Ферроэластичный монокристаллический материал

 

ОИ ИСАНИНА

ИЗОБРЕТЕНИЯ

» .:- коз Советск о

Социалистических

Республик (Е))525465

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l) Лоно.тиительпое к авт. свил-ву(22) Заянлено17Я6,74 {2!) 2035453/2t! (51) M. Кл.

f3 O f Г l 7/(I < I

С 01 О 21/(!

ll гтl !. f./)! с присоединением заявки ¹â€”

Государственный квинтет

Совета Мнннстров СССР оо делам нзобретеннй н открытнй (23) Приори гет— (43) <2публиковано 25.OH.7|3,Áþë Jlå Tåíü №3 3 (53) УДК,"> 7.22н. (г>й>Г.,Ч) (45) Дата опубликования описания 05.l l 7t> (72) Авторы изобретения

Е!, Ф. QyIIttttti и Е3, )3. епе

Дпепропот)>овский I> f>geEI ТЕ>удс>вГ>го f(f>actt I>I 3tr;Litt>t t t( государственный университет пм. ЭОО-летия воссоединен»п

Украины с Россией (71) Заявитель (54 ) ФЕР! >ОЗГ)АСТЕ! ЧЕ)ЫЙ МО){ОКР))СТАг)У)! !Ч Е:.С)(! 1!!

NАТЕ1 )АЛ

Г.о лазерного излучения, Изобретение относится к физике твердого тела и может быть использовано для ynpQBJlf:IIèÿ лучом оl!тп 1 cKOI о квантового Г енератора (ÎÊf ) с помошью актив»ого эле мента, в качестве котороГ о используются материалы, обладаюшие пьезооптическпми свойствами, Известны ферроэластпчный монокристаллический материал, содержашпй окись свинца и пятиокись фосфора Щ . Однако оп имеет гт! сравнительно низкие пьезооптические коэффициенты, что ограничивает возможность его использования и усложняет конструкцию устройств управления, Известно вешество ортофосф»>т свинца

Рв3 Ре Оо f2), содержашее РвО - 82,5 вес." и Р О,.— 17,5 вес, Ъ, которое является форроэластичнылt мо»окристаллпческим материалол» (ферроэласт»ком), так как внеш-. ним механическим напряжением его можно ов перевести из одного орпептацпслгпого состояния В другoE, Од»ако ttptt компа 1»1ой TE.>iгпературе этп кристаллы обладают большим начальным двулучепрелолглен»ем и разбиты на домены, в свя н1 с этим под действием 25 приложенного мехаппческого напряжения: происходит переориентация доменной структуры, а измене»пе двулучепреломлеппя»од действием внешнего меха>гпческого «attf>II>Кения столь незначительно но сравггеп1оо с вс личиной начального двулуче»реломления, что не позволяет оценить величгиГу пьезооптпческпх коэффициентов, !оэтому мопокрпсталлы этого вещества не лтогут быть пспольэованьr в качестве модуляторов когере»тпоЦелью изобретения является создание вашества, обладаюгцего сильной зависимостью индуцированного двулучепреломления от oe- ° личины прикладываемого механического напряжения, т, е, вещества, обладающего высокими пьезооптпческими свойствами прп комнатной температуре.

Это достигается путем введения s монорпс Галльг РГ>, !" О»), выраГГГен1Гых методом спонтанной крпсталлпза1»ип, И пятиокиси ванадия ЧОу при с>1едуюигем соотношении инГредиентов, вес. Ъ:

3,37-l 2,07 ского

Составитель В. Поиолитов

Редактор Т. Шагова Техред Г. Родак Корректор T. Кравченко

Заказ 5227/462 Тираж 864 Подписное

Щ1ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 к;

l,и: колись фосфор;:

f, f,Î,) (fsr. иокись в<гладия (v,o;) 6,63-17,25, Пример, При содержании V@ О!< в количестве от 6,63 до 8,79 вес." методом

Ч

Формула изобретения

Ферроэл стичный монокристаллический материал, содержаший окись свинца и пяти( окись фосфора, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью повышения его пьезооптических свойств, он дополнительно содержит BBTHoKHcb ванадия при следую<цем соотно!пении иигредиентов, вес. < :

Окись свинца 79„38-81, Э п«,:<оп<

Пятиокись фосфора 3,37-12,07

Пятиокись ванадия 6,63-17,25

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

4р 1, Сонин А, С, и Василевская А. С.

"Электрооптические кристаллы, И., Лтом, издат, 1971.

2, mat. Res. But,8 8, Ив 5, 497-504,.

1973.

Ферроэластичный монокристаллический материал Ферроэластичный монокристаллический материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к пьезоэлектрическому элементу, содержащему кристалл с по меньшей мере одной, в основном плоской плоскостью для акустического использования поверхностных волн

Изобретение относится к области радиоэлектроники, в частности к материалам для изготовления компонентов радиоэлектронных приборов, таких как датчики магнитного поля, электрически перестраиваемые фильтры СВЧ, линии задержки СВЧ и др

Изобретение относится к акустооптике, в частности к технологии изготовления пьезопреобразователей
Наверх