Фоточувствительный слой

Авторы патента:

ФЕДОРОВ МИХАИЛ ИВАНОВИЧ

ШОРИН ВЛАДИМИР АЛЕКСАНДРОВИЧ

АЛЬЯНОВ МИХАИЛ ИВАНОВИЧ

БОРОДКИН ВАСИЛИЙ ФЕЛОРОВИЧ

ШАПОШНИКОВ ГЕННАДИЙ ПАВЛОВИЧ

H01L7 - Основные элементы электрического оборудования

;;атено на-1 вЂ” - -..о-библмъ ° 4 й@

Союз Советских

Социалистических

Республик

О П И С А Н И Е (и) 534808

ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ (6%) Дополнительное к авт. свид-ву(22) ЗаявлЕио06.08.75 (21) 2160788/25 с присоединением заявки №(23) ПриоритетвЂ” (43) Опубликовано05.11.76.Бюллетень № 41 (45) Дата опубликования описания23.02.77 (51) М. Кл.

Н 01, . 7/00

Государственный коннтет

Соввта Инннстроо СССР оо двлан нзобретоннй н откро1тнй (5З) 3/ДК 621,382 (088. 8) М. И. Федоров, B. А. Шорин, М, И. Апьянов, В. Ф. Бородкин и Г. П. Шапошников (72) Авторы изобретения (71) Заявители

Вологодский политехнический институт и Ивановский химикотехнологический институт (54) ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ СЛОЙ

Изобретение относится к оптоэлектроник, в частности к устройствам, преобразующим

| лучистую энергию в электрическую, Известны входящие в состав устройств, преобразующих лучистую энергию в электри ческую,, фоточувствительные слои, заключен-, ные между двумя электродами, с барьером у освещаемого электрода, Чувствительности прибора определяется удельным сопротивлением фоточувствительного слоя, которое в значительной степени зависит от способа его приготовления 1).

Известны фоточувстви тельные слои, вклю чающие в саби металлфталоцианин )2).

Эти слои недолговечны, что снижает эффективность фотоэлементов (уменьшение фо ! .то э,д.с. и тока короткого замыкания) при работе на воздухе вследствие диффузии кивлорода в фоточувствительный слой, Бель изобретения - повышение эффективности и долговечности фоточувствительного элемента при работе на воздухе.

В предлагаемом фоточувствительном слое в качестве материала слоя использован диалюминийфталоцианиноксид, 2

Способ приготовления предлагаемого фотоэлемента:

1) На стеклянную или эластичную подложку с нанесенным на нее электродом из

g серебра или алюминия наносят фоточувстви тельный слой в вакууме 10 5 - 10 тор о ,при температуре подложки 40-60 С и скоо рости испарения 100-200 А/мин, Подлож кой может служить также проводящее стек- тo,ло (стеклянная пластинка с прозрачным сла:eM из 5д0. или 1п 0 ), 2) Фоточувствительный слой,, легируют

;путем кратковременного (3-6 мин) воздей- ,ствия на него сухим очищенным кислородоМ

I5,или кислородом воздуха.

3) На легированную кислородом повс;.. : ность фотопроводящего слоя наносят в ва, кууме 10 - 10 тор верхний полупроэ I рачный электрод из алюминия или другого

20 металла (ЬЬ, 3n ).

Использование предложенных слоев позво ляет значительно повысить долговечность ри работе на воздухе и стабильность рабо .

25 ы в атмосферных условиях, а также рас534808

)ширить температурный интервал чвевлетвЬ- ср

1 о ительной работы фотоэлемента llo 100 С бо о (у известных слоев 60 С), ис

Формула изобретения

Фоточувствительный слой, включающий в себя металлфталоцианин о т л и ч а иь шийся тем, что, с целью повышения ока службы и эффективности слоя при рате на воздухе, в качестве материала слоя пользован диалюминийфталоцианиноксид.

Источники информации, принятые во вни6 мание при экспертизе:

1, Смит P. Обнаружение и измерение инфракрасного излучения, ИЛ, 1959, стр, 152.

2, Федоров М. И, Кандидатская диссерф теция. Черноголовка, М, О., 1973, Составитель Я. Герчиков

Редактор B. Федотов Текред А. Богдан Корректор A. Лакида

Закае 5517/254 Тираж 963 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская нвб., д. 4/5

Филиал ППП Патент", r. Ужгород, ул, Проектная, 4

Пьезокерамический материал // 524269

Способ резки полупроводниковых пластин // 519793

Кассета для нанесения пленки на плоские пластины // 514378

Преобразовательный агрегат // 512513

Экранный узел стереоцветного кинескопа // 506082

Способ стабилизации униполярности кристаллов ват о // 501444

Установка для химической обработки круглых деталей со сложным геометрическим профилем // 501435

Способ получения эпитаксиальных слоев, например, полупроводников твердых растворов из газовой фазы // 496873

Устройство для непрерывного удаления фоторезиста с подложек с использованием озон-кислородной смеси // 494799

Оптическая система устройства проекционной фотолитографии // 564830

Способ измерения пороговой разности температур ик мфпу // 2643695

Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается способа измерения пороговой разности температур инфракрасного матричного фотоприемного устройства. Измерения осуществляются с использованием снабженного оптическим модулятором абсолютно черного тела (АЧТ) с площадью излучающей площадки, не превышающей размеров матрицы фоточувствительных элементов. При осуществлении способа устанавливают заданную температуру АЧТ (Tсигн), измеряют интегральные шумы Vш_ij всех ФЧЭ, измеряют спектр пропускания холодного светофильтра МФПУ, определяют его коротковолновую и длинноволновую границы пропускания λк и λд, измеряют сигналы всех ФЧЭ Vсигн_ij и рассчитывают величину пороговой разности температур по формуле где с=2,998⋅1010 см⋅с-1 - скорость света; kB=1,381⋅10-23 Вт⋅с⋅К-1 - постоянная Больцмана; h=6,626⋅10-34 Вт⋅с2 - постоянная Планка; N(Tсигн; λк; λд), квантов⋅с-1⋅см-2 - интеграл от функции Планка, определяющий квантовую облученность в телесном угле 2⋅π в спектральном интервале [λк; λд]; Z(Tсигн; λк; λд) - интеграл от производной функции Планка по температуре. Технический результат заключается в повышении точности и упрощении методики измерения. 1 ил.

Способ определения направления дислокаций в монокристаллах с помощью асм // 2645041

Изобретение относится к приборам и методам экспериментальной физики и предназначено для исследования дефектной структуры кристаллов. Способ имеет преимущество по сравнению с методом рентгенодифракционной топографии: нет необходимости разрушать исследуемый образец, можно осуществлять экспрессный контроль больших партий монокристаллов. Способ впервые обеспечивает возможность экспресс-определения направления дислокаций в монокристаллах и эпитаксиальных пленках. Способ определения дислокаций в кристаллах включает селективное химическое травление кристалла до получения ямок травления размером 0,4-2 мкм и наблюдение ямок травления с помощью атомно-силового микроскопа. Измеряют угол наклона граней ямок травления, по полученным данным строят геометрические модели ямок и по наклону пирамид ямок травления рассчитывают направления дислокаций.