Оптическая система устройства проекционной фотолитографии

 

Союз Совекинн

Соцмапмстммееимн

Реслубпик (??) 564830 (5?) M. Кл. 602 В 23/02

G 03 В 27/02

Н01 L 7/64 (6?) Дополнительный н патенту (22) Заявлено 05.03.71 (2?) 1635143/18-10 (23) Приоритет — (32) 06.03.70 (31) 7008153 (33) Фра нци я (43) Опубликовано 05.07.77. Бюллетень ¹ 25 (45) Лата опубликования описапня12.07.77

Государственный номнтет

Совета Мнннстров СССР яо делам нзобретеннй н открытнй (53) УЛК 535.8:771 313-752.3;

; 621.382 (088.8) (72) Автор изобретения

Иностранец

Жан- Раймон Дельмас (Франция) Иностранное предприятие

"Жан- Раймон Демас" (Франция) (7?) За я вител ь (54) ОП1 ИЧЕСКАЯ СИСТЕМА УСТРОЙСТВА ПРОЕКЦИОННОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ

Изобретение относится к устройствам проекционной фотолитографии, а именно к их оптическим системам.

Известны оптические системы устройства проекционной фотолитографии, содержащие объектив, разделенный»а входной н выходной компо. ненты, во внешних фокусных плоскостях которых размещены соответственно фотошаблон и пластина, размещенный между компонентами светоделительный элемент, рабочая грань которого расположена под углом 45 к оси, и систему контроля совмещения с источником света.

Для улучшения аберрационных характеристик в предлагаемой оптической системе объектив снабжен вогнутым зеркалом, установленным в ходе лучей между светоделительным элементом и выходным компонентом объектива. Общее увеличение системы равно "1".

kla чертеже представлена оптическая система.

Оптическая система устройства проекционной фотолитографии состоит из объектива с входным 1 и выходным 2 компонентами, фотошаблона 3 и пластины 4, светоделительного элемента 5, системы контроля совмегцения 6 с источником света 7 и вогнутого зеркала 8.

Система работает следующим образом.

Фотошаблоны 3 и пластина 4 расположены во внешних фокусных плоскостях входного 1 и выходного 2 компонентов объектива, 5

Пластина 4 крепится в держателе 9, который

-представляет собой пневматическую капсулу 10 с диафрагмой в ее верхней части и трубкой 11 для пода о1 сжатого воздуха, расположенную на основа10 нии 12, установленном с возможностью поворота с помощью тангенциального винта, управляемого кнопкой с насечкой. Пластина 4 в виде основания P со светочувствительным слоем S помещается иа диафрагму, из которой откачан воздух. Когда

15 диафрагма растягивается воздухом под давлением, основание P пластины 4 зацепляется с трехплоскостными выступами пластины 13, а к основанию 12 крепится двумя штырями с центральным отверстием. Основание 12 установлено на пласти2п не 14 и может перемещаться в их оризонтальной плоскости кнопкой, действующей на обычный микроманипулятор.

Над фотошаблоном 3 на колонне 1 5 расположена система контроля совмещения 6 в ниле бинокулярного микроскопа с независимым о влцением и

564830 двумя объективами, расстояние между которыми может регулироваться.

Источник ультрафиолетового излучения 16 состоит иэ ртутной лампы 17, ифисового затвора 18 и оптического фильтра,пропусканяцего луч спектра с длиной волны 4356А.

Источник света 7, компоненты 1 и 2 объектива образуют оптическую систему с изгибом 90, при этом светоделительный элемент 5 постоянно находится на своем месте как в стадии оптического выравнивания, так и в стадии облучения. Вогнутое зеркало 8 устанавливается в створе с входным 1 компонентом для отражения света и пропускания его через светоделительный элемент5 на выход. ной 2 компонент объектива.

Компоненты 1 и 2 объектива тонкие, вследствие этого светопоглощение уменьшается, что увеличивает контрастность изображения.

Элемент 5 может быль выполнен в виде двух призм, имеющих в поперечном сечении форму прямоугольного равнобедренного трелольника и расположеных рядом друг с другом.

Формула изобретения

1. Оптическая система устройства проекционной фотолитографии, содержащая объектив, разделенный на входной и выходной компоненты, во внешних фокусных плоскостях которых размещены соответственно фотошаблон и пластина, размещенный между компонентами светоделительный элемент, рабочая грань которого расположена под

0 углом 45 к оси и систему контроля совмещения с источником света, отличающаяся тем, что, с целью улучшения аберрационных характеристик, объектив снабжен вогнутым зеркалом, установленным в ходе лучей между светоделительным элементом и выходным компонентом объектива.

2. Оптическая система по и. 1, отличающ а я с я тем, что общее увеличение системы равно "1", Составитель Л. Теплова

Техред А. Демьянова

Корректор А. Кравченко

Редактор О. Филиппова

Заказ 2096/222

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Тираж 628 Подписное

ЦНИИ ПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„д. 4/5

Оптическая система устройства проекционной фотолитографии Оптическая система устройства проекционной фотолитографии Оптическая система устройства проекционной фотолитографии 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается способа измерения пороговой разности температур инфракрасного матричного фотоприемного устройства. Измерения осуществляются с использованием снабженного оптическим модулятором абсолютно черного тела (АЧТ) с площадью излучающей площадки, не превышающей размеров матрицы фоточувствительных элементов. При осуществлении способа устанавливают заданную температуру АЧТ (Tсигн), измеряют интегральные шумы Vш_ij всех ФЧЭ, измеряют спектр пропускания холодного светофильтра МФПУ, определяют его коротковолновую и длинноволновую границы пропускания λк и λд, измеряют сигналы всех ФЧЭ Vсигн_ij и рассчитывают величину пороговой разности температур по формуле где с=2,998⋅1010 см⋅с-1 - скорость света; kB=1,381⋅10-23 Вт⋅с⋅К-1 - постоянная Больцмана; h=6,626⋅10-34 Вт⋅с2 - постоянная Планка; N(Tсигн; λк; λд), квантов⋅с-1⋅см-2 - интеграл от функции Планка, определяющий квантовую облученность в телесном угле 2⋅π в спектральном интервале [λк; λд]; Z(Tсигн; λк; λд) - интеграл от производной функции Планка по температуре. Технический результат заключается в повышении точности и упрощении методики измерения. 1 ил.
Изобретение относится к приборам и методам экспериментальной физики и предназначено для исследования дефектной структуры кристаллов. Способ имеет преимущество по сравнению с методом рентгенодифракционной топографии: нет необходимости разрушать исследуемый образец, можно осуществлять экспрессный контроль больших партий монокристаллов. Способ впервые обеспечивает возможность экспресс-определения направления дислокаций в монокристаллах и эпитаксиальных пленках. Способ определения дислокаций в кристаллах включает селективное химическое травление кристалла до получения ямок травления размером 0,4-2 мкм и наблюдение ямок травления с помощью атомно-силового микроскопа. Измеряют угол наклона граней ямок травления, по полученным данным строят геометрические модели ямок и по наклону пирамид ямок травления рассчитывают направления дислокаций.

Оптическая система устройства проекционной фотолитографии

Наверх