Носитель информации

 

п 544980

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 27.10.72 (21) 1841067/24 (51) М. Кл. б 06К 19/02 с присоединением заявки №

Государственный комитет (23) Приоритет 24.11.75 по п. 2

Опубликовано 30.01.77. Бюллетень № 4

Дата опубликования описания 01.03.77

Совета Министров СССР по делам изобретений (53) УДК 681.327.12 (088.8) и открытий (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

Л. М. Панасюк, П. А. Коваленко и В. Д. Прилепов

Кишиневский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. В. И. Ленина (54) НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть применено в устройствах регистрации информации.

Известен носитель информации, используюющий деформирующуюся среду, на которой изображение создается в виде остаточной деформационной картины и может найти применение в элементах памяти различных устройств, регистрирующих оптическую, звуковую и другие виды деформации.

Известен носитель информации для регистрации оптической информации, содержащий термопластический слой и подложку с нанесенными на нее электродом и первым фоточувствительным полупроводниковым слоем.

Недостатками известного носителя являются узкая спектральная область чувствительности, обусловленная ограниченной спектральной чувствительностью полупроводникового слоя, и низкая световая чувствительность.

Цель изобретения — расширение области регистрируемого спектра и повышение интегральной чувствительности носителя информации.

Это достигается тем, что носитель информации содержит второй фоточувствительный полупроводниковый слой, расположенный между термопластическим слоем и первым фоточувствительным полупроводниковым слоем, причем ширина запрещенных зон фоточувствительных полупроводниковых слоев различна.

На чертеже схематически изображен предлагаемый носитель.

На поверхности подложки 1, выполненной из стекла или лавсана, нанесен металлический электрод 2, на который последовательно наносят слои узкозонного первого 3 и широкозонного второго 4 полупроводниковых материалов. Внешним является термопластический слой 5.

Устройство работает следующим образом.

Процесс получения изображения на фототермопластическом носителе происходит следчощим образом. Одним из известных способов, например коронирующей нитью, на поверхность носителя наносят равномерный заряд. Одновременно или после нанесения заряда проецируется изображение. В местах освещения уменьшается сопротивление фоточувствительного слоя. Соответственно происходит перераспределение зарядов в системе полупроводник — диэлектрик, приводящее к образованию потенциального рельефа на поверхности термопластического слоя 5, повторяющего проецируемую картину. Нагреванием термопластического слоя потенциальный рельеф преобразуется в деформационную картину.

Особенностью механизма образования изображения является то, что при освещении ин544980

Формула изобретения

Составитель Г. Ничипорович

Техред А. Камышникова Корректор А. Степанова

Редактор В. Зенкевич

Заказ 125/17 Изд. Ко 137 Тираж 899 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 тегральным светом, включающим широкий спектральный диапазон, поглощение света происходит и в широкозонном 4, и в узкозонном

3 полупроводниковых материалах, образующих гетероструктуру. Поглощение света приводит к зарождению носителей и их разделению контактным полем на границе раздела генероструктуры и, в свою очередь, к резкому увеличению проводимости на освещенных участках гетероструктуры.

Таким образом, использование гетероструктуры позволяет значительно расширить регистрируемый диапазон длин волн и за счет более полного спектрального состава света повысить чувствительность фототермопластического носителя.

Носитель информации, содержащий термопластический слой и подложку с нанесенными на нее электродом и первым фоточувствительным полупроводниковым слоем, отл ич а юшийся тем, что, с целью повышения чувствительности носителя, он содержит второй фоточувствительный полупроводниковый слой, расположенный между термопластическим слоем и первым фоточувствительным полупроводниковым слоем, причем ширина запрещенных зон фоточувствительных полупроводниковых слоев различна.