъемники 16 от источника

)7 питания, а в зону обработки подаваться электролит через сопло 18. Резка пластин по15 лупроводникового материала по предлагаемому способу осуществляется следующим образом.

Заготовка 13, например пластина кремния, закрепляется в приспособлении 14 пневмо20 присоской.

Проволочный инструмент с нанесенными на нем зернами алмазов закрепляется одним концом в шпинделе 8, а вторым концом проходит через полый шпиндель 9, натягивается

25 с требуемым усилием и закрепляется. Затем сжатый воздух подается в пневмотурбпну 3, приводит во вращение вал 2 и через шестерни

5, б, 7, шпинделя 8, 9 — инструмент 10.

Гидроцилиндр сообщает рамке возвратно30 поступательное движение вместе с пневмотур519793

Составитель Ю. Цветков

Техред А. Камышникова

Корректор Л. Брахнина

Редактор Т. Рыбалова

Заказ 1515/15 Изд. № 1441 Тираж 963 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, OK-35, Раушскан наб., д 4/5

Типографии, пр, Сапунова, 2 биной и инструментом. Производится подача заготовки на инструмент. При резке на инструмент может подаваться электрический ток и в зону резания — электролит, После прорезки пазов требуемой глубины заготовка отводится от инструмента, заготовка перемещается координатным столом 15 вместе с приспособлением 14 на ширину изделия с учетом ширины реза. Резка осуществляется до тех пор, пока вся заготовка не будет прорезана на отдельные полосы. Затем она разворачивается на 90, и резка происходит до получения кристаллов, например размерами

1Х1 мм.

Формула изобретения

Способ резки полупроводниковых пластин, заключающийся в осуществлении возвратнопо..туп ательного движения натянутых проволочных инструментов с алмазным покрытием, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и качества резки, проволочным инструментам сообщают синхронное вращение.

Способ резки полупроводниковых пластин Способ резки полупроводниковых пластин 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается способа измерения пороговой разности температур инфракрасного матричного фотоприемного устройства. Измерения осуществляются с использованием снабженного оптическим модулятором абсолютно черного тела (АЧТ) с площадью излучающей площадки, не превышающей размеров матрицы фоточувствительных элементов. При осуществлении способа устанавливают заданную температуру АЧТ (Tсигн), измеряют интегральные шумы Vш_ij всех ФЧЭ, измеряют спектр пропускания холодного светофильтра МФПУ, определяют его коротковолновую и длинноволновую границы пропускания λк и λд, измеряют сигналы всех ФЧЭ Vсигн_ij и рассчитывают величину пороговой разности температур по формуле где с=2,998⋅1010 см⋅с-1 - скорость света; kB=1,381⋅10-23 Вт⋅с⋅К-1 - постоянная Больцмана; h=6,626⋅10-34 Вт⋅с2 - постоянная Планка; N(Tсигн; λк; λд), квантов⋅с-1⋅см-2 - интеграл от функции Планка, определяющий квантовую облученность в телесном угле 2⋅π в спектральном интервале [λк; λд]; Z(Tсигн; λк; λд) - интеграл от производной функции Планка по температуре. Технический результат заключается в повышении точности и упрощении методики измерения. 1 ил.
Изобретение относится к приборам и методам экспериментальной физики и предназначено для исследования дефектной структуры кристаллов. Способ имеет преимущество по сравнению с методом рентгенодифракционной топографии: нет необходимости разрушать исследуемый образец, можно осуществлять экспрессный контроль больших партий монокристаллов. Способ впервые обеспечивает возможность экспресс-определения направления дислокаций в монокристаллах и эпитаксиальных пленках. Способ определения дислокаций в кристаллах включает селективное химическое травление кристалла до получения ямок травления размером 0,4-2 мкм и наблюдение ямок травления с помощью атомно-силового микроскопа. Измеряют угол наклона граней ямок травления, по полученным данным строят геометрические модели ямок и по наклону пирамид ямок травления рассчитывают направления дислокаций.

Способ резки полупроводниковых пластин

Наверх