Травитель

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОЬЕЕтЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (!!) 570936

cows Советскаа социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 29.12.75 (21) 2304681/25 (51) М. Кл а Н 01Ь21/461 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Опубликовано 30.08.77. Бюллетень № 32

Дата опубликования описания 27.09.77

Государственный комитет

Совета Министров 1..."Р по делам изобретений н открытий (53) УДК 621.382(088.8) (72) Авторы изобретения

А. Л, Самородов и С. М. Котлярова (71) Заявитель (54) ПРАВИТЕЛЬ

30,36 — 50,00

15

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к химической обработке неорганических диэлектриков типа двуокиси кремния, используемых в качестве защиты алюминиевой металлизации, для анализа дефектов алюминиевой металлизации, лежащей под защитным покрытием.

В электронных приборах для создания системы проводников и многослойных систем типа M-Д-M-Д в качестве металла, в основном, используют алюминий. Поэтому для создания контактных площадок необходимо использовать травители, которые хорошо травят неорганические диэлектрики без подтравливания поверхности алюминия.

Известен травитель, содержа ций смесь плавиковой кислоты, фтористого аммония и фосфорной кислоты.

Недостатком этого травителя является то, что одновременно с диэлектриком травится и алюминий.

Наиболее близким к изобретению техническим решением является травитель, содержащий смесь фтористоводородной кислоты, фтористого аммония и водорастворимого спирта.

Недостатком его является невысокая скорость травления диэлектрика и селективное подтравливание алюминия.

Цель изобретения — устранение селективного подтравлива HH поверхности алюминия.

Для достижения указанной цели травитель дополнительно содержит водорастворимую одноосновную карбоновую кислоту, например уксусную, при следующем содержании компоí нтОВ, об. %:

Фтористоводородная кислота 4,55 — 6,00

Водорастворимый спирт

Водорастворимая одноосновная карбоповая кислота 18,18 — 27,27

30%-ный раствор фтор истого аммония Остальное.

П р и м с р 1. Для получения травителя приготавливают смесь, содержащую ингредиенты, об. %:

44%-ный водный раствор плавиковой кислоты 4,55

Изопропиловый спирт 36,36

Уксусная кислота 18,18

30 — 40%-ный водный раствор фтористого аммония Остальное.

25 Пример 2. Для получения травителя приготавливают смесь, содержащую ингредиенты, об. :

44%-ный водный раствор плавиковои кислоты 6,0

30 Изопроппловый спирт 36,36

570936

27,27

Таблица 1

Скорость травления

МСБ, А/сек

Скорость травления

ПХО, А/сек

Скорость травления

МСО, А/сек

Травители

27

43

41

44

61

103

110

Травитель 1

Травитель 2

Травитель 3

Травитель 4

Таблица 2

Скорость травления

МСБ, А/сек

Скорость травления

МСО, А1 сек

Скорость травления

ПХО, A/ñåê

Кислота

52

24

188

61

56

71

41

32

Муравьиная

Уксусная

Пропионовая

Масляная

Остальное, Уксусная кислота

30 — 40 /а -ный водный ра-. створ фтористого аммония Остальное.

Пример 3. Для получения травителя приготавливают смесь, содержащую ингредиенты, об. а/а.

44а/, -ный водный раствор плавиковой кислоты 4,55

Изопропиловый спирт 36,36

Муравьиная кислота 18,18

30 — 40о/о-ный водный раствор фтористого аммония 40,91

Пример 4. Для получения травителя приготавливают смесь, содержащую ингредиенты, об. в/в..

44o -ный водный раствор плавиковой кислоты 4,55

30 — 40 /о -ный раствор фтористого аммония 40,91

Из табл. 1 видно, что скорость травления окислов в травитслях, состоящих из одинаковых ингредиентов с разным содержанием ингредиентов, и в травителях, состоящих из разных ингредиентов достаточно высока.

После полного удаления окисла поверхность алюминия не подвергается селективному травлению по крайней мере в течение 5 мин.

Поэтому данные травители могут быть эффективно применены для вскрытия контактных площадок в защитном неорганическом диэлектрике, лежащем на алюминии.

Применение предлагаемого травителя позволяет получить воспроизводимые результаты, и обеспечивает хорошее качество поверхности.

Изопропиловый спирт 36,36

Пропионовая кислота 18,18

Пример 5. Для получения травителя приготавливают смесь, содержащую ингре5 диенты об в/о .

44 /в-пый водный раствор плавиковой кислоты 4,55

30 — 40 /е-ный водный раствор фтористого аммония 40,91

Изопроппловый спирт 36,36

Масляная кислота 18,18.

Действию каждого травителя подвергались окислы, лежащие на алюминии, полученные плазменно-химическим осаждением (ПХО), 15 окислением моносилана (МСО) и окислением моносилана в присутствии триизопропилбората (МСБ). Температура травления поддерживалась в интервале 22 — 25 С. Полученные данные приведены в табл. 1 и 2.

20 Формула изобретения

Травитель, содержащий смесь фтористоводородной кислоты, фтористого аммония и водорастворимого спирта, отличающийся

25 тем, что, с целью устранения селективного подтравливания поверхности алюминия, он дополнительно содержит водорастворимую одноосновную карбоновую кислоту, например уксусную, при слсдующем соотношении ком30 понентов, об. :

Фтористоводородная кислота 4,55 — 6,0

Водорастворимый спирт 30,36 — 50,0

Водорастворимая одно35 основная карбоновая кислота 18,18 — 27,27

30 -ный раствор фтористого аммония

Травитель Травитель 

 

Похожие патенты:

Травитель // 568986

Травитель // 546043

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, в частности детекторов ионизирующих излучений и оптических элементов для ИК-лазеров на основе керамики теллурида кадмия (CdTe), изготовленной по нанопорошковой технологии, и может использоваться для анализа микроструктуры керамики: выявления границ зерен, анализа распределения зерен по размерам

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем

Изобретение относится к разрезанию неметаллических, преимущественно полупроводниковых и диэлектрических, материалов на тонкие пластины, используемые в качестве подложек интегральных схем

Использование: для получения структур (деталей) аксиальной конфигурации. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает использование нескольких полупроводниковых подложек, на всех поверхностях которых создают электропроводящий слой, собирают подложки в виде пакета, а электрический разряд инициируют в режиме образования расплава, перед инициированием разряда в пакете формируют по крайней мере одно сквозное отверстие, обладающее заданной формой, геометрическими размерами и аксиальной симметрией и ось которого ориентирована строго параллельно профилирующему электроду, а последующее инициирование электрического разряда в режиме образования расплава осуществляют в условиях перемещения профилирующего электрода вокруг отверстия по заданной траектории, повторяющей его контур. Технический результат: обеспечение возможности повышения универсальности способа эрозионного копирования карбидокремниевых структур. 1 ил.

Изобретение относится к композиции для химико-механического полирования (СМР) и ее применению при полировании подложек полупроводниковой промышленности. Композиция содержит частицы оксида церия, белок, содержащий цистеин в качестве аминокислотной единицы, и водную среду. Композиция проявляет улучшенные полирующие характеристики. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 1 табл.
Наверх